公开(公告)号：CN1118934A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95109198.0

申请日：1995-06-30

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 岩村直行 ,  森义明 ,  宫下武 ,  宫川拓也 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率，在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元，使该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下，适当地选择所述放电气体的类型，按在线方式完成对所述晶片的表面处理，例如抛光、清洗和提供亲水性。

公开(公告)号：CN1579009B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03801384.3

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  古泽昌宏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  B05D7/00

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。

公开(公告)号：CN100550472C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610144631.6

申请日：1999-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木口浩史 ,  汤田坂一夫 ,  关俊一 ,  宫岛弘夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20

CPC classification number: H05B33/22 ,  G02B5/201 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。

公开(公告)号：CN100385682C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN00800436.6

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  关俊一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695

Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是，采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜，对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。

公开(公告)号：CN1278429C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200310119520.6

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  古沢昌宏 ,  青木敬

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。

公开(公告)号：CN1645562A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004240.X

申请日：2005-01-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  田中英树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1292 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在使用液相工艺制造器件时适用的调准方法。在包含使用液相法以在基板上形成功能膜的工序的器件的制造过程中，在形成所述功能膜(12)的基板(10)上，形成相对于在所述功能膜(12)之后形成的膜(13)显示形状的调准标记(AM1)，并使用该调准标记(AM1)对所述功能膜(12)之后的膜(13)进行调准。

公开(公告)号：CN1579009A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN03801384.3

申请日：2003-04-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  古泽昌宏

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  B05D7/00

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。

公开(公告)号：CN1531061A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410039649.0

申请日：2004-03-12

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 佐藤充 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/76802 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。

公开(公告)号：CN1155930C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN98801518.8

申请日：1998-08-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/30 ,  H01L33/00 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的有源矩阵型显示装置为目的，在有源矩阵型显示装置(1)中，通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置厚的堤层(bank)来抑制寄生于数据线(sig)上的电容，同时用该堤层(bank)来包围利用喷射法应形成薄膜发光元件(40)的有机半导体膜(43)的区域。在此，由第一绝缘膜(61)和第二绝缘膜(62)来构成堤层(bank)，其中，第一绝缘膜(61)由厚的无机材料构成，第二绝缘膜(62)由具有窄的宽度而被层叠在该第一绝缘膜(61)上的有机材料构成，避免有机半导体膜(43)与第二绝缘膜(62)接触。

公开(公告)号：CN1297576A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。