公开(公告)号：CN118068484A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410322258.7

申请日：2024-03-20

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 张晨 ,  聂骁敏 ,  林炜熙 ,  陈震旻 ,  王磊 ,  刘政通

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明提出一种多模干涉耦合器及其制备方法，其中，多模干涉耦合器包括高折射率薄膜结构和低折射率结构，高折射率薄膜结构用于传输光场；低折射率结构设于高折射率薄膜结构的表面，用于使光场局限于高折射率薄膜结构内。本申请的技术方案，能够提供一种宽频谱响应的多模干涉耦合器。

公开(公告)号：CN116682880A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310756033.8

申请日：2023-06-25

Applicant: 鹏城实验室

Inventor： 张晨 ,  林炜熙 ,  岳夫永 ,  王磊 ,  刘政通 ,  陈震旻 ,  贺志学

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明公开了一种面入射型硅基锗光电探测器及其制备方法，该硅基锗光电探测器包括：下台面；位于下台面上表面的上台面，上台面包括由预设数目的结构单元周期性排列构成的超构结构；超构结构包括第一n型掺杂锗层和第一本征锗层；第一本征锗层设置在下台面的上表面；第一n型掺杂锗层设置在第一本征锗层的上表面。本发明基于超构结构增强整体器件光与物质间的相互作用，增加了器件在特定波段的光电转化效率，并缩减了载流子的渡越时间，提高了整体器件的响应度，实现面入射型光电探测器响应度和带宽之间的平衡。