-
公开(公告)号：CN101813628B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010141645.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 集成紫外生物芯片传感器，涉及生物战剂传感器的设计制作领域。该领域中传统LIF探测系统的光源都是采用脉冲的可见或红外光倍频产生紫外光。其价格高、效率低，体积大且易碎，不利于实时探测和野外环境使用。其次，脉冲紫外光占空比不高，对生物悬浮颗粒的探测灵敏度较低，且传统的连续紫外灯的光强不足以激发生物悬浮颗粒发出荧光。这些问题都对探测器统的应用造成极大的障碍。该发明中，采用多波长紫外LED作为激发光源，克服了传统光源的缺陷。且将多波长紫外LED、Si-PIN探测器、紫外光滤波片集成在同一衬底上，使传感器具有探测和识别多种生物战剂的能力，在提高探测效率，降低探测误警率的同时，满足了野外环境对探测器轻便坚固、快速响应、高灵敏的使用要求。
-
公开(公告)号：CN102013632A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010537319.X
申请日：2010-11-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明一种带有光子晶体结构的线阵式半导体激光器，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用二维光子晶体材料的特定结构对特定光场的选模特性及特定方向的光隔离等特点，用二维光子晶体结构代替传统线阵式半导体激光器光隔离结构，增加了线阵式半导体激光器的发光面积，提高了器件输出功率，提高了器件水平方向输出的光束质量和发光效率，降低了器件的串联电阻，改善了器件的热稳定性和输出特性。该技术方案适用于各种波长的线阵式大功率半导体激光器的制造。
-
公开(公告)号：CN101813628A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010141645.9
申请日：2010-04-08
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 集成紫外生物芯片传感器，涉及生物战剂传感器的设计制作领域。该领域中传统LIF探测系统的光源都是采用脉冲的可见或红外光倍频产生紫外光。其价格高、效率低，体积大且易碎，不利于实时探测和野外环境使用。其次，脉冲紫外光占空比不高，对生物悬浮颗粒的探测灵敏度较低，且传统的连续紫外灯的光强不足以激发生物悬浮颗粒发出荧光。这些问题都对探测器统的应用造成极大的障碍。该发明中，采用多波长紫外LED作为激发光源，克服了传统光源的缺陷。且将多波长紫外LED、Si-PIN探测器、紫外光滤波片集成在同一衬底上，使传感器具有探测和识别多种生物战剂的能力，在提高探测效率，降低探测误警率的同时，满足了野外环境对探测器轻便坚固、快速响应、高灵敏的使用要求。
-
公开(公告)号：CN101710670A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910066954.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 普通宽条808nm半导体激光器，输出功率很高，达到瓦级以上，但是通常为多模激光器且光束质量较差，缩小条宽可提高光束质量等，但是相应的，要以牺牲激光器的输出功率为代价。因此，带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器，便可以有效的解决这一矛盾，即保证了光束质量和输出功率。本发明的目的在于设计出一种新型结构的半导体激光器，使808nm半导体激光器在保持高功率的工作条件下，仍具有较好的光束质量与激光输出模式，为以808nm半导体激光器为泵浦源的固体激光器、材料加工等应用提供更高质量的光源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102013629B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010537331.0
申请日：2010-11-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。
-
公开(公告)号：CN102354662A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110227630.9
申请日：2011-08-10
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L21/304 , H01L21/00 , B24B29/00 , B08B3/02 , H01S5/00
Abstract: 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种半导体激光器P面清洗和N面抛光方法，包括真空泵，抽气管，高速旋转真空载台，防护罩，承片盘，转速显示，电源开关，低速运转时间，低速调节钮，高速调节钮，高速运转时间，启动键，吸片键，超声雾化器，波纹管，定时旋钮，电源键，雾量调节钮；通过真空泵抽真空，将芯片吸附在承片盘上，运转高速旋转真空载台使芯片旋转，再用超声雾化器使清洗(抛光)液雾化，将雾化的小雾滴喷射到旋转的芯片上，从而使芯片清洗(抛光)均匀，达到更好的清洗(抛光)效果，提高了半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光质量。本发明结构简单、制作成本低，适用于各种半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光等。
-
公开(公告)号：CN101841125A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010125015.2
申请日：2010-03-16
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 半导体激光器作为空间激光通信系统的核心器件，不仅要具有高的电光转换效率，还应有良好的抗辐射性能。因为空间激光通信系统的半导体激光器在空间运行时不可避免地会受到空间环境中质子、中子、γ射线、电子等带电粒子的辐射，导致其性能退化，影响空间激光通信系统的可靠运行和使用寿命。本发明采取合理设置外延层的掺杂浓度与厚度，半导体激光器端面镀膜，复合绝缘介质层，对衬底材料进行辐照老化，阈值电流补偿，增加偏置电流加速退火，增加温度加速退火，在管壳上涂敷抗辐射涂层，pn结隔离技术，真空封装等方法，提高半导体激光器的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN101840980A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010141639.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L33/04
Abstract: 量子密码通信是近年来发展起来的一种绝对安全的密钥分发技术，目前阻碍量子密码通信走向实用的主要问题是缺少高效的信息载体——单光子源。本发明是一种新的长波长InN量子点单光子源，在蓝宝石衬底生长InN量子点，发射波长可达到1.55μm。利用MBE生长低密度的InN量子点以满足单光子发射的需要。在制作单光子源工艺时，创造性地引入氮化物阳极氧化工艺形成自对准电流隔离区，发展出一种工艺简单的单光子源，实现高效率的单光子输出。高质量的InN量子点单光子源是量子保密通信的理想光源，能够满足未来量子密码通信的要求。因此，该发明具有十分重要的现实意义。
-
公开(公告)号：CN102013629A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010537331.0
申请日：2010-11-10
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q值特性，相互耦合后光束Q值特性进一步提高，器件只需在前腔面镀腔面膜，后腔面不需要镀膜或只需镀层增透膜。该结构器件结构、制备工艺简单，成本低，能提高激光器的Q值，提高了器件效率，大幅改善器件输出光束质量。该技术方案适用于各种波长的、集成的环形半导体激光器。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
