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公开(公告)号：CN1467757A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03136282.6
申请日：2003-05-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明涉及一种在基板上形成电阻器及电极的电阻元件，该电阻器由电阻率不同的多个电阻层组成，并进而提供一种电阻率大的电阻层形成在上层侧的电阻元件及其制造方法。此外，本发明还涉及在基板上形成有机膜，在有机膜上形成电阻器及电极的电阻元件，并进而提供一种抗氧化层介于在该有机膜和电阻器之间，同时电阻率大的电阻层形成在上层侧的电阻元件及其制造方法。这样，能够抑制在制造工序中产生的电阻值变动。
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公开(公告)号：CN100416814C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610075332.1
申请日：2006-04-12
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/32
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/563 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H05K1/111 , H05K3/108 , H05K3/3436 , H05K3/388 , H05K2201/09663 , H05K2201/0969 , H05K2201/098 , H05K2201/10977 , H05K2203/0594 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明的目的在于提供一种没有凸块和连接盘部之间的剥离、生产率优良的半导体器件的安装结构及其所使用的安装基板的制造方法。本发明的半导体器件的安装结构，包括：安装基板(1)，具有设置了布线图案(3)和连接盘部(4)的绝缘基板(2)；半导体器件(5)，在连接盘部介由凸块(7)安装在安装基板上；和底层填料(8)，夹设在半导体器件和绝缘基板之间，由于在凸块位于的连接盘部的端面(4a)上，设置有从绝缘基板侧朝向连接盘部的上面呈倒圆椎状的底切部(4c)，并使凸块侵入底切部，所以凸块与连接盘部的结合得以加固，从而可以获得在底层填料(8)膨胀、收缩之际，没有凸块和连接盘部之间的剥离的部件。
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公开(公告)号：CN100414699C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200610084807.3
申请日：2006-05-19
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Inventor： 村田真司
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/248 , H01L2224/73204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K1/092 , H05K1/111 , H05K2201/0391 , Y10T428/12028 , Y10T428/12868 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明的目的是，在布线基板中适当抑制在布线部内或在布线部和基板之间产生的扩散。在本发明的布线基板中，在Au布线部(15)和Ag布线部(17)之间，设置熔点比Au及Ag高的第1高熔点金属部(18)。由于第1高熔点金属部(18)的熔点高，所以扩散系数低，也就是不易扩散的材料。此外还具有作为适当抑制Ag从所述Ag布线部(17)扩散的阻挡材料的功能。如此通过在Au布线部(15)和Ag布线部(17)之间设置第1高熔点金属部(18)，与以往Ag布线部和Au布线部相接形成的方式相比，能够有效地抑制Ag的扩散。
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公开(公告)号：CN1848419A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610075332.1
申请日：2006-04-12
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/32
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/563 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/1601 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H05K1/111 , H05K3/108 , H05K3/3436 , H05K3/388 , H05K2201/09663 , H05K2201/0969 , H05K2201/098 , H05K2201/10977 , H05K2203/0594 , Y02P70/611 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明的目的在于提供一种没有凸块和连接盘部之间的剥离、生产率优良的半导体器件的安装结构及其所使用的安装基板的制造方法。本发明的半导体器件的安装结构，包括：安装基板(1)，具有设置了布线图案(3)和连接盘部(4)的绝缘基板(2)；半导体器件(5)，在连接盘部介由凸块(7)安装在安装基板上；和底层填料(8)，夹设在半导体器件和绝缘基板之间，由于在凸块位于的连接盘部的端面(4a)上，设置有从绝缘基板侧朝向连接盘部的上面呈倒圆椎状的底切部(4c)，并使凸块侵入底切部，所以凸块与连接盘部的结合得以加固，从而可以获得在底层填料(8)膨胀、收缩之际，没有凸块和连接盘部之间的剥离的部件。
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公开(公告)号：CN1715850A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081076.2
申请日：2005-06-29
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够正确检测压力变化的静电电容式压力传感器用的玻璃衬底。玻璃衬底(11)具有相互对置的一对主面(11a、11b)。在玻璃衬底(11)中埋设由硅构成的岛状体(12a、12b)。岛状体(12a、12b)分别在玻璃衬底(11)的两个主面上露出。在玻璃衬底(11)的主面(11a)上，与岛状体(12a)的一方的露出部分电连接地形成了电极(13a)，与岛状体(12b)的一方的露出部分电连接地形成了电极(13b)。在玻璃衬底(11)的主面(11b)上，与岛状体(12a)的另一方的露出部分电连接地形成着电极(14)。在玻璃衬底(11)的主面(11b)上接合具有压敏膜片(15a)的硅衬底(15)。
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