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公开(公告)号：CN105692546B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610057134.6
申请日：2016-01-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种多元化金属纳米结构的制备方法，它包括以下步骤：（a）合成单一分散的金纳米粒子溶液；（b）对Si/SiO2基底进行修饰改性；（c）将所述金纳米粒子组装在所述Si/SiO2基底的表面；（d）在所述Si/SiO2基底的表面涂覆以精确控制粒子生长尺寸聚合物（聚异丙基丙烯酰胺）在表面形成保护膜；（e）配置金属纳米粒子生长液；（f）将表面涂覆薄膜的所述Si/SiO2基底浸入所述生长液中进行金属纳米粒子生长，即可得到多元化金属纳米结构。这样生长液可以均匀地扩散到晶种的表面，不仅可以阻止粒子的杂乱无序的不均匀生长，而且可以有效地防止生长后的纳米粒子的脱落，实现纳米粒子生长的精确调控。
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公开(公告)号：CN103928611B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410172981.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种记忆存储器及其制备方法，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。为了制备该记忆存储器，包括以下步骤：（a）在半导体基板上旋涂一层光刻胶，并刻出空腔；（b）在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；（c）制备贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；（d）将复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间。通过在两个电极间连接薄膜层，该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成，使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高、成本低、高响应信号、高稳定性。
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公开(公告)号：CN105322149A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510740231.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 苏州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/60 , B82Y30/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种纳米粒子/硅复合材料、制备方法及其应用，它通过在硅材料表面接枝有机物，再将所述有机物与纳米粒子进行键合或静电吸附制得；所述硅材料为多孔硅或者硅纳米粒子，所述纳米粒子为金属纳米粒子；所述有机物的化学结构通式为： ，式中R为烷氧基，A为具有至少2个碳原子的烷基、烯基或芳基，Y为-CH2-、-O-、-NH-、-NCH3-或-NPh-，R1和R2独立地为氢或具有1~3个碳原子的烷基；X为可水解或质子化的酸性或碱性基团，或者为与所述纳米粒子形成配位键的基团。这样能够使硅材料作为锂离子电池负极材料在充放电过程中发生的嵌锂和脱锂时能够形成稳定的SEI膜，从而提高电池的循环性能。
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公开(公告)号：CN105115958A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510593539.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于大尺寸金属纳米粒子的表面增强拉曼基底及其制备方法，它包括以下步骤：（a）通过柠檬酸钠还原法制得球形金纳米粒子溶液；（b）将所述球形金纳米粒子溶液提纯后，向其中加入第二氯金酸溶液搅拌后加入还原剂，待溶液变色稳定后加入稳定剂得到单分散性的金纳米溶胶；（c）向所述金纳米溶胶中加入第二氯金酸溶液，得到平均尺寸≥60nm的金纳米颗粒溶液；（d）向所述金纳米颗粒溶液中加入液体烷烃，两相分层后，加入醇类或醇类溶液在两相界面上形成单层薄膜即可。这样在常温下利用了水相合成的方法得到表面洁净、尺寸均一并且单分散性好的金纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN104722773A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510075013.X
申请日：2015-02-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种刺形金纳米粒子的制备方法及用该方法制备的刺形金纳米粒子，它包括以下步骤：（a）将第一柠檬酸钠溶液加入沸腾的第一氯金酸溶液中，在不断搅拌的条件下保持沸腾得粒径为10~30nm的金纳米粒子溶液；（b）向酸性四氯金酸溶液中分别加入盐酸羟胺溶液、金纳米粒子溶液进行粒径控制生长，离心得大粒径金纳米粒子；（c）将大粒径金纳米粒子加入用第二柠檬酸钠溶液调节pH的去离子水中，在不断搅拌的条件下加入四氯金酸进行空间限域核壳生长，离心即可。一方面选择柠檬酸钠溶液用于调节溶液的pH值还产生了意想不到的效果：它是金纳米粒子良好的稳定剂，有利于控制金纳米粒子的粒子尺寸和均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119707007B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510196746.2
