公开(公告)号：CN107836036A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040930.7

申请日：2016-07-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·毛 ,  H·阮 ,  L·阮 ,  A·波达尔

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。

公开(公告)号：CN107121461A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710105978.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 张青 ,  穆罕默德·马赫布卜·乔杜里 ,  古尔·泽布

IPC: G01N27/22 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/223 ,  G01N27/225 ,  G01N27/227 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了由电容式湿度传感器组成的半导体装置、由密封的装置组成的封装和在半导体装置内形成电容式湿度传感器的方法，该电容式湿度传感器由潮湿敏感聚合物层组成，该潮湿敏感聚合物层电接枝到定位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层且暴露于通过钝化层的开口内。

公开(公告)号：CN101061432B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200580039211.5

申请日：2005-10-14

Applicant: 伊利诺斯大学理事会

Inventor： 拉尔夫·G·努若 ,  威廉·R·蔡尔兹 ,  迈克尔·J·莫特拉 ,  李建宰

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/038 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/34 ,  G03F7/346

Abstract: 一种制造微结构的方法，包括选择性活化含硅弹性体的部分表面，使该活化部分与物质接触，以及使该活化部分与物质结合，使得该表面的活化部分和与该活化部分接触的物质不可逆地连接。通过在该含硅弹性体的表面上配置掩模以及用UV射线照射该露出部分可以实现这种选择性活化。

公开(公告)号：CN1791964A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN02818262.6

申请日：2002-07-15

Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司

Inventor： A·比赫法尔 ,  A·T·施莱莫 ,  C·B·斯塔加莱斯库

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G02B6/12002 ,  B81B2201/047 ,  B81C99/008 ,  B81C2201/0159 ,  G02B6/13 ,  G02B6/4204 ,  G02B6/4249 ,  G03F7/0037 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/949 ,  Y10S438/95

Abstract: 用一系列加工步骤在基材(10)的表面上制造任意形状的三维结构，这样就以相继的各层制造成一个层叠的整体结构。将光阻材料的第一层(14)旋压在基材(10)的表面(18)上，并将它以对应于最终结构之形状的所需图案在结构的对应剖面层面处曝光。这一层在曝光后暂不冲洗，而是在第一层上压附上第二层30并且也将它以所需图案曝光。后续的各层(40，52，64)依次旋压在其前一层的顶面上并曝光，相继各层依次曝光完成后各限定所需三维结构的对应层面，将所有各层一起冲洗，以留下三维结构(22)。

公开(公告)号：CN1195190A

公开(公告)日：1998-10-07

申请号：CN98105197.9

申请日：1998-03-31

Applicant: 西门子公司

Inventor： 德克·托宾 ,  彼得·韦甘德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 一种半导体制造方法,包括:在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构;在其表面沉积流动性的牺牲材料,其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构;在第二结构表面沉积非牺牲材料,其与第二结构的表面形貌一致,非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面;选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料,以形成具有水平组件的第三结构,且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。