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公开(公告)号:CN109100327A
公开(公告)日:2018-12-28
申请号:CN201811041364.9
申请日:2018-09-07
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
CPC classification number: G01N21/41 , G01N21/554
Abstract: 本发明涉及一种金纳米块阵列的制作方法及其折射率传感器的制备,涉及微纳尺度的制备及微纳光学,属光信息领域;提出了一种金纳米块阵列的制备方法,将负载了聚电解质层的金薄膜浸入含有所述金纳米块的去离子水溶液中;去离子水溶液中的金纳米块通过静电场引力吸附于所述聚电解质层表面,从而得到金纳米块阵列;实现了金纳米块的边长、金纳米块阵列的占空比、聚电解质层的厚度的可控加工;由于在制备过程未使用任何微纳加工或精密控制设备,制备成本相较其他方法要低;本方案制备的折射率传感器利用该结构激发等离子激元共振,利用峰位随背景折射率变化而出现明显移动实现了对环境折射率的传感探测,金材质的稳定性保证了该传感器的性能稳定。
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公开(公告)号:CN108169171A
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201711291796.0
申请日:2017-12-08
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,其特征在于:其结合以自组织排列的聚苯乙烯球阵列为模板,通过沉积与去除工艺制备金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层的叠层结构,所述叠层结构具有与背景物质折射率相关的表面等离子激元共振峰位,据此可以测试出背景物质的折射率。本发明所公开的基于表面等离子激元共振的折射率测试及制作方法,利用金属微纳结构、介质薄膜层和金属薄膜层所构筑的叠层结构的表面等离子激元共振的特征峰,实现背景氛围物质折射率的低成本、快速、精准测试。
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公开(公告)号:CN107641817A
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201710818779.1
申请日:2017-09-12
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤:a.采用电阻率为0.01~0.05Ω·cm的n型硅片;b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列;c.以硅微米线阵列为基底,采用含有Fe3+的溶液,并在其中混入掺杂源离子溶液,作为生长氧化铁层的前驱液,对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理,得到硅/氧化铁微米线阵列;d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理;e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层,并引出外置导线;f.在导电层上涂覆反水绝缘层。
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公开(公告)号:CN105789042A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201610183558.7
申请日:2016-03-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/30604 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/0273
Abstract: 本发明公开了一种硅微米线阵列的制备工艺,所述工艺包括以下步骤:(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶;(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理;(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理;(4)以步骤(3)所得硅片为基底,利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜;(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液,轻微晃动1?3分钟;不完全去除光刻胶,只是将光刻胶体积减小,保证硅基底表面有部分未被光刻胶或金属完全覆盖;(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中,在3?15℃的低温环境中密闭处理6?24小时;(7)将步骤(6)所得硅片进行去光刻胶与去金属处理。本发明可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列,解决了现有技术中的问题。
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公开(公告)号:CN119744022A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202510239709.5
申请日:2025-03-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F71/00 , H10F30/222 , H10F77/70 , H10F77/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种硅基柔性光电探测器及其制备方法与应用,包括如下步骤:将P型硅片置于腐蚀溶液中减薄至预定厚度后去除表面氧化层,置于刻蚀溶液中进行各向异性腐蚀,得到表面具有金字塔结构的晶硅薄膜;在晶硅薄膜的一面沉积电子传输层后退火处理;在电子传输层表面沉积透明导电电极或栅状金属电极;在晶硅薄膜另一面沉积金属电极,得到硅基柔性光电探测器。本发明硅基柔性光电探测器无需掺杂工艺,提高了器件的稳定性和寿命;以湿法腐蚀减薄得到超薄硅片为基底,具备自支撑的柔软特性增强了器件在动态环境中的适应性,拓宽了其应用范围;具备出色柔性的同时具有快速的响应速度和较高的响应度,满足高性能光电探测领域的多种应用需求。