申请日：2025-02-21
Applicant: 苏州大学
IPC: C02F1/14 , C02F1/04 , B33Y80/00 , B33Y70/00 , C02F103/08
Abstract: 本发明属于海水淡化技术领域，公开了一种光热电热协同蒸发器及其制备方法，光热电热协同蒸发器包括水传输通道、光热蒸发界面和电热蒸发界面，光热蒸发界面设于水传输通道上，电热蒸发界面设于光热蒸发界面中，水传输通道由二维层状材料制成，光热蒸发界面由二维层状材料复合表面等离激元材料制成，电热蒸发界面包括设于光热蒸发界面中形成层间加热结构的金属网。与传统的光热蒸发器相比，采用层间加热模式的光热电热协同蒸发器，能够利用太阳能和电能实现全天候稳定运行，通过对电热蒸发界面位置的调控，降低了电热的热损失。由于金属网的高导电性，极大的提高了蒸发效率，可高效应用于水蒸发、海水淡化以及产淡水的工业生产中。
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公开(公告)号：CN119945199A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510412703.3
申请日：2025-04-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于绿色能源发电技术领域，公开了一种等离激元效应增强的水伏发电器件的制备方法与应用，制备方法包括：将导电基底材料于溶剂中均匀分散后利用还原剂处理形成基材油墨；利用增减材技术将基材油墨制备成具备孔隙的三维结构，并通过高温处理形成稳定的基底材料；将稳定的基底材料浸入等离激元金属溶液中浸泡第一预设时间后取出，再浸入还原剂溶液中浸泡第二预设时间后取出，并利用增减材技术固化形成等离激元效应增强的水伏发电器件。该制备方法通过增减材技术构建具备界面孔隙结构的三维块体器件，提高光吸收能力，并利用等离激元纳米颗粒提高光能利用率，提升器件界面温度，并为发电过程提供额外载流子，能够提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN119677371A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510186408.0
申请日：2025-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K71/00 , H10K10/50 , H10K10/84 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K85/10 , G11C13/00 , G16C20/10
Abstract: 本发明属于忆阻器领域，公开了一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将表面羟基化后的ITO衬底浸泡于3‑氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO衬底表面修饰3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面带正电的ITO衬底；将表面带正电的ITO衬底浸泡于金纳米粒子胶体溶液中，得到组装有金纳米粒子的衬底，在组装有金纳米粒子的衬底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后镀铝膜，得到具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器。本发明所述的忆阻器同时具有超高的开关比和超低的关态电流密度、器件可以在高电阻和低电阻状态之间的稳定转换、且具有较长时间的保持特性以及良好的工艺重复性。
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公开(公告)号：CN116234401A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310003576.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种利用探针刻蚀制备纳米OLED的方法，包括以下步骤，在导电基底上制备聚合物膜，然后在聚合物膜上利用探针机械刻蚀得到表面图案化导电通道；所述表面图案化导电通道依次经过显影剂清洗、等离子清洗，然后制备空穴传输层、发光层、电子传输层、金属电极，得到纳米OLED阵列。本发明解决了探针在加工聚合物模板时由于探针的横向剪切力造成的聚合物的撕裂及大颗粒的碎屑堆积问题，从而保证了所得聚合物模板结构的规整和干净，并首次直接将此模板用于微型OLED器件的制备。
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公开(公告)号：CN108682847B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201810426629.0
申请日：2018-05-07
Applicant: 苏州大学
IPC: H01M4/525
Abstract: 本发明涉及一种多壳层中空微球形α‑Fe2O3材料、制备方法及其应用，它包括以下步骤：(a)将葡萄糖溶于水中形成第一溶液；(b)将尿素和无机铁盐溶于水中形成第二溶液；(c)将第一溶液与第二溶液进行混合，随后转移至反应釜中进行水热反应，过滤得α‑Fe2O3前驱体；(d)将所述α‑Fe2O3前驱体置于炉中进行煅烧，收集产物即可。从而保证了碳微球的形成和多壳中空结构，否则Fe3+离子和葡萄糖只会获得二维纳米片，没有多壳结构；它用作负极材料显示出高达878.2mAhg‑1的高特殊容量，并表现出优异的循环能力和倍率性能；该方法简单、易行，可扩展至两种不同的金属离子体系，形成双金属元素的多壳中空结构。
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