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公开(公告)号：CN114792890B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210514147.7
申请日：2022-05-12
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带圆极化太赫兹天线，涉及天线技术领域，解决了FPC天线圆极化实现方式困难的问题，其技术方案要点是：包括由下至上层叠设置的标准波导层、阻抗匹配层和极化转换层；标准波导层具有馈入波导，阻抗匹配层具有与馈入波导相配合的过渡波导，极化转换层具有与过渡波导配合的转换波导，转换波导包括圆形柱穿孔和矩形柱穿孔，圆形柱穿孔与矩形柱穿孔中心重合，且矩形柱穿孔的横截面长边与极化转换层的水平边呈45°或135°角；入射的线极化波经馈入波导馈入，经过渡波导传输至转换波导，在转换波导内产生相位偏移，形成相位相差90°且幅度相同的两个正交线极化分量，从而形成圆极化波。
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公开(公告)号：CN115084862B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210642777.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种太赫兹超表面双功能极化转换器，其太赫兹极化转换器的基本组成单元是正方形周期单元，该正方形周期单元由金属图案层1、中间介质层2和金属反射层3构成，金属图案由经典各向异性“十”字结构分形处理构成。本发明提出的结构具有很强的实用性，与传统太赫兹极化转换器相比，结构更加简单，加工可行性得到提高，且能实现双功能的极化转换效果。本发明的太赫兹极化转换器在生物传感、太赫兹成像、太赫兹通信等领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116544636A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310359820.9
申请日：2023-04-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种基于太赫兹频率选择表面的三频带滤波器及其制造工艺，其包括：若干个正方型滤波器单元结构周期排列而成，每个正方型滤波器单元结构包括介质层、嵌套式“十”字环型金属图案层和“十”字金属层，所述嵌套式“十”字环型金属图案层位于介质层上面，“十”字金属层位于介质层上方，当TE极化或TM极化的太赫兹波沿‑z轴方向垂直入射到所述的太赫兹三频带滤波器表面上时，耦合而产生三个谐振点，“十”字结构根据等效电路理论对应的谐振频率趋于零，因此能够将频率接近零的频谱降为零，形成第一个频带。该发明相对于现存的太赫兹多频带滤波器可实现三个频带的均匀滤波，三个频带的3dB带宽差异小，而三个频带的10dB带宽差异更小。
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公开(公告)号：CN115145056A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210956858.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器，涉及太赫兹波谐振点调制器领域，包括：谐振结构，谐振结构包括双“T”型谐振结构以及双“E”型谐振结构，其中，双“T”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板上形成用于谐振的第一控制区域，双“E”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板形成用于谐振的第二控制区域；调制开关，调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数；其中，介质基板的表面附着有超材料结构层，介质基板、双“T”型谐振结构、双“E”型谐振结构以及调制开关均附着于超材料结构层。本发明可以同时产生两个谐振点，极大提高了太赫兹调制器多工作模式的丰富度，调制效果好。
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公开(公告)号：CN113917713A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111254811.0
申请日：2021-10-27
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹双通道调制器及制备方法，外延层生长在衬底上，调制阵列设置在所述外延层上；调制阵列由M*N个阵元结构组成，且每行阵元结构的第一栅极馈线与第一肖特基电极连接，每行阵元结构的第二栅极馈线与第二肖特基电极连接，M>2，N>2；每行阵元结构的第一源漏馈线与第二源漏馈线均与所述欧姆电极连接；调制阵列用于通过不同频率的太赫兹波；第一肖特基电极与第二肖特基电极分别与欧姆电极通过直流电源串联；本发明的有益效果为改变超材料结构的谐振模式，进而实现对多个频段的太赫兹波的调控；实现多个频点的独立调制，调制深度高，且具有尺寸小，易集成等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113686808A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110874381.6
