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公开(公告)号：CN113328232B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110609440.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调太赫兹光电导天线及其制备方法，应用于太赫兹光谱系统，包括：半导体衬底层、介质层和图案层；图案层紧贴于介质层表面，介质层位于半导体衬底层表面；所述图案层包含电极结构，电极结构包括中心对称排布的4个天线电极；结合电极的对称结构以及对外延电极偏置电压的施加方法，最终实现45°倍增的各向异性线偏振可调太赫兹辐射，该结构可以实现8个方向的偏振可调；不仅减少了太赫兹时域光谱系统中偏振器的使用，还提高了被测物质太赫兹谱的信噪比。
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公开(公告)号：CN113328232A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110609440.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振可调太赫兹光电导天线及其制备方法，应用于太赫兹光谱系统，包括：半导体衬底层、介质层和图案层；图案层紧贴于介质层表面，介质层位于半导体衬底层表面；所述图案层包含电极结构，电极结构包括中心对称排布的4个天线电极；结合电极的对称结构以及对外延电极偏置电压的施加方法，最终实现45°倍增的各向异性线偏振可调太赫兹辐射，该结构可以实现8个方向的偏振可调；不仅减少了太赫兹时域光谱系统中偏振器的使用，还提高了被测物质太赫兹谱的信噪比。
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公开(公告)号：CN113138406A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110238125.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种具有基线保持功能的辐射探测器读出电路，包括电荷敏感放大器，滤波成形器，零极点消除电路，基线保持电路。其中，电荷敏感放大器输出来自于辐射探测器收集的电荷信号，电荷放大器的输出端连接零极点消除电路的输入端，零极点消除的输出端和基线保持电路的输入端连接滤波成形器的输入端，滤波成形器的输出端和基线保持的输出端都连接到输出。本发明包括的电荷敏感放大器用于将探测器收集到的电荷信号积分为指数下降的电压信号，零极点消除电路用于消除电路中产生的极点，滤波成形电路的作用是将零极点消除电路的脉冲信号整形为准高斯波形并滤除噪声，基线保持电路负责在高频事件输入时基线稳定不变。
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公开(公告)号：CN111855607B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202010807051.0
申请日：2020-08-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了太赫兹光谱系统、维生素D的检测方法、样品及制样方法，解决了现有的检测维生素D的方法为有损检测，对样品存在破坏，需要一种新的无损检测方法的问题，本发明包括采用太赫兹时域光谱系统对维生素D进行检测，所述维生素D的结构为高密度聚乙烯顶层‑维生素D层‑高密度聚乙烯底层的三明治结构，维生素D的三明治结构采用压片的方式进行。本发明具有无损检测维生素D，检测快速，准确等优点。
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公开(公告)号：CN112465134A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011351754.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于LIF(Leaky Integrate and Fire)模型的脉冲神经网络神经元电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括：膜电位积累电路、泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路及复位电路。本发明不仅实现了LIF神经元模型的积分泄露点火功能，还模拟了生物神经元的不应期特性，其中不应期可调。本发明基于CMOS工艺，电路结构简单，且电路中多采用亚阈值区MOS管，使神经元电路具有超低功耗特性；电路的输入电流为pA级，输出脉冲频率为Hz级，能很好模拟生物神经元的典型工作状态，有效地实现了神经元的功能，可用于实现大规模脉冲神经网络系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112422130B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011343341.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本发明请求保护一种基于全动态结构的低功耗Binary‑Search ADC系统，其包括自举采样电路、全动态带前置放大器的比较器阵列和解码器阵列，其中自举采样电路包括电荷泵电路、自举采样开关和采样电容；判决阵列包括每一级的动态前置放大器、动态比较器和后端解码器阵列。本发明的目的在于能够通过使电路中的主要模块全部改进为动态结构，当没有控制时序输入时电路不工作，且控制电路工作的大部分时序信号由电路结构本身产生，从而使功耗得到进一步降低。创新点在于相比较传统架构，本发明基于全动态结构对电路功耗的降低有着显著的效果。本发明的全动态结构不仅能降低电路功耗，而且动态放大器还减小了电路的失调电压影响，保证了精度。
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公开(公告)号：CN112465134B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011351754.3
申请日：2020-11-26
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于LIF(Leaky Integrate and Fire)模型的脉冲神经网络神经元电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括：膜电位积累电路、泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路及复位电路。本发明不仅实现了LIF神经元模型的积分泄露点火功能，还模拟了生物神经元的不应期特性，其中不应期可调。本发明基于CMOS工艺，电路结构简单，且电路中多采用亚阈值区MOS管，使神经元电路具有超低功耗特性；电路的输入电流为pA级，输出脉冲频率为Hz级，能很好模拟生物神经元的典型工作状态，有效地实现了神经元的功能，可用于实现大规模脉冲神经网络系统。
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公开(公告)号：CN114089630A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111340228.1
申请日：2021-11-12
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明请求保护一种基于STDP(Spiking‑Timing‑Dependent‑Plasticity)学习规则的低功耗非对称性可调突触电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括控制开关、信号变化电路以及权重更新电路等。控制开关接收来自神经元的脉冲信号后传递给信号变化电路，将脉冲信号转换成呈指数性变化的模拟信号，并在下一次脉冲信号到来时将变化后的信号传递给权重更新电路改变突触权重，其中突触权重电压存储在电容C3中。本突触电路整体呈上下对称的结构，上半部分结构用于实现STDP学习规则中突触权重增加的情况，下半部分结构用于实现突触权重减小的情况，上下两部分通过对电容C3进行充放电改变突触权重电压值，并通过调整偏置电压VAP、VAN和Vleakn、Vleakp改变突触权重学习窗口的形状，实现非对称性可调学习窗口。
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公开(公告)号：CN113340844A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110617486.3
申请日：2021-06-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3586 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06N20/10
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹光谱技术的保健品添加剂定量检测方法及系统，其中方法包括采集样品的太赫兹时域光谱数据；将采集到的太赫兹时域光谱数据转换为样品的太赫兹频域光谱数据；提取所述太赫兹频域光谱数据的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱；将训练集输入定量分析模型进行训练，所述训练集包括样品中添加剂的含量，以及对应的该样品的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱；将待测样品的吸收系数光谱、折射率光谱或消光系数光谱输入训练后的定量分析模型得到该添加剂含量的检测结果。本发明不会对原有样品进行损耗，操作过程简单，检测效率低，能够实现对保健品添加剂的定量检测。
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公开(公告)号：CN113110040A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110238291.8
申请日：2021-03-04
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明请求保护一种基于STDP学习规则的突触电路，属于集成电路设计领域。该电路主要包括控制开关、信号衰减电路以及权重更新电路等。本发明采用分压器结构作为权重更新电路，通过改变分压器输入电压信号来更改突触权重电压值，其中突触权重电压存储在电容C3中。本突触电路整体结构呈上下对称，上半部分结构用于实现STDP(Spike Timing Dependent Plasticity)脉冲时间依赖可塑性脉冲时间依赖可塑性学习规则中突触权重增加的情况，下半部分结构用于实现STDP学习规则中突触权重降低的情况，上下两部分通过对电容C3进行充放电改变电容C3上存储的电荷，从而改变突触权重电压值，从而实现一种基于STDP学习规则在线改变突触权重的突触电路。
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