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公开(公告)号：CN119677371A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510186408.0
申请日：2025-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K71/00 , H10K10/50 , H10K10/84 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K85/10 , G11C13/00 , G16C20/10
Abstract: 本发明属于忆阻器领域，公开了一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将表面羟基化后的ITO衬底浸泡于3‑氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO衬底表面修饰3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面带正电的ITO衬底；将表面带正电的ITO衬底浸泡于金纳米粒子胶体溶液中，得到组装有金纳米粒子的衬底，在组装有金纳米粒子的衬底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后镀铝膜，得到具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器。本发明所述的忆阻器同时具有超高的开关比和超低的关态电流密度、器件可以在高电阻和低电阻状态之间的稳定转换、且具有较长时间的保持特性以及良好的工艺重复性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109665489A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811562048.6
申请日：2018-12-20
Applicant: 苏州大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0061
Abstract: 本发明涉及一种在基底表面双向可控自组装不同电荷金属纳米粒子的方法，它包括以下步骤：（a）将基底放入Piranha溶液中进行表面羟基化处理，洗净后浸入3-氨丙基三乙氧基硅烷、乙醇和水的混合溶液中进行表面正电荷官能团修饰得第一修饰基底；所述混合溶液中3-氨丙基三乙氧基硅烷、乙醇和水的体积比为1：50~150：0.5~5；（b）将所述第一修饰基底浸入丁二酸酐丙酮溶液中进行反应得第二修饰基底；（c）将所述第二修饰基底浸入不同表面电荷性质的金属纳米粒子溶液中进行自组装，取出、清洗、吹干即可。从而实现了不同电荷金属纳米粒子的自组装，该过程双向且可控。
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公开(公告)号：CN109030450A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810516969.2
申请日：2018-05-25
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种在基底表面双向可控自组装不同电荷金属纳米粒子的方法，它包括以下步骤：（a）将基底放入Piranha溶液中进行表面羟基化处理，洗净后浸入3‑氨丙基三乙氧基硅烷、乙醇和水的混合溶液中进行表面正电荷官能团修饰得第一修饰基底；（b）将所述第一修饰基底浸入丁二酸酐的丙酮溶液中进行反应得第二修饰基底；（c）将所述第二修饰基底浸入不同表面电荷性质的金属纳米粒子溶液中进行自组装，取出、清洗、吹干即可。获得正电荷、负电荷均匀分布或仅带负电荷的第二修饰基底，从而实现了不同电荷金属纳米粒子的自组装，该过程双向且可控。
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公开(公告)号：CN119677371B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510186408.0
申请日：2025-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H10K71/00 , H10K10/50 , H10K10/84 , H10K71/12 , H10K71/40 , H10K71/60 , H10K85/10 , G11C13/00 , G16C20/10
Abstract: 本发明属于忆阻器领域，公开了一种具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将表面羟基化后的ITO衬底浸泡于3‑氨丙基三乙氧基硅烷的乙醇溶液中，使得ITO衬底表面修饰3‑氨丙基三乙氧基硅烷分子，得到表面带正电的ITO衬底；将表面带正电的ITO衬底浸泡于金纳米粒子胶体溶液中，得到组装有金纳米粒子的衬底，在组装有金纳米粒子的衬底表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，烘烤至干后镀铝膜，得到具有高开关比和低关态电流密度的忆阻器。本发明所述的忆阻器同时具有超高的开关比和超低的关态电流密度、器件可以在高电阻和低电阻状态之间的稳定转换、且具有较长时间的保持特性以及良好的工艺重复性。
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公开(公告)号：CN119657126A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510186753.4
申请日：2025-02-20
Applicant: 苏州大学
IPC: B01J23/50 , B01J21/06 , B01J35/39 , B01J35/55 , B01J35/54 , B01J32/00 , C02F1/30 , C02F1/70 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种Ag/TiO2多级柱体阵列光催化剂及其制备方法，属于光催化复合材料技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在氧化铝陶瓷片上垂直打印TiO2阵列；晾干后在马弗炉中烧结，得到TiO2柱体阵列；在TiO2柱体阵列表面旋涂TiO2溶胶，烘干后加热并降温至室温，后与钛酸四丁酯的盐酸水溶液进行第一次水热反应，烘干后加热退火，得到生长有TiO2纳米棒的TiO2多级柱体阵列，表面修饰3‑（三乙氧基硅基）丙基琥珀酸酐后，置于硝酸银溶液中进行第二次水热反应，得到Ag/TiO2多级柱体阵列光催化剂。本发明所述的Ag/TiO2多级柱体阵列光催化剂具有光催化效果好、光催化效应随光强的提升增强等优势。
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公开(公告)号：CN114669736A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210380000.3
申请日：2022-04-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种基于三维蘑菇状金纳米结构的高容量等离激元编码及其制法与应用。该制备方法包括：将金纳米颗粒通过静电作用组装在羧基硅烷修饰的基底上，得到组装金颗粒的基底；将组装金颗粒的基底表面旋涂聚合物薄膜；对涂覆有聚合物薄膜的基底进行刻蚀，在掩模板的作用下将设计的编码按区域通过控制刻蚀时间进行差异化的刻蚀，使基底表面上不同区域的金颗粒暴露出不同的高度；将暴露金颗粒的基底浸入原位生长液中进行生长，得到基于三维蘑菇状金纳米结构的等离激元编码。由上述制备方法制备得到的等离激元编码理论上可以具备更高的容量，在应用于信息加密时，可以提高被加密信息的安全性。
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