公开(公告)号：CN103098192B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280002481.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 卡尔·阿尔文·迪朗 ,  早川明伸 ,  定永周治郎 ,  畠井宗宏

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  C09J185/00 ,  C09J201/00 ,  C09J201/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/26 ,  C08K9/04 ,  C08K9/06 ,  C09J11/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制空隙的产生，并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外，本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。本发明为一种电子零件用粘接剂，其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂，其中，将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)，将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时，A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是，包含实线上的点，而不包含虚线上的点)，相对于100重量份的所述固化性化合物，所述固化剂的配合量为5～150重量份，所述无机填充剂的配合量为60～400重量份。

公开(公告)号：CN103098192A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201280002481.9

申请日：2012-03-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 卡尔·阿尔文·迪朗 ,  早川明伸 ,  定永周治郎 ,  畠井宗宏

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/04 ,  C09J163/00 ,  C09J185/00 ,  C09J201/00 ,  C09J201/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/26 ,  C08K9/04 ,  C08K9/06 ,  C09J11/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制空隙的产生，并且不易发生沿半导体芯片上面往上爬的电子零件用粘接剂。另外，本发明的目的还在于提供使用了所述电子零件用粘接剂的半导体芯片安装体的制造方法。本发明为一种电子零件用粘接剂，其是含有固化性化合物、固化剂和无机填充剂的电子零件用粘接剂，其中，将在25℃下使用E型粘度计测得的5rpm下的粘度设为A1(Pa·s)，将0.5rpm下的粘度设为A2(Pa·s)时，A1和A2/A1在图1的由实线和虚线所包围的范围内(但是，包含实线上的点，而不包含虚线上的点)，相对于100重量份的所述固化性化合物，所述固化剂的配合量为5～150重量份，所述无机填充剂的配合量为60～400重量份。

公开(公告)号：CN1599781A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824131.2

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/10

Abstract: 本发明的目的是提供通过照射光可以在不损伤粘附体的条件下容易地完成剥离的粘合性物质、粘合性制品以及连接结构体。本发明涉及一种粘合性物质，其中含有通过照射光可产生气体的偶氮化合物，由上述偶氮化合物产生的气体的至少一部分释放到上述粘合性物质的外部。

公开(公告)号：CN1537151A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02815153.4

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

公开(公告)号：CN116438274A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180068048.4

申请日：2021-11-11

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平 ,  畠井宗宏 ,  上田洸造

IPC: C09J201/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供：能够抑制对芯片部件的残胶、并且成品率好地转印芯片部件的电子部件的制造方法；使用该电子部件的制造方法的显示装置的制造方法；以及用于该制造方法的支撑带。本发明涉及电子部件的制造方法，其具有：工序(1)，在至少1个表面具有固化型粘合剂层的支撑带的上述固化型粘合剂层上配置芯片部件；工序(2)，从配置了上述芯片部件的上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面照射能量射线；工序(3)，从上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面施加刺激，将芯片部件从支撑带向下一构件转印，上述固化型粘合剂层含有聚合性聚合物和反应引发剂，上述固化型粘合剂层的上述能量射线照射前的365nm的波长处的紫外线吸收率为95％以上，上述能量射线照射后的365nm的波长处的紫外线吸收率为95％以上。

公开(公告)号：CN115244670A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020010.X

申请日：2021-06-18

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 盐岛太郎 ,  佐藤宪一朗 ,  出口英宽 ,  石泽英亮 ,  畠井宗宏 ,  七里德重

IPC: H01L21/60 ,  C08G77/04 ,  C08G77/44 ,  C08L83/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L27/146 ,  B32B7/025

Abstract: 本发明的目的在于提供具有高的电连接可靠性的层叠体、用于该层叠体的固化性树脂组合物、该层叠体的制造方法、用于制造该层叠体的具有接合电极的基板的制造方法、及具有该层叠体的半导体装置和摄像装置。本发明为一种层叠体，其依次含有具有电极的第1基板、有机膜和具有电极的第2基板，上述第1基板所具有的电极与上述第2基板所具有的电极经由贯通上述有机膜的贯通孔而电连接。

公开(公告)号：CN102834907B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180018592.4

申请日：2011-04-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 竹田幸平 ,  石泽英亮 ,  金千鹤 ,  畠井宗宏 ,  西村善雄 ,  冈山久敏

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料，其中，用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上，用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下，在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5～4.5倍。

公开(公告)号：CN102834907A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180018592.4

申请日：2011-04-08

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 竹田幸平 ,  石泽英亮 ,  金千鹤 ,  畠井宗宏 ,  西村善雄 ,  冈山久敏

IPC: H01L21/60 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料，其中，用粘弹性测定装置测得的25℃剪切弹性模量Gr为1×106Pa以上，用流变仪测得的直到软纤料熔点为止的最低复数粘度η*min为5×101Pa·s以下，在140℃的温度、1rad的变形量、1Hz的频率下测得的复数粘度η*(1Hz)是在140℃的温度、1rad的变形量、10Hz的频率下测得的复数粘度η*(10Hz)的0.5～4.5倍。

公开(公告)号：CN1322554C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN1886822A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035346.X

申请日：2004-12-02

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 杉田大平 ,  福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  下村和弘 ,  北岛义一 ,  大山康彦

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明目的在于提供一种能在不导致破损的情况下以高生产率得到半导体芯片的半导体芯片的制造方法。本发明的半导体芯片的制造方法，其中包括：在形成有电路的半导体晶片上粘贴切割用粘合带的粘合带粘贴工序，所述切割用粘合带具有含通过光照产生气体的气体产生剂的粘合剂层；切割已粘贴所述切割用粘合带的晶片，分割成各个半导体芯片的切割工序；对所述被分割的各个半导体芯片照射光，将至少一部分所述切割用粘合带从半导体芯片剥离的剥离工序；和利用无针拾取法拾取所述半导体芯片的拾取工序。