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公开(公告)号：CN113611738B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110914932.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的AlxGa1‑xN渐变层，以减少器件导通压降，提高器件输出电流。
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公开(公告)号：CN116364823A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310380548.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及GaN基光电器件领域，具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件，包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源；所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑GaN层和纳米多孔GaN由下到上依次设置在Si衬底上；所述偶极子源设置在量子阱InGaN层内；所述纳米多孔GaN含有周期性纳米多孔结构阵列。本发明的器件工作在TE模的偶极子源下，由于GaN纳米多孔结构阵列，可打破界面全反射，促进光子从逃逸锥中辐射出来，更易激发载流子的自发辐射效应，达到提高Purcell因子和光提取效率的目的。
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公开(公告)号：CN113540224B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110812047.8
申请日：2021-07-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ和发射极金属接触区Ⅱ。本发明基于N+型GaN衬底材料上，从上至下采用P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，综合提升导通电阻、关断时间等器件电学特性。
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公开(公告)号：CN114927576A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210547499.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN119414525A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411644152.5
申请日：2024-11-18
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种超高品质因子微环谐振器耦合结构，属于光电子集成技术领域。该微环谐振器耦合结构包括从下至上依次层叠的硅衬底、第一二氧化硅包层、微环、第二二氧化硅包层、直波导和第三二氧化硅包层。该耦合结构中光传输时在微环的上表面和直波导的下表面发生耦合，生长和化学机械抛光将最大程度降低表面的粗糙度，克服了传统同一平面耦合方案中光传输时在微环与直波导的双侧壁耦合，降低了受到刻蚀造成的较大粗糙度带来的额外损耗和反射。本发明可精准控制耦合间距，降低耦合结构的额外损耗和反射，有效提升微环谐振器的品质因子，为高精细滤波和高精度传感光子集成芯片提供关键解决方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115276864B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210621336.4
申请日：2022-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于LoRa技术的DMB终端状态信息接收系统，属于无线信号技术领域。针对DMB广播系统只能单向完成数据信息的传输，无法反馈运行错误或播报信息错误的问题，提出一种基于LoRa的数字多媒体广播(Digital Multimedia Broadcasting)状态检测系统和一种基于轮询的LoRa自组网方式。其中，在节点终端和网关设备增加了LoRa射频模块，可以将DMB终端运行的信息传输至中控端，实现终端在无法正常工作时能及时反馈到后台，为DMB应用提供技术支持。
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公开(公告)号：CN119753778A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510171379.0
申请日：2025-02-17
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有碳纳米管复合镀层的金刚石线锯及制备方法，包括基体材料和沉积在基体材料外表面的复合镀层；所述复合镀层内部均匀分布有碳纳米管，其表面嵌设有金刚石磨粒。本发明解决了现有线锯金刚石磨粒易脱落、镀层易磨损以及寿命短的问题，通过向电镀液中添加碳纳米管，形成复合镀层，可以显著提高复合镀层的机械性能，使得线锯在高负荷下仍能保持良好的切割性能；同时提高了复合镀层的耐磨性、强度、导热性及结合力。另外金刚石磨粒嵌设在复合镀层，复合镀层中的碳纳米管可以增强金刚石磨粒与基材之间的结合力，减少颗粒的脱落，延长线锯的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119480744A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411654703.6
申请日：2024-11-19
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L21/68 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/324 , B08B5/02 , B08B7/00 , B08B3/12 , B08B13/00
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体公开了一种减薄晶圆的加工辅助装置，包括基体和至少一个限位片，所述限位片与所述基体的端部连接，所述限位片上开设有安装孔，所述安装孔用于安装放置晶圆，所述晶圆与所述基体的一端可拆卸连接，所述限位片与所述基体端部的高度差小于待加工的晶圆与所述基体端部的高度差。本发明能够保证晶圆减薄质量的同时减少晶圆碎片或弯曲的现象。
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公开(公告)号：CN119364930A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411501927.3
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种抗辐照的光子芯片复合膜层结构，属于光电子集成技术领域。该结构从下自上包括硅衬底、二氧化硅包层一、铝薄膜一、二氧化硅层二、硅条波导\光栅\硅脊型波导\调制器\锗硅探测器、二氧化硅包层三、铝薄膜二、二氧化硅层四、氮化硅层。本发明围绕典型的硅基光电子芯片设计了铝薄膜、二氧化硅和氮化硅多层构成的复合膜层，可以有效隔绝宇宙环境中的带电粒子、不带电子粒子和光子，主要是α粒子、重离子、中子、X射线和γ射线等因子的作用，有效保护硅基光电子芯片内的无源和有源器件，包括波导、光栅、调制器、探测器等器件，解决硅基光电子芯片在宇宙环境下受到辐照影响性能退化的问题。
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公开(公告)号：CN119200294A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411501928.8
申请日：2024-10-25
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明涉及一种混合集成光子模数转换芯片，属于集成电路技术领域。该芯片从左自右分为光子前端和电子后端两个部分，其中光子前端由光钟产生与电光采样两个功能单元构成，电子后端由多通道高精度电ADC组成。本发明通过三五族有源DFB激光器和氮化硅高品质因子微环混合集成实现光学频率梳的产生，构成光子前端中的光钟功能，基于绝缘体上硅和锗异质集成平台实现电光调制器、高速光开关、延迟线与光电探测器的集成，构成光子前端中的电光采样功能。该设计可有效突破电子ADC受限于带宽和时间抖动的瓶颈，提高了模数转换的精度和速度。通过结合集成光子器件超大带宽、高集成度的优势，本发明能有效提升模数转换芯片的速度和精度。
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