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公开(公告)号:CN101444785A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810176390.2
申请日:2008-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B32B43/006 , B08B7/0057 , B09B5/00 , B32B37/06 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2310/0831 , Y10T156/1153 , Y10T156/1158 , Y10T156/1911 , Y10T156/1917
Abstract: 本发明提供一种在隔着接合膜接合2个构件之间而成的接合体中,能够利用容易的方法而且有效地剥离2个构件之间的接合体的剥离方法。在本发明的接合体的剥离方法中,在第1基材(21)与第2基材(22)隔着含有硅酮材料的接合膜(3)接合而成的接合体(1)中,向接合膜(3)赋予剥离用能量,切断构成所述硅酮材料的分子键的一部分,由此在接合膜(3)内产生分裂,从第1基材(21)上剥离第2基材(22)。
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公开(公告)号:CN1149636C
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN95109198.0
申请日:1995-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069
Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率,在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元,该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下,适当地选择所述放电气体的类型,按在线方式完成对所述晶片的表面处理,例如抛光、清洗和提供亲水性。
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公开(公告)号:CN1473284A
公开(公告)日:2004-02-04
申请号:CN02802973.9
申请日:2002-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G03F7/36 , H01L21/3205 , H01L21/288 , H05K3/00 , C25D5/02 , H05B33/10
CPC classification number: H01L21/76838 , C25D5/022 , C25D7/12 , H01L21/0272 , H01L21/0274 , H01L21/288 , H01L21/31127 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供可以减少制造成本的掩膜形成方法。一种为了采用液状的图案材料形成所需的图案,在被处理部件的表面形成掩膜的方法,其构成为具有:对整个被处理部件表面涂布抗蚀剂的第1工序(S152)、干燥已涂布的抗蚀剂的第2工序(S154)、通过用光刻法去除图案形成部分的抗蚀剂而进行图案形成的第3工序(S156)、和加热处理抗蚀剂的第4工序(S158)。
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公开(公告)号:CN1404624A
公开(公告)日:2003-03-19
申请号:CN01805391.2
申请日:2001-12-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: G03F7/7075 , H01L21/0272 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/288 , H01L21/32051 , H01L21/6715 , H01L21/76838 , H01L21/76885 , H05K3/048
Abstract: 图案材料供给部(300),具备有使液态图案材料(312)成为雾状微粒子进行喷雾的莲喷头(310)。在莲喷头(310)的下方,设有配置工件(20)的处理台(318)。在工件(20)的表面具有设有图案形成用开口进行了疏水处理的掩膜。工件(20),通过处理台(318)由直流电源(328)外加电压,利用静电引力吸引液态图案材料(312)的微粒子。处理台(318),通过旋转,使附着在掩膜表面的液态图案材料填充到设在掩膜上的图案形成用开口部,同时能由内置的加热器(326)加热固化液态图案材料。
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公开(公告)号:CN1118934A
公开(公告)日:1996-03-20
申请号:CN95109198.0
申请日:1995-06-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069
Abstract: 为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率,在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元,使该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下,适当地选择所述放电气体的类型,按在线方式完成对所述晶片的表面处理,例如抛光、清洗和提供亲水性。
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