公开(公告)号：CN114927576A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210547499.2

申请日：2022-05-18

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  周科宏 ,  王东升 ,  杨稳 ,  王琦 ,  张红升

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。

公开(公告)号：CN113270492A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110522444.1

申请日：2021-05-13

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  王礼祥 ,  秦海峰 ,  许峰 ,  陈伟中 ,  周科宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。该晶体管结构特点：发射极金属接触区、N+集电极、绝缘介质层、栅极金属接触区、P+集电极、P‑沟道区、N‑漂移区、P+衬底和集电极金属接触区。本发明的沟槽型GaN IGBT在保证正向导通特性不变的前提下，充分发挥宽禁带半导体GaN材料在耐压方面的优势。器件的击穿电压达到850V，相比于同尺寸MOS管，提高了13.33％，器件的关断速度可达23ns。