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公开(公告)号：CN101572387A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910066798.9
申请日：2009-04-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延生长。采用波导层与有源层中插入应变量子势垒作为增大量子阱和起始垒层生长界面的物理距离和电子反射层，并且降低有源区与波导区异质结界面氧的积累的方法，在外延生长中利用多种有效方法和特殊的波导结构设计，提高导带边势能，增强防载流子泄露的能力，限制阈值电流密度，改善温度特性和激光器的量子效率。
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公开(公告)号：CN101533770A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910066813.X
申请日：2009-04-14
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/203 , H01L21/302 , H01L33/00 , C23C14/22 , C23C14/02
Abstract: 单光子在理想情况下是由单个量子点发光实现的，因此能够有效隔离单个量子点就变得相当重要。当前，用来制作实现量子点单光子发射器件的InAs/GaAs量子点主要是通过自组织生长方法获得，它们在生长表面上随机分布并且点密度很高，每平方微米上就有几个到几百个量子点，因此有效地隔离单个量子点相当困难。而且，这些量子点在生长表面分布的随机性，可靠地控制其在光学微腔中的位置也变得相当不易。本发明采用与应变工程原理图形衬底相结合的手段制备低密度InAs量子点。所谓的应变工程原理：在生长多层量子点的过程中，由于底层量子点存在而产生的应力场作用，多层量子点中的上层点趋向于和底层量子点在垂直方向上保持生长在同一位置而形成垂直匹配。另外仅用十几个纳米厚的薄层GaAs缓冲层就可以十分有效地提高图形衬底上生长量子点的光学质量。本发明是一种采用应变工程原理和图形衬底结合技术定位生长低密度InAs量子点的MBE外延方法。克服了自组织生长方法生长量子点的随机性，可靠地控制其位置和密度。这种基于单光子发射源的需要而设计提出来的方法将为制备量子点单光子发射源在材料制备方法上提供一种参考手段。
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公开(公告)号：CN101425548A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810051600.5
申请日：2008-12-16
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种InAs量子点材料的制备方法，和一种由该量子点材料制成的多能带太阳能电池中间能级结构。该结构具有不同尺寸的多层量子点材料，其大致均匀地分布于三维空间。本发明采用MOCVD外延技术生长各外延层，通过改变各外延层的生长参数，调节所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、成分和面密度，确定量子点材料的带隙。该方法易于控制，工艺稳定。
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公开(公告)号：CN1299408C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410074308.7
申请日：2004-09-09
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置属于半导体激光器器件可靠性参数测试技术领域。相关的现有技术存在温度梯度大、加热惯性大等弊端，使得所确认的被测器件温度与实际温度相差较大；又由于光电探测器件在保温箱内一同被加热，从而使其处在非正常工作条件下，探测结果受到影响。本发明之装置采用液态导热媒质通过对流传递热量，在加热棒和被测器件之间安放控温传感器控温，在被测器件附近安放精密温度探测器测温，将光电探测器件安装在保温箱外部。通过这些措施可以克服现有技术的不足。本发明可应用于包括特征温度在内的半导体激光器各种参数的测试。
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公开(公告)号：CN106300010A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510280995.6
申请日：2015-05-28
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种提高半导体激光器可靠性方法，包括：半导体激光器解理条1，厚度为2.5纳米钆2，厚度为20纳米的钆镓榴石3。将解理好的半导体激光器解理条1整齐的堆叠在镀膜夹具上，放入镀膜机里，抽取真空。当真空度达到高真空时，开始镀膜，首先镀厚度为2.5纳米钆2，再镀厚度为20纳米的钆镓榴石3，这种方法膜能有效地降低半导体激光器腔面损伤，提高半导体激光器的可靠性。本发明能有效地提高半导体激光器的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485275A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410835183.9
申请日：2014-12-30
Applicant: 长春理工大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0062 , H01L33/10 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明提出了一种用于定位量子点外延生长的“倒三棱锥”衬底制备方法，采用电子束光刻(EBL)并结合湿法/干法刻蚀技术在GaAs晶片上制备所需图形。在这种“倒三棱锥”图形衬底上可制备出高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层。同时，采用这种方法可以实现高质量超低密度、位置可控量子点的生长，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。
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公开(公告)号：CN102013629B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010537331.0
申请日：2010-11-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。
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公开(公告)号：CN102946051A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210380805.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型InGaAsP材料；一下波导层，在下限制层上，为N型InGaAsP材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。
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公开(公告)号：CN102354662A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110227630.9
申请日：2011-08-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B24B29/00 , B08B3/02 , H01S5/00
Abstract: 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种半导体激光器P面清洗和N面抛光方法，包括真空泵，抽气管，高速旋转真空载台，防护罩，承片盘，转速显示，电源开关，低速运转时间，低速调节钮，高速调节钮，高速运转时间，启动键，吸片键，超声雾化器，波纹管，定时旋钮，电源键，雾量调节钮；通过真空泵抽真空，将芯片吸附在承片盘上，运转高速旋转真空载台使芯片旋转，再用超声雾化器使清洗(抛光)液雾化，将雾化的小雾滴喷射到旋转的芯片上，从而使芯片清洗(抛光)均匀，达到更好的清洗(抛光)效果，提高了半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光质量。本发明结构简单、制作成本低，适用于各种半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光等。
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公开(公告)号：CN101572387B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910066798.9
申请日：2009-04-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 大功率808nm半导体激光器被广泛应用于抽运Nd:YAG固体激光器、激光加工和激光医疗等领域。这是因为半导体激光器具有高效、结构紧凑、调制方便等优点。但是同时，人们一直关注半导体激光器的效率和温度特性等问题。本发明是关于一种采用(In)GaAs/GaAs应变隔离层的808nm激光器材料的设计和外延生长。采用波导层与有源层中插入应变量子势垒作为增大量子阱和起始垒层生长界面的物理距离和电子反射层，并且降低有源区与波导区异质结界面氧的积累的方法，在外延生长中利用多种有效方法和特殊的波导结构设计，提高导带边势能，增强防载流子泄露的能力，限制阈值电流密度，改善温度特性和激光器的量子效率。
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