-
公开(公告)号:CN114902388A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202180007808.0
申请日:2021-03-05
Applicant: 积水化学工业株式会社
Inventor: 上田洸造
IPC: H01L21/60 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/50 , H01L21/677
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电子部件的制造方法,其是从在具有粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体,将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法,该制造方法能够减少粘合剂层的残渣,并且以良好的成品率对芯片部件进行转印。另外,本发明的目的在于提供显示装置的制造方法,其包括该电子部件的制造方法。本发明涉及一种电子部件的制造方法,该方法具有:使在具有含有气体产生剂的粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体、与驱动电路基板靠近,使所述芯片部件与所述驱动电路基板的位置对齐的工序(1);和对所述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激,将所述芯片部件从所述转印用层叠体转印至所述驱动电路基板上的工序(2)。
-
公开(公告)号:CN104541356B
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201380041694.7
申请日:2013-08-05
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J11/02 , C09J201/00 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
CPC classification number: C30B33/00 , C09J5/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C30B29/06 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明的目的在于,提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法,该处理方法实现了更高的生产效率。本发明为一种晶片的处理方法,其具有:支承板固定工序,该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂;晶片处理工序,该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序;以及支承板剥离工序,该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体,从而将支承板从晶片上剥离的工序,其中,在所述支承板剥离工序中,使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。
-
公开(公告)号:CN104520974A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201380042206.4
申请日:2013-08-06
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/00 , C09J11/06 , C09J157/00
CPC classification number: B32B37/1207 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B43/006 , B32B2037/1253 , B32B2307/20 , B32B2310/0806 , B32B2457/14 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种晶片的处理方法,其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法,所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序,但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力,并且,能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法,其具有:支承板固定工序,其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分;胶粘剂固化工序,其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序;晶片处理工序,其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序;和支承板剥离工序,其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。
-
公开(公告)号:CN117133700A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202310595994.5
申请日:2023-05-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种临时固定带,其适合用于具有激光剥离工序的半导体器件的制造方法,能够降低激光对半导体器件的损伤,能够容易地剥离。另外,提供一种半导体器件的制造方法,其具有激光剥离工序,能够降低激光对半导体器件的损伤,能够容易地剥离临时固定带。一种临时固定带,其至少具有基材和层叠于上述基材的一个面的第1粘合剂层,对于将上述临时固定带的上述第1粘合剂层侧贴附于玻璃而成的层叠体,以照射能量2000mJ/cm2以下从上述玻璃的背面照射波长360nm以下的激光后,当在上述临时固定带的上述基材被固定的状态下,沿相对于上述玻璃的上述背面垂直方向施加40N的力时,上述第1粘合剂层与上述基材的界面发生剥离。
-
公开(公告)号:CN104541356A
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201380041694.7
申请日:2013-08-05
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J7/02 , C09J11/02 , C09J201/00 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/683
CPC classification number: C30B33/00 , C09J5/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C30B29/06 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 本发明的目的在于,提供在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法,该处理方法实现了更高的生产效率。本发明为一种晶片的处理方法,其具有:支承板固定工序,该工序是借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述胶粘剂组合物含有胶粘剂成分和通过照射紫外线而产生气体的气体发生剂;晶片处理工序,该工序是对固定于所述支承板的晶片实施处理的工序;以及支承板剥离工序,该工序是对所述处理后的晶片照射紫外线而由所述气体发生剂产生气体,从而将支承板从晶片上剥离的工序,其中,在所述支承板剥离工序中,使用照射强度为100mW/cm2以上的点状或线状的紫外线且按照扫描晶片的整个面的方式进行照射。
-
公开(公告)号:CN117545815A
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202280043966.6
申请日:2022-10-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J7/38
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合带,其在承接芯片部件时能够良好地贴附芯片部件,在再转印芯片部件时能够发挥优异的剥离性能,抑制芯片部件上的残胶。本发明的粘合带具有至少一层基材和至少一层粘合剂层,上述粘合剂层的频率10Hz、‑20℃下的剪切储能模量G’为1MPa以下,在粘贴面积为10mm×10mm时,上述粘合带相对于SUS的面剥离强度为0.5MPa以下。
-
公开(公告)号:CN117242151A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202280032275.6
申请日:2022-10-20
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J7/38
Abstract: 本发明的目的在于提供一种粘合带,其在承接芯片部件时能够良好地粘贴芯片部件,在再转印芯片部件时能够发挥优异的剥离性能,抑制芯片部件上的残胶。本发明为一种粘合带,其具有粘合剂层,上述粘合剂层的滚球初粘力为No12以下,上述粘合剂层的厚度t(μm)与上述粘合剂层的23℃、1Hz下的剪切储能模量G’(kPa)之比t/G’为1以上。
-
公开(公告)号:CN116438274A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202180068048.4
申请日:2021-11-11
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: C09J201/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供:能够抑制对芯片部件的残胶、并且成品率好地转印芯片部件的电子部件的制造方法;使用该电子部件的制造方法的显示装置的制造方法;以及用于该制造方法的支撑带。本发明涉及电子部件的制造方法,其具有:工序(1),在至少1个表面具有固化型粘合剂层的支撑带的上述固化型粘合剂层上配置芯片部件;工序(2),从配置了上述芯片部件的上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面照射能量射线;工序(3),从上述支撑带的与层叠了上述芯片部件的面相反侧的面施加刺激,将芯片部件从支撑带向下一构件转印,上述固化型粘合剂层含有聚合性聚合物和反应引发剂,上述固化型粘合剂层的上述能量射线照射前的365nm的波长处的紫外线吸收率为95%以上,上述能量射线照射后的365nm的波长处的紫外线吸收率为95%以上。
-
公开(公告)号:CN104520974B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201380042206.4
申请日:2013-08-06
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/00 , C09J11/06 , C09J157/00
CPC classification number: B32B37/1207 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B43/006 , B32B2037/1253 , B32B2307/20 , B32B2310/0806 , B32B2457/14 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供一种晶片的处理方法,其是在借助胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的状态下对晶片进行处理的晶片的处理方法,所述晶片的处理方法虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的晶片处理工序,但仍然可在晶片处理工序时维持充分的粘接力,并且,能够在晶片处理工序结束后将支承板从晶片剥离而不会损伤晶片或发生胶糊残留。本发明为一种晶片的处理方法,其具有:支承板固定工序,其是借助含有固化型胶粘剂成分的胶粘剂组合物将晶片固定于支承板的工序,其中,所述固化型胶粘剂成分是通过光照射或加热而发生交联、固化的固化型胶粘剂成分;胶粘剂固化工序,其是对所述胶粘剂组合物照射光或进行加热而使固化型胶粘剂成分交联、固化的工序;晶片处理工序,其是对固定于所述支承板的晶片的表面实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序;和支承板剥离工序,其是从所述处理后的晶片剥离支承板的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-