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![一种蓝或/和绿光发射的单核铜[I]配合物材料](/CN/2015/1/34/images/201510173043.jpg)
公开(公告)号：CN104844629A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510173043.4
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: C07F1/005 , C07F9/5045 , C09K11/06 , C09K2211/188
Abstract: 本发明涉及一种蓝、绿光发射的单核铜[I]配合物材料，它的结构通式为 ，式中，所述为脒类衍生物配体，所述为两个单独的芳香基膦配体或桥联的芳香基膦双齿配体。该铜[I]配合物为中性铜[I]配合物，与离子型配合物相比，该中性配合物由于没有抗衡离子的存在，从而使配合物在真空蒸镀中具有更好的稳定性，具有更广泛的应用前景；该铜[I]配合物不存在其它可配位原子，因此不易与周围环境反应转变为离子型铜[I]配合物，具有更好的稳定性，配合物的发光主要分布在蓝光区、绿光区或蓝绿光区，可应用于有机电致发光器件和传感器中。
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公开(公告)号：CN105322149A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510740231.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 苏州大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/60 , B82Y30/00 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种纳米粒子/硅复合材料、制备方法及其应用，它通过在硅材料表面接枝有机物，再将所述有机物与纳米粒子进行键合或静电吸附制得；所述硅材料为多孔硅或者硅纳米粒子，所述纳米粒子为金属纳米粒子；所述有机物的化学结构通式为： ，式中R为烷氧基，A为具有至少2个碳原子的烷基、烯基或芳基，Y为-CH2-、-O-、-NH-、-NCH3-或-NPh-，R1和R2独立地为氢或具有1~3个碳原子的烷基；X为可水解或质子化的酸性或碱性基团，或者为与所述纳米粒子形成配位键的基团。这样能够使硅材料作为锂离子电池负极材料在充放电过程中发生的嵌锂和脱锂时能够形成稳定的SEI膜，从而提高电池的循环性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108624953A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810603756.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种超薄钙钛矿单晶材料的制备方法，它包括以下步骤：（a）将溴化铅、溴化前驱体、油胺和油酸溶于二甲亚砜中形成第一溶液；所述溴化铅和所述前驱体的摩尔比为1：0.5~2.5，所述溴化前驱体为选自溴化铯、溴化甲胺和溴化甲醚中的一种或多种组成的混合物；（b）将甲醇和乙醇进行混合形成第二溶液；（c）将所述第一溶液滴至衬底表面，使用所述第二溶液作为反溶剂以使其挥发扩散至所述第一溶液中进行反应；反应结束后将所述衬底用氯苯清洗多次，干燥获得形成在所述衬底表面的超薄钙钛矿单晶材料。这样获得的钙钛矿单晶厚度为130~180nm，同时边缘尺寸可以达到几百微米甚至毫米级别。
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公开(公告)号：CN104844629B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510173043.4
申请日：2015-04-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种蓝、绿光发射的单核铜[I]配合物材料，它的结构通式为，式中，所述为脒类衍生物配体，所述为两个单独的芳香基膦配体或桥联的芳香基膦双齿配体。该铜[I]配合物为中性铜[I]配合物，与离子型配合物相比，该中性配合物由于没有抗衡离子的存在，从而使配合物在真空蒸镀中具有更好的稳定性，具有更广泛的应用前景；该铜[I]配合物不存在其它可配位原子，因此不易与周围环境反应转变为离子型铜[I]配合物，具有更好的稳定性，配合物的发光主要分布在蓝光区、绿光区或蓝绿光区，可应用于有机电致发光器件和传感器中。
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公开(公告)号：CN108455673A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810595576.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，它的制备包括以下步骤：（a）将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10：1；（b）将所述前驱体溶液旋涂至基底上；（c）将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性，并且其三角片的尺寸能够生长的很大；可以直接应用在半导体场效应管中，无需进行额外的转移。
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公开(公告)号：CN108624953B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810603756.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种超薄钙钛矿单晶材料的制备方法，它包括以下步骤：（a）将溴化铅、溴化前驱体、油胺和油酸溶于二甲亚砜中形成第一溶液；所述溴化铅和所述前驱体的摩尔比为1：0.5~2.5，所述溴化前驱体为选自溴化铯、溴化甲胺和溴化甲醚中的一种或多种组成的混合物；（b）将甲醇和乙醇进行混合形成第二溶液；（c）将所述第一溶液滴至衬底表面，使用所述第二溶液作为反溶剂以使其挥发扩散至所述第一溶液中进行反应；反应结束后将所述衬底用氯苯清洗多次，干燥获得形成在所述衬底表面的超薄钙钛矿单晶材料。这样获得的钙钛矿单晶厚度为130~180nm，同时边缘尺寸可以达到几百微米甚至毫米级别。
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公开(公告)号：CN108455673B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810595576.5
申请日：2018-06-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种生长单晶二维过渡金属硫化物的方法，它的制备包括以下步骤：（a）将过渡金属盐和强碱溶于水中，搅拌得透明澄清的前驱体溶液；所述过渡金属盐为无机钼盐或无机钨盐；所述渡金属盐和所述强碱的质量比为1~10：1；（b）将所述前驱体溶液旋涂至基底上；（c）将所述基底放在管式炉中部，取硫粉或硒粉置于所述管式炉进气端，随后对所述管式炉进行抽真空并充入惰性气体；加热使所述硫粉或硒粉升华，并使其与所述前驱体溶液进行反应、退火，自然降温即可。该方法制备得到的二维材料质量很高、具有很好的结晶性，并且其三角片的尺寸能够生长的很大；可以直接应用在半导体场效应管中，无需进行额外的转移。
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