一种硒硫化铼复合二维材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107362812B

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201710611934.2

    申请日:2017-07-25

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种硒硫化铼复合二维材料、制备方法及其应用,它包括以下步骤:(a)取高铼酸铵和硫脲溶于有机溶剂中形成第一溶液;(b)取硒粉溶于水合肼中形成第二溶液;(c)将所述第一溶液和所述第二溶液混合后,倒入置有基底的反应釜中进行水热反应;水热反应结束后,降温,取出基底即可。通过控制硫的微量掺杂,在基底上得到了覆盖率高、分布均匀、尺寸较小的硒硫化铼纳米片,纳米片大小在50~100nm,这种高覆盖率、垂直生长的纳米片可以提供更大的比表面积,从而在电催化中提供更大的电流密度。通过掺杂硫的量,调整了材料的电子结构,降低了材料的吸氢自由能,提高了材料的导电性,创造出更多的缺陷和活性点位,从而提高了材料的电催化性能。

    一种硒硫化铼复合二维材料、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN107362812A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710611934.2

    申请日:2017-07-25

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种硒硫化铼复合二维材料、制备方法及其应用,它包括以下步骤:(a)取高铼酸铵和硫脲溶于有机溶剂中形成第一溶液;(b)取硒粉溶于水合肼中形成第二溶液;(c)将所述第一溶液和所述第二溶液混合后,倒入置有基底的反应釜中进行水热反应;水热反应结束后,降温,取出基底即可。通过控制硫的微量掺杂,在基底上得到了覆盖率高、分布均匀、尺寸较小的硒硫化铼纳米片,纳米片大小在50~100nm,这种高覆盖率、垂直生长的纳米片可以提供更大的比表面积,从而在电催化中提供更大的电流密度。通过掺杂硫的量,调整了材料的电子结构,降低了材料的吸氢自由能,提高了材料的导电性,创造出更多的缺陷和活性点位,从而提高了材料的电催化性能。

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