一种单像素紫外偏振成像方法及系统

    公开(公告)号:CN111854945B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202010757137.7

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明公开了一种单像素紫外光谱偏振成像方法及系统,包括紫外光源,紫外光源依次经过滤波单元、第一透镜、成像目标、第二透镜、空间光调制器、第三透镜、偏振单元和单像素紫外探测模块,单像素紫外探测模块、数据采集模块和图像复原模块依次连接,控制模块、数据采集模块和空间光调制器连接,控制模块用于控制空间光调制器和数据采集模块。发明运用了压缩感知理论,将图像或者光谱信息进行压缩编码,仅使用单个像素的紫外探测器就能获取目标的二维偏振图像或光谱信息,解决了现有的紫外成像仪价格昂贵,存储数据量大的所带来的数据传输问题,并且为实现紫外偏振成像提供了一种新方案。

    一种基于超表面结构的太赫兹成像系统及方法

    公开(公告)号:CN113218910B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202110521359.3

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于超表面结构的太赫兹成像系统及方法,包括:太赫兹源、太赫兹探测器和图像复原模块,其特征在于,还包括空间调制超表面模块;太赫兹源产生太赫兹波,太赫兹波透过成像目标后到达空间调制超表面模块,空间调制超表面模块对太赫兹波进行空间调制;被空间调制后的太赫兹波被太赫兹探测器接收,太赫兹探测器将接收到的信号发送给图像复原模块,由图像复原模块使用压缩感知和信号复原算法实现成像目标的图像还原;使用二维平面结构的空间调制超表面模块,其加工工艺成熟,易于加工,调制方式简单,调控方便;且由于使用压缩感知原理,使得数据采集次数更低,成像速度更快,数据存储量更低。

    一种基于时域光谱技术的太赫兹双模式成像系统及方法

    公开(公告)号:CN113267465A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110521855.9

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明公开一种基于时域光谱技术的太赫兹双模式成像系统及方法,飞秒激光发射端产生的脉冲激光分成泵浦激光和探测激光,泵浦激光经过延迟后聚焦照射在太赫兹发射端产生太赫兹波,探测激光分成远场成像探测激光和近场成像探测激光经,远场成像探测激光聚焦照射在可移动第二光导探测端,近场成像探测激光聚焦照射在可移动第一光导探测端;太赫兹波经准直聚焦后穿过样品照射在可移动第一光导探测端上;照射在可移动第一光导探测端上的太赫兹波可以通过切换通道准直聚焦后照射在可移动第二光导探测端上,本发明基于现有的太赫兹成像系统的改进,解决了太赫兹成像系统单模式成像、对样品信息探测得不全面和成像分辨率低的问题。

    一种基于超表面结构的太赫兹成像系统及方法

    公开(公告)号:CN113218910A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110521359.3

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于超表面结构的太赫兹成像系统及方法,包括:太赫兹源、太赫兹探测器和图像复原模块,其特征在于,还包括空间调制超表面模块;太赫兹源产生太赫兹波,太赫兹波透过成像目标后到达空间调制超表面模块,空间调制超表面模块对太赫兹波进行空间调制;被空间调制后的太赫兹波被太赫兹探测器接收,太赫兹探测器将接收到的信号发送给图像复原模块,由图像复原模块使用压缩感知和信号复原算法实现成像目标的图像还原;使用二维平面结构的空间调制超表面模块,其加工工艺成熟,易于加工,调制方式简单,调控方便;且由于使用压缩感知原理,使得数据采集次数更低,成像速度更快,数据存储量更低。

    一种基于时域光谱技术的太赫兹双模式成像系统及方法

    公开(公告)号:CN113267465B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202110521855.9

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明公开一种基于时域光谱技术的太赫兹双模式成像系统及方法,飞秒激光发射端产生的脉冲激光分成泵浦激光和探测激光,泵浦激光经过延迟后聚焦照射在太赫兹发射端产生太赫兹波,探测激光分成远场成像探测激光和近场成像探测激光经,远场成像探测激光聚焦照射在可移动第二光导探测端,近场成像探测激光聚焦照射在可移动第一光导探测端;太赫兹波经准直聚焦后穿过样品照射在可移动第一光导探测端上;照射在可移动第一光导探测端上的太赫兹波可以通过切换通道准直聚焦后照射在可移动第二光导探测端上,本发明基于现有的太赫兹成像系统的改进,解决了太赫兹成像系统单模式成像、对样品信息探测得不全面和成像分辨率低的问题。

    一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112987345A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110350364.2

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法,每个调制单元包括两个开口的弓形超材料结构、高电子迁移率晶体管、十字形结构连通的第一栅极馈线和第二栅极馈线和源漏馈线,两个弓形超材料结构关于第一栅极馈线对称,弓形超材料结构的开口处匹配高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接弓形超材料结构开口的两侧,高电子迁移率晶体管通过第二栅极馈线与肖特基电极连接,弓形超材料结构通过源漏馈线与欧姆电极连接,采用弓形超材料结构开口,通过外加激励可控制HEMT中的二维电子气的浓度,可控制太赫兹波的通断,器件对极化方向x和y的太赫兹波不敏感,在220GHz处的调制器的调制深度均为93%。

    一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法

    公开(公告)号:CN111884593B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202010772341.6

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法,包括:半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层,外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极;所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成,调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成,结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极,高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧,结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换,实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅,结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。

    一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112987345B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202110350364.2

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种极化不敏感的太赫兹调制器及其制备方法,每个调制单元包括两个开口的弓形超材料结构、高电子迁移率晶体管、十字形结构连通的第一栅极馈线和第二栅极馈线和源漏馈线,两个弓形超材料结构关于第一栅极馈线对称,弓形超材料结构的开口处匹配高电子迁移率晶体管,高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接弓形超材料结构开口的两侧,高电子迁移率晶体管通过第二栅极馈线与肖特基电极连接,弓形超材料结构通过源漏馈线与欧姆电极连接,采用弓形超材料结构开口,通过外加激励可控制HEMT中的二维电子气的浓度,可控制太赫兹波的通断,器件对极化方向x和y的太赫兹波不敏感,在220GHz处的调制器的调制深度均为93%。

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