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公开(公告)号:CN114923969B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202210652861.2
申请日:2022-06-08
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/30 , G01N27/26
Abstract: 本发明属于光电化学传感领域,为解决待测溶液在传感电极表面流通性不佳的问题,公开了一种无酶葡萄糖光电化学传感电极、传感器及其制备方法,包括n型硅层/导电层/防水绝缘层;n型硅层上表面向上凸起为纳米线阵列;纳米线阵列表面包覆有p型金属氧化物半导体薄膜层;p型金属氧化物半导体薄膜层与n型硅层形成的异质结能带结构为错开型,所述的n型硅层与导电层形成欧姆接触。在入射光照射下,p型金属氧化物半导体薄膜层与纳米线阵列产生的光生电子空穴对在异质结内建电场和外加偏压的共同作用下有效分离。能够在无酶修饰、外加一定偏压的条件下实现对葡萄糖的高灵敏度、高选择性、低背景噪声的检测。
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公开(公告)号:CN117997427B
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410399269.5
申请日:2024-04-03
Applicant: 苏州大学 , 江西省检验检测认证总院工业产品检验检测院
IPC: H04B10/116 , H04B10/60 , H04B10/80
Abstract: 本发明公开了一种信息与能量解耦合电路及可见光信息与能量同传输系统,涉及光电通信领域,信息与能量解耦合电路包括能量收集支路,其包括第一电阻;电流调控支路,其包括第二电阻;信息传输支路,其包括串联的第一电容和第三电阻,以及与所述第三电阻并联的输出单元;所述电流调控支路用于调控流入所述信息传输支路的电流。系统包括发射端,其包括第一微处理器、LED驱动电路以及LED模块;接收端,其包括光电转换器件、能量采集电路、信号处理电路。本发明通过探索接收端已有电路参数来研究能量采集与信息传输之间的相互影响关系,实现了对能量采集功率和通信速率的均衡与调控及对无线采集能量的高效利用及对系统接收端负载的稳定自供电。
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公开(公告)号:CN118399614A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410296497.X
申请日:2024-03-15
Applicant: 江西省检验检测认证总院工业产品检验检测院 , 苏州大学
IPC: H02J50/00 , H02J50/30 , H02J50/80 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种能量采集电路及可见光信息与能量同传输系统,涉及光电探测领域,能量采集电路包括升压电路,其包括均与第一芯片相连的最大功率点调节单元、输出控制单元以及输出单元;能量管理电路,其包括均与第二芯片相连的能量输入单元、能量存储单元、能量输出单元以及第一阈值设置单元和第二阈值设置单元。本发明可以根据不同的光电转换器件最大功率点电压的要求进行调整,使其都工作在最大功率处,进而使系统保持较高的能量采集功率,实现了对能量采集功率和通信速率的均衡与调控及对无线采集能量的高效利用及对系统接收端负载的稳定自供电。
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公开(公告)号:CN115314107A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202111074527.5
申请日:2021-09-14
Applicant: 苏州大学
IPC: H04B10/116 , G02B19/00
Abstract: 本申请公开一种用于可见光通信的带通聚光器及可见光通信系统,包括:壳体,所述壳体内具有腔体,所述腔体填充有介质,所述壳体的一侧设有向腔体内凹陷的凹球面的光入射口,所述壳体的与光入射口相对侧设置有光出射口,所述光出射口的远离腔体侧配置具有滤波功能的多层介质膜。该带通聚光器对于传统CPC聚光器,可实现更大的视场角,即在更大入射角范围内实现1倍以上的光增益,从而显著提高可见光通信系统的通信效果。可在不增加光学天线空间体积的前提下显著降低整体质量,同时实现滤波功能。采用本方案所述聚光器的可见光通信系统,能明显增加系统的通信距离、带宽和单个光电探测器的接收视场角,可降低系统的整体复杂性和成本。
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公开(公告)号:CN114636745A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202210231259.1
申请日:2022-03-10
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/416
Abstract: 本发明属光电传感领域,公开了一种自驱动无酶葡萄糖光电传感电极及其制备方法,包括导电基底、导电基底上设置的n型二氧化钛层、n型二氧化钛层内设置的顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列、以及顶层纳米孔阵列、底层纳米孔阵列的端面及内壁包覆的氧化物半导体纳米颗粒层;所述的氧化物半导体纳米颗粒层与n型二氧化钛层形成能带结构为II型的异质结,所述的n型二氧化钛层与导电基底之间为欧姆接触。本方案采用的n型二氧化钛层具有超大的比表面积,引入的氧化物半导体纳米颗粒层同时包覆于n型二氧化钛层所包含的顶层、底层纳米孔阵列的端面和内壁,使得自驱动无酶葡萄糖光电传感电极具有优异的光吸收能力和高密度的活性位点。
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