公开(公告)号：CN1199241C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法，包括：将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜，然后对该膜实施热和/或光处理，从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜，因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1297576A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800438.2

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 关俊一 ,  下田达也 ,  宫下悟 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: C23C18/06 ,  C08G77/60 ,  C09D183/16 ,  C23C18/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/6675 ,  H01L51/0005 ,  Y02P20/582

Abstract: 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。

公开(公告)号：CN1223011C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法，所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构，其特征在于，其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序：把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1300445A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297577A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN101068025B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610093443.5

申请日：1998-08-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

公开(公告)号：CN101017885A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610144631.6

申请日：1999-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木口浩史 ,  汤田坂一夫 ,  关俊一 ,  宫岛弘夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20

CPC classification number: H05B33/22 ,  G02B5/201 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101005124A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610144629.9

申请日：1999-03-17

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木口浩史 ,  汤田坂一夫 ,  关俊一 ,  宫岛弘夫

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20

CPC classification number: H05B33/22 ,  G02B5/201 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/558 ,  H05B33/10 ,  Y10T428/24802

Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。

公开(公告)号：CN1538364A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410043407.9

申请日：1998-08-20

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/32 ,  H01L27/00 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的显示装置为目的，显示装置包括：一个对置电极；以及多个象素，多个象素中各象素包括：象素电极；以及设置在所述象素电极和所述对置电极间的有机半导体膜，其中，除了在形成端子的区域外，所述对置电极的形成作为所述多个象素的共同之用。

公开(公告)号：CN1505172A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119520.6

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  古沢昌宏 ,  青木敬

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种晶体管及这种晶体管的制造方法，当设计布线结构时，该晶体管允许高自由度并且还可以允许实现产品质量的提高。该晶体管包括源区、漏区、沟道区以及栅绝缘膜和栅电极，每个所述的源区、漏区、沟道区由半导体膜形成。包含源区的半导体膜和包含漏区的半导体膜分离地形成，夹住了绝缘部分的两侧。包含沟道区的半导体膜形成于绝缘部分的顶部。