申请日：2021-07-30
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3563 , G01N1/28
Abstract: 本发明公开了激光诱导熔石英损伤样品缺陷的太赫兹近场检测系统及方法，包括激光诱导损伤单元和太赫兹近场检测单元；激光诱导损伤单元：激光I发射的激光诱导样品产生损伤；激光II发射的激光照射样品以便通过CCD探测器监视样品表面损伤情况。太赫兹近场检测单元：激光源III发射的激光经分束镜II分为泵浦光和探测光；泵浦光经电导天线辐射出太赫兹波、再经斩波器后照射到损伤后的样品的下表面；探测光到达光电导微探针的针尖，用于产生自由载流子，在太赫兹电场的作用下产生光电流；光电导微探针用于检测穿过样品的太赫兹波。本发明可在线直接检测熔石英损伤后缺陷，同时高分辨率表征表层与亚表层的缺陷，能够较准确的标定损伤缺陷位置。
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公开(公告)号：CN113670581A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110872099.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学元件的瞬态吸收测试系统及方法，分光镜用于将激光器发射的激光分为两束激光；其中一束激光用于作为泵浦光照射到样品表面诱导损伤；另一束激光经透镜汇聚激发电离空气，产生两束具有相同脉宽和光谱范围的瞬态白光；设置两个透镜组用于收集瞬态白光，经透镜组处理的其中一束瞬态白光作为参考光，经光纤I收集于光谱仪；另一束瞬态白光作为探针光，经光纤II传递至样品处，与泵浦光一通聚集于样品上的相同位置。本发获得两束光谱成分和强度基本一致的两束宽光谱瞬态白光，验证了双光速瞬态吸收装置的可行性，提出双光束瞬态测试方法，研究光学元件在紫外激光辐照下瞬态吸收特性。
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公开(公告)号：CN113437620A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110714384.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明公开基于BBO晶体和泵浦脉冲能量的太赫兹波频率调节系统，双色激光脉冲经过脉宽和能量调节装置进行脉冲调节和能量调节后分成泵浦激光和探测激光；探测激光经时间延迟后由电光取样装置收集；泵浦激光进入泵浦光路聚焦后形成等离子体通道经过直流电场后辐射出第一太赫兹波；同时聚焦后的泵浦激光通过BBO晶体的不同位置后产生不同强度的二次谐波，通过不同强度的二次谐波改变第二太赫兹波的频率，进而改变电光取样装置收集到的太赫兹波的频率，从辐射太赫兹波的点源所在的位置进行调控配合脉宽和能量调节装置的泵浦脉冲能量的调谐，不仅保证太赫兹波的输出频率是连续的，且不要求高质量的光栅，成本相对较低。
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公开(公告)号：CN113410595A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110319943.0
申请日：2021-03-25
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种“方环‑四开口环”型的太赫兹低通角度滤波器，其由若干个“方环‑四开口环”型矩形周期单元呈周期性排列组成，该矩形周期单元共有两层，由上至下分别是金属图案层、介质基底层，金属图案层紧贴在介质层表面，金属图案层为一个外方环加一个内四开口环，所述外方环为设置于外围的第一正方形环组成，内四开口环包括一个设置于第一正方形环内部且同轴同心的第二正方形环、以及四个连通并穿过第一正方形环和第二正方形环的长方形构成，四个长方形设置于第一正方形环和第二正方形环的四个中点位置处，且四个长方形互相之间不相交，太赫兹波斜入射到金属图案层时，会激发LC谐振，实现对斜入射波的滤波作用。
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公开(公告)号：CN112002967B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010700024.3
申请日：2020-07-20
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明请求保护一种“背对称开口方槽”型的太赫兹低通角度滤波器，其包括若干个呈周期性排列的“背对称开口方槽”型矩形周期单元，矩形周期单元由超材料结构构成，该矩形周期单元共有两层，由上至下分别是金属图案层、介质基底层，所述金属图案层的图案为背对称的两个开口方槽，金属图案层由与基底大小相同的金属板挖去背对称的两个开口方环形成背对称的开口方槽构成，每个开口方槽中间位置处设置有竖直金属条以将开口方槽均分成两半，开口位置位于开口方槽外侧中间位置处。
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