公开(公告)号：CN107032288A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610882059.7

申请日：2016-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭荣辉 ,  朱家骅 ,  赖飞龙 ,  林详淇

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00285 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/02 ,  B81B7/0006 ,  B81C1/00301

Abstract: 本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106986301A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611128415.2

申请日：2016-12-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： 武震宇

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L9/12

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/019 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0778 ,  H01L21/62 ,  H01L22/30 ,  H01L28/00 ,  H01L28/75 ,  B81C1/00134 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/0038 ,  G01L9/12

Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器装置的制造方法和一种相应的微机械传感器装置。该方法包括下述步骤：提供具有至少第一至第四槽的基底，所述至少第一至第四槽从基底的正面出发平行地延伸并且彼此隔开间距；将一个层沉积到正面上，其中，所述至少第一至第四槽被封闭，并且使所述层结构化，其中，在所述层中在第二和第四槽的上方构造接触结构；将接触结构以及第二和第四槽的向外暴露的侧面至少部分地氧化；使第一金属接触材料沉积并且结构化，其中，将所述接触结构至少部分地以第一金属接触材料填充；打开第二槽和第四槽；将第二金属接触材料电沉积到所述第二和第四槽中，由此，形成压敏电容性的电容器结构；并且从所述基底的正面打开所述第一槽。

公开(公告)号：CN104203806B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380019462.1

申请日：2013-03-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.达利 ,  R.舍本 ,  C.舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R17/005 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158

Abstract: 本发明涉及一种微机电的膜片装置，所述微机电的膜片装置具有：基片，所述基片在表面上具有多个空隙；能够导电的第一电极层，所述第一电极层布置在所述基片的表面上并且所示第一电极层具有多个与所述空隙相一致的第一凹部；以及能够沿着与所述基片的有效的表面垂直的方向偏移的并且能够导电的膜片层，所述膜片层布置在所述第一电极层的上方并且以第一间距值与所述第一电极层隔开。

公开(公告)号：CN104321868B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380028085.8

申请日：2013-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  Q.马 ,  F.爱德 ,  J.斯万 ,  郑永康

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/007 ,  G01L9/0073 ,  H01L24/19 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162

Abstract: 描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。

公开(公告)号：CN103708404B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310381565.4

申请日：2013-08-28

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： P.W.巴思

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2203/0127

Abstract: 本发明披露了器件和形成所述器件的方法。所述器件包含基底和薄膜。所述基底的特征为具有第一热膨胀系数。所述薄膜与基底的表面连接，并且特征为具有第二热膨胀系数。所述薄膜包含呈压缩状态的第一层和第二层，和呈拉伸状态的第三层，所述第三层位于第一层和第二层之间。所述薄膜在一定温度范围内为净拉伸状态。

公开(公告)号：CN104968599B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201480007570.1

申请日：2014-01-03

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·策尔兰 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04

Abstract: 提出一种用于实现具有尽可能无应力的膜片结构的微机械构件的方案，所述膜片结构具有边缘锚固部，所述方案可以成本有利地借助半导体工艺的标准方法实现。因此，以层结构在衬底(1)上实现所述微机械构件(100)的膜片结构，其中，所述膜片结构包括膜片(11)，所述膜片通过至少一个弹性元件(12)集成到所述层结构中，其中所述膜片(11)跨越空穴(16)，使得所述膜片边缘的至少一个区段延伸到所述空穴(16)的边缘区域上，其中在膜片(11)和空穴边缘区域之间的重叠区域中构造至少一个锚固结构。根据本发明，锚固结构包括至少一个锚固元件(21)和用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)，其中所述锚固元件(21)由层结构在空穴边缘区域上结构化出，而用于所述锚固元件(21)的贯通开口(20)构造在所述膜片(11)的边缘区域中，使得在锚固元件(21)和贯通开口(20)之间存在空隙，所述空隙能够实现所述膜片(11)的机械应力松弛。

公开(公告)号：CN104291262B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201410239450.6

申请日：2014-06-03

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： M-L.陈 ,  X.李 ,  M.林

IPC: B81B5/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/0785 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H04R7/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: 本发明涉及具有嵌入式声道的电容性感测结构。MEMS器件包括双膜、电极和互连结构。该双膜具有顶膜和底膜。底膜位于顶膜和电极之间，并且互连结构限定顶膜和底膜之间的间隔。

公开(公告)号：CN103569941B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201310345497.6

申请日：2013-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E.菲尔古特 ,  R.洛伊施纳 ,  H.托伊斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0041 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00253 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。

公开(公告)号：CN103733304B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280037056.3

申请日：2012-06-29

Applicant: 因文森斯公司

Inventor： 约瑟夫·西格 ,  伊戈尔·切尔科夫 ,  哈桑·阿克约尔 ,  格克森·G·亚拉里奥格鲁 ,  史蒂文·S·纳西里 ,  伊利亚·古林

IPC: H01L21/00 ,  G01F1/20

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771 ,  G01L1/144 ,  G01L1/148 ,  G01L5/0028 ,  G01L9/0072 ,  G01L15/00 ,  G01L19/0092 ,  G01L19/0636 ,  G01L19/148 ,  G01L27/007

Abstract: 在此披露了一种用于为MEMS设备提供集成电子器件的系统和方法。该MEMS设备包括一个集成电路衬底和一个耦联到该集成电路衬底上的MEMS子组件。该集成电路衬底包括耦联到至少一个固定电极上的至少一个电路。该MEMS子组件包括通过平版印刷工艺形成的至少一个压铆螺母柱、一个带有顶面和底面的柔性板、以及一个耦联到该柔性板上并且电耦联到该至少一个压铆螺母柱上的MEMS电极。作用在该柔性板上的一个力引起该MEMS电极与该至少一个固定电极之间的一个间隙的变化。

公开(公告)号：CN103702927B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280023390.3

申请日：2012-03-14

Applicant: 哈佛大学校长及研究员协会

Inventor： C.J.鲁索 ,  J.A.戈洛夫钦科 ,  D.布兰顿

IPC: B81C1/00 ,  G01N33/487

CPC classification number: B81B1/002 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00087 ,  G01N33/48721

Abstract: 在纳米材料中形成纳米孔的方法，在纳米材料的侧边缘内部的位置上如下来形成纳米孔成核位置：将选自离子束和中性原子束的第一能量束引导到该内部位置持续第一持续时间，其施加了第一束剂量，这导致从该内部位置上除去不超过5个内部原子以在该内部位置处产生具有多个边缘原子的纳米孔成核位置。然后通过将选自电子束、离子束和中性原子束的第二能量束引导到该纳米孔成核位置来在该纳米孔成核位置上形成纳米孔，该第二能量束具有除去该纳米孔成核位置上的边缘原子但是不从该纳米材料中除去体原子的束能量。