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公开(公告)号：CN117991526A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405699.3
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导臂、设置于第一波导臂两侧的第一行波电极对、第二波导臂以及设置于第二波导臂两侧的第二行波电极对；第一行波电极对，用于接收信号发生器产生的正极性差分信号，并生成第一电场，以使第一波导臂根据第一电场进行调制；第二行波电极对，用于接收信号发生器产生的负极性差分信号，并生成第二电场，以使第二波导臂根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。相比于现有的仅采用一路电信号进行调制，本发明采用正极性差分信号以及负极性差分信号分别进行调制，提升了传输性能。
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公开(公告)号：CN117766606A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311703868.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本申请公开了一种光电探测器及其制备方法及光电通信装置，所述光电探测器包括衬底以及光电转换部，所述衬底具有处在第一方向上的两侧，所述光电转换部设于所述衬底的一侧，所述光电转换部包括本征体，所述本征体具有处在第二方向上的中间区域和位于中间区域两侧的两侧部，所述本征体的两侧部对应嵌设有N型掺杂的离子和P型掺杂的离子，以对应形成N型半导体层和P型半导体层；其中，所述第一方向与所述第二方向相交设置。使得N型掺杂和P型掺杂均在本征层发生，避免了用于欧姆接触的多晶硅的淀积，同时L型的掺杂能够确保本征层内部电场的均匀性，从而确保器件拥有较高的带宽。
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公开(公告)号：CN117639926A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311626410.2
申请日：2023-11-30
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H04B10/079 , H04B10/556 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02B6/28
Abstract: 本发明涉及光信息处理技术领域，公开一种高维相互无偏基测量系统及方法，该系统包括：至少两个相位调制模块和多光束干涉模块；其中，至少两个相位调制模块分别与多光束干涉模块连接，相位调制模块的数量与系统的系统维度相同；相位调制模块对入射光束进行相位调制，获得调制光束；多光束干涉模块基于多模干涉和自映像原理，对接收到的各调制光束进行干涉，获得标准傅里叶变换矩阵；标准傅里叶变换矩阵用于实现相互无偏基测量。本发明通过相位调制器和多光束干涉模块获得入射光束的标准傅里叶变换矩阵，为相互无偏基测量提供了基础，大幅降低了相互无偏基测量所需的元器件，使得用于进行光学编码的空间路径编码系统可以更大规模的扩展。
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公开(公告)号：CN117348166A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311353731.X
申请日：2023-10-18
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开一种波长选择开关及可重构光分插复用器，所述波长选择开关包括光纤阵列、光纤准直器阵列、偏振控制单元、光束整形系统、透射光栅、切换聚焦单元、消色差处理单元、控制引擎、以及多个压电晶体结构，多个所述压电晶体结构与所述光纤阵列的多根光纤一一对应设置，多个所述压电晶体结构具有在所述光纤的延伸方向上的两端，所述压电晶体结构的一端固定，各所述压电晶体结构的另一端与对应的所述光纤连接，各所述压电晶体结构的另一端在所述波长选择开关的高度方向上产生微小位移以带动对应的所述光纤偏转。本技术方案，在实现多进多出的波长选择开关功能的同时，光路精简、可靠性高。
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公开(公告)号：CN119050796A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411101660.9
申请日：2024-08-12
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01S3/1106 , H01S3/02
Abstract: 本发明公开了一种掩膜板和多模锁模激光器，涉及激光技术领域，其中，掩膜板设有至少两种形状相异的单元模块，以使经过单元模块的光脉冲具有不同色散值；每种单元模块至少设有两个，每种单元模块的其中至少部分和其余部分的尺寸相异设置，以具有不同非线性值；本发明的技术方案，能够提供一种可实现时域与空域同时锁定的掩膜板，降低锁模激光器的系统复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118778324A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411251849.6
申请日：2024-09-09
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本申请公开了一种宽带差分驱动电光调制器芯片，涉及光通信技术领域，公开的宽带差分驱动电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导、下臂波导以及电光频域均衡器；电极结构中存在由多路差分信号形成的差分电场；上臂波导和下臂波导分别处于方向相反的差分电场中；在电光频域均衡器中，上臂波导和下臂波导所处的差分电场方向反转。本申请在宽带差分驱动电光调制器芯片中采用多路差分信号形成差分电场，并将上臂波导和下臂波导设于差分电场中，实现了将差分信号调制到光信号中，能够有效避免调制过程受到外部电场的影响，提升了器件抗干扰能力，进而提升了光通信系统的传输性能。
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公开(公告)号：CN117991524B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410405696.X
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导、设置在第一波导两侧的第一差分电极对、第二波导和设置在第二波导两侧的第二差分电极对；第一差分电极对和第二差分电极对均与信号发生器连接；第一差分电极对响应信号发生器产生的一对差分信号生成第一电场，以使第一波导根据第一电场进行调制；第二差分电极对响应信号发生器产生的一对差分信号生成第二电场，以使第一波导根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。本发明通过采用上下对称的电极结构接入一对差分信号分别对两个光波导进行调制，降低电光调制的驱动电压，大幅降低了器件功耗。
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公开(公告)号：CN117991526B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410405699.3
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，该双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：第一波导臂、设置于第一波导臂两侧的第一行波电极对、第二波导臂以及设置于第二波导臂两侧的第二行波电极对；第一行波电极对，用于接收信号发生器产生的正极性差分信号，并生成第一电场，以使第一波导臂根据第一电场进行调制；第二行波电极对，用于接收信号发生器产生的负极性差分信号，并生成第二电场，以使第二波导臂根据第二电场进行调制；第一电场的方向与第二电场的方向相反。相比于现有的仅采用一路电信号进行调制，本发明采用正极性差分信号以及负极性差分信号分别进行调制，提升了传输性能。
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公开(公告)号：CN118151417A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410461558.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于透明导电氧化物的电光调制器及其制备方法及应用，属于光通信技术领域。所述电光调制器包括透明导电氧化物层，所述透明导电氧化物层由沉积、注入氢原子或氢离子和退火的步骤制备得到，所述退火包括热退火、等离子体退火、激光退火中的至少一种。本发明提供的基于透明导电氧化物的电光调制器提升了透明导电氧化物材料的迁移率，进而降低了光损耗、减小了电光调制器的能耗。
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公开(公告)号：CN118068484A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410322258.7
申请日：2024-03-20
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明提出一种多模干涉耦合器及其制备方法，其中，多模干涉耦合器包括高折射率薄膜结构和低折射率结构，高折射率薄膜结构用于传输光场；低折射率结构设于高折射率薄膜结构的表面，用于使光场局限于高折射率薄膜结构内。本申请的技术方案，能够提供一种宽频谱响应的多模干涉耦合器。
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