公开(公告)号：CN113630117A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110949497.1

申请日：2021-08-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  张涛洪 ,  赵汝法 ,  张珊 ,  稅绍林

IPC: H03L7/085

Abstract: 本发明请求保护一种基于有限状态机的数字鉴相器，包括第一同步电路、第二同步电路、状态机、加减计数器和保存电路，所述第一同步电路、所述第二同步电路和所述保存电路连接到所述状态机的输入端，所述加减计数器和所述保存电路连接所述状态机的输出端，所述加减计数器连接所述保存电路。本发明先通过第一同步电路和第二同步电路实现对所述第一同步电路输入的输入信号和所述第二同步电路输入的反馈信号进行信号的同步处理，避免亚稳态情况对鉴相器输出结果的影响；然后，在状态机的控制下，根据不同的输入情况进行相应的加或减计数处理；最后，通过保存电路完成数据的保存以及输出。通过以上操作，可以有效的缩短鉴相器的输出时间，减小功耗。

公开(公告)号：CN115913201B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202211428170.0

申请日：2022-11-15

Applicant: 重庆邮电大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 赵汝法 ,  戴佳洪 ,  稅绍林 ,  尹国和 ,  王巍 ,  王冠宇 ,  王育新 ,  王妍 ,  刘建伟 ,  梁宏玉

IPC: H03K17/687 ,  H03M1/06 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明请求保护一种基于三路径的高线性度栅压自举开关，属于模拟集成电路设计技术领域。为了防止PMOS管源极—衬底正向偏置，将其衬底端和源极相连，但是会增加N阱寄生电容Cnwell对电路采样造成影响。利用第一电容C1与PMOS管M10和第二电容C2和PMOS管M11分别组合成两条主路径，第三电容C3和PMOS管M12组合成辅助路径。PMOS管M10的衬底和PMOS管M7的衬底以及PMOS管M11的衬底和PMOS管M6的衬底都与PMOS管M12的衬底相连，输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端的时候不仅可以加快栅端电压的建立，还能省去Cnwell加载这一环节，而用剩下的辅助路径去驱动Cnwell，从而提高电路整体信号的线性度。

公开(公告)号：CN115378231B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202210961176.8

申请日：2022-08-09

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  李明波 ,  赵汝法 ,  马力 ,  罗宸彬 ,  稅绍林 ,  刘斌政 ,  张涛洪 ,  袁军

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/156 ,  H02M1/00

Abstract: 本发明请求保护一种基于零电流检测的DC‑DC变换器调制模式切换电路，属于集成电路技术领域。包括CCM/DCM判断电路、PWM/PFM选择电路和功率管开关。其中CCM/DCM判断电路用于判断DC‑DC变换器工作模式，判断DC‑DC变换器是工作在DCM模式还是CCM模式。PWM/PFM调制电路用于产生PWM调制信号和PFM调制信号，分别用于DC‑DC的CCM工作模式和DCM工作模式。功率开关管有一组大尺寸功率开关管MH1和ML1，一组小尺寸功率开关管MH和ML，小尺寸功率开关主要用在DCM模式来减小开关损耗。PWM/PFM选择电路根据CCM/DCM判断电路产生的判断信号VCTL来进行PWM调制模式和PFM调制模式的选择，并且对功率开关管尺寸进行选择。

公开(公告)号：CN115656824A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211069491.6

申请日：2022-09-02

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  丁辉 ,  赵汝法 ,  夏旭 ,  刘斌政 ,  稅绍林 ,  张涛洪 ,  袁军

IPC: G01R31/36

Abstract: 本发明请求保护一种基于CNN‑LSTM模型的锂电池核电状态预测方法。该方法主要数据集准备、模型训练以及模型测试三个阶段组成。数据集准备阶段选取适用于该研究的数据集，对该数据集进行分析、预处理和分割；模型训练阶段探索并确定采用CNN‑LSTM模型，对模型训练结果进行误差分析、层级和超参数优化后保存最优模型；模型测试阶段验证模型是否能有效预测锂电池核电状态。本发明利用电池电流、电压、温度三个参数对电池核电状态进行预测；预测模型主要由1D‑CNN和LSTM构成，它们分别用于提取电池数据中的空间和时间特征，最后通过全连接层整合运算得预测值。本发明克服传统锂电池核电状态预测方法误差大、过度依赖电池模型的问题，具备高预测精度、收敛速度快等优点。

公开(公告)号：CN115118282A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210879031.3

申请日：2022-07-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  稅绍林 ,  罗宸彬 ,  赵汝法 ,  刘斌政 ,  张涛洪

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明请求保护一种基于双曲正切函数的流水线ADC变步长LMS校准系统，包括待校准ADC，降频器，低速高精度ADC，LMS自适应滤波器和减法器。在传统LMS算法的基础上，引入双曲正切函数tanhx，通过建立步长与误差的非线性关系，u(n)＝αu(n‑1)+β2tanh(e(n‑1))，根据误差信号大小实时更新步长；同时在抽头权系数更新时增加一个与误差有关的扰动因子r(n)，抵消部分过大的迭代增量，减小抽头权系数的振荡幅度。待校准ADC的输出端与变步长LMS自适应滤波器的输入端相连，输出通过降频器降频后与减法器的一个输入端相连，减法器的另一个输入与低速高精度ADC的输出端相连接，输出端与滤波器的控制端相连，使得待校准的流水线ADC的输出逐渐逼近低速高精度ADC的输出。具有校准精度高，收敛速度快等优点。

公开(公告)号：CN114978101A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210571685.X

申请日：2022-05-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  滕洪菠 ,  王方 ,  张迎 ,  袁军 ,  夏旭 ,  丁辉 ,  稅绍林 ,  张涛洪

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明请求保护一种温度补偿型声表面波滤波器，其包括滤波器压电基底、金属电极、SiO2温度补偿层和ZnO温度补偿层；其中金属电极位于压电基底上，SiO2温度补偿层位于压电基底上且不与金属电极重合的部分，ZnO温度补偿层位于SiO2温度补偿层上。本发明在0.2λ(λ为叉指周期)厚度的SiO2薄膜上覆盖ZnO薄膜，通过增加ZnO薄膜厚度，改善器件温度稳定性；当ZnO薄膜厚度为0.2λ时，即总膜厚为0.4λ时，频率温度系数(TCF)为‑9.94ppm/℃。在频率温度系数≤‑10ppm/℃的情况下，本发明相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器，总膜厚减少了27％，器件性能也得到改善。