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公开(公告)号：CN108854118A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810869611.8
申请日：2018-08-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种小剂量有机材料提纯方法及提纯设备，本发明的提纯方法包括如下步骤：将待提纯的有机源材料置于蒸发源中，将蒸发源安装在收集室上方，样品收集台设于收集室内部且位于蒸发源出口正下方，将收集室中的挡板调整至蒸发源出口和样品收集台之间；调整收集室内的真空度达到10‑9Pa以内；对蒸发源中的有机源材料进行加热，控制加热温度低于目标分子的蒸发/升华温度；调整挡板的位置使蒸发源的出口正对样品收集台，控制蒸发源中有机源材料的加热温度不低于目标分子的蒸发/升华温度，样品收集台上集得的即为已提纯的有机源材料，上述提纯方法可实现对质量小于5g的小剂量有机源材料的高效提纯。
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公开(公告)号：CN107991353A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711216696.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种NO2化学电阻式气体传感器，包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、表面修饰层、活性敏感层以及源漏电极，表面修饰层的材质为含端氨基的硅烷化合物，含端氨基的硅烷化合物的分子式为H2N-(CH2)n-SiCl3，H2N-(CH2)n-Si(OCH3)3或H2N-(CH2)n-Si(OC2H5)3，其中，n＝3-18，活性敏感层的材质为有机半导体。本发明还提供了一种上述NO2化学电阻式气体传感器的制备方法：在基底表面形成平整的绝缘层，然后使含端氨基的硅烷化合物在绝缘层表面进行自组装，形成表面修饰层；在表面修饰层上沉积活性敏感层，在活性敏感层上沉积源漏电极，形成NO2化学电阻式气体传感器。本发明的气体传感器对NO2表现出快速的响应和快速的回复特点，响应灵敏度很高，最低检测限可以达到ppb级别。
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公开(公告)号：CN119224065A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411751796.4
申请日：2024-12-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种超黑复合薄膜的智能检测方法，属于薄膜检测技术领域。包括以下步骤：首先在基底表面喷涂多壁碳纳米管色浆后进行干燥处理；然后在干燥后的薄膜表面喷涂复合墨水，制成复合薄膜，进行液氮冷冻处理、冷冻干燥处理、等离子表面处理得到超黑复合薄膜；在超黑复合薄膜的四周引出电极，接入电压采集电路中，将相邻两个电极作为激励电流的输入点和输出点，测量剩余各电极处的电压值，得到损伤前超黑复合薄膜的各电极处电压分布；并测量损伤后的超黑复合薄膜的电压分布；根据超黑复合薄膜损伤前后的电压分布进行图像重建，得到电导率的分布成像图，实现在不引入外部传感器的前提下实现超黑复合薄膜的局域损伤智能自监测与定位。
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公开(公告)号：CN113380953A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110759016.0
申请日：2021-07-05
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速，具有普适性，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112864039A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110464112.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能智能监测设备，包括：真空腔体，提供器件制备及原位监测的真空环境；蒸发源，提供器件制备的原材料；检测组件，包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台，探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管，探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件，用于观察位于真空腔体内的探针的位置，调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点；监测仪器，与检测组件连接，获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中，实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号，获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114656321B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011551158.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种将正构烷烃转化为全共轭多烯的方法。本发明属于烷烃转化技术领域。具体涉及一种将正构烷烃转化为全共轭多烯的方法，其特征在于，使用过渡金属表面，选自ZnO、CuOx和TiO2的金属氧化物表面，负载过渡金属的选自ZnO、CuOx和TiO2的氧化物表面以及负载过渡金属的直孔分子筛作为催化剂。本发明实现长链正构烷烃向全共轭多烯的化学转化。
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公开(公告)号：CN116828868A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310534145.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种负光导晶体管器件及其制备方法。该负光导晶体管器件包括依次设置的基底、绝缘层、有机异质结构光敏层以及源漏电极，所述有机异质结构光敏层包括p型半导体光敏层和n型半导体光敏层。本发明提出了利用界面调控构建具有双极输运的异质结构来实现负光导效应的通用器件构型，在该器件构型中通过合适的异质结构材料组合可以在多个材料体系中可控地实现负光导效应。制备方法简单快速、具有普适性。
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公开(公告)号：CN116234401A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310003576.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种利用探针刻蚀制备纳米OLED的方法，包括以下步骤，在导电基底上制备聚合物膜，然后在聚合物膜上利用探针机械刻蚀得到表面图案化导电通道；所述表面图案化导电通道依次经过显影剂清洗、等离子清洗，然后制备空穴传输层、发光层、电子传输层、金属电极，得到纳米OLED阵列。本发明解决了探针在加工聚合物模板时由于探针的横向剪切力造成的聚合物的撕裂及大颗粒的碎屑堆积问题，从而保证了所得聚合物模板结构的规整和干净，并首次直接将此模板用于微型OLED器件的制备。
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公开(公告)号：CN103805956B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410070043.7
申请日：2014-02-27
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种原位形貌和光学性能监控蒸发源，它包括真空法兰、支撑于所述真空法兰任一侧面上的热屏蔽组件、嵌设于所述热屏蔽组件远离真空法兰一端的加热组件、内置于所述加热组件内的材料容器、安装于所述材料容器附近用于测量其温度的温度测量组件、分别与所述加热组件和温度测量组件相电连接且安装于真空法兰上的真空电连接器、与所述真空电连接器相连接的控制电源，所述的蒸发源还包括安装于热屏蔽组件内的显微镜，所述的真空法兰上设有与显微镜位置相对的观察窗口。通过在热屏蔽组件内设置显微镜并且真空法兰上设有与显微镜位置相对的观察窗口，能够在沉积蒸发材料的同时实时监控沉积材料在衬底表面形貌和光学性能。
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公开(公告)号：CN118813078B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411312285.2
申请日：2024-09-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米材料的超黑复合涂层及其制备方法，属于涂层技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、将碳纳米颗粒色浆、多壁碳纳米管色浆、石墨烯色浆溶于水中搅拌均匀，继续加入粘结剂、金属氧化物填料、增稠剂、消泡剂和助剂搅拌均匀，得到复合墨水；S2、通过喷涂技术或墨水直写3D打印技术，将复合墨水在基底表面制成复合涂层；S3、通过自吸附式平板冷冻器对复合涂层进行液氮冷冻处理，然后通过冷冻干燥机进行冷冻干燥处理，经等离子表面处理得到所述的基于碳纳米材料的超黑复合涂层，基于碳纳米材料构筑具有垂直有序排列的微纳蜂窝陷光结构的柔性、大面积超黑复合涂层。
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