公开(公告)号：CN111682801B

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010570963.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 江林 ,  吴淼 ,  张军昌 ,  孙迎辉

IPC: H02N11/00 ,  C01B32/198 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种3D打印基于石墨烯的水蒸发发电器件的制备方法，它包括以下步骤：（1）将氧化石墨烯悬浮液、抗坏血酸和去离子水混合，形成氧化石墨烯水溶液，60‑80℃加热0.25~1h，得到部分还原氧化石墨烯水溶液，再过滤得到部分还原氧化石墨烯墨水；（2）将部分还原氧化石墨烯墨水置于3D打印机，在基底上进行3D打印得到3D氧化还原石墨烯水薄膜，室温放置不大于30min，再进行冷冻干燥8‑12h后，得到的3D氧化还原石墨烯水薄膜在室温条件下两端装上极耳，得到基于石墨烯的水蒸发发电器件。本发明利用3D打印技术制造水蒸发发电器件，简单可重复性高；经过冷冻干燥后的氧化还原石墨烯具有丰富的微观孔，大量交联错着的孔隙，在海水中实现水蒸发发电有重要意义。

公开(公告)号：CN103928611B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410172981.8

申请日：2014-04-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 江林 ,  张军昌

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及一种记忆存储器及其制备方法，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。为了制备该记忆存储器，包括以下步骤：（a）在半导体基板上旋涂一层光刻胶，并刻出空腔；（b）在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；（c）制备贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；（d）将复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间。通过在两个电极间连接薄膜层，该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成，使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高、成本低、高响应信号、高稳定性。

公开(公告)号：CN111682801A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202010570963.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 苏州大学

Inventor： 江林 ,  吴淼 ,  张军昌 ,  孙迎辉

IPC: H02N11/00 ,  C01B32/198 ,  C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种3D打印基于石墨烯的水蒸发发电器件的制备方法，它包括以下步骤：（1）将氧化石墨烯悬浮液、抗坏血酸和去离子水混合，形成氧化石墨烯水溶液，60-80℃加热0.25~1h，得到部分还原氧化石墨烯水溶液，再过滤得到部分还原氧化石墨烯墨水；（2）将部分还原氧化石墨烯墨水置于3D打印机，在基底上进行3D打印得到3D氧化还原石墨烯水薄膜，室温放置不大于30min，再进行冷冻干燥8-12h后，得到的3D氧化还原石墨烯水薄膜在室温条件下两端装上极耳，得到基于石墨烯的水蒸发发电器件。本发明利用3D打印技术制造水蒸发发电器件，简单可重复性高；经过冷冻干燥后的氧化还原石墨烯具有丰富的微观孔，大量交联错着的孔隙，在海水中实现水蒸发发电有重要意义。

公开(公告)号：CN103928611A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410172981.8

申请日：2014-04-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 江林 ,  张军昌

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0587 ,  H01L51/0003

Abstract: 本发明涉及一种记忆存储器及其制备方法，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。为了制备该记忆存储器，包括以下步骤：（a）在半导体基板上旋涂一层光刻胶，并刻出空腔；（b）在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；（c）制备贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；（d）将复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间。通过在两个电极间连接薄膜层，该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成，使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高、成本低、高响应信号、高稳定性。