公开(公告)号：CN100334689C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1592953A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03801502.1

申请日：2003-04-09

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  大山康彦 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10S438/977

Abstract: 在将由通道划分的区域中形成了电路的半导体晶片W分割成各个电路的半导体芯片的情况下，通过靠激发而降低粘结力的粘结片，在支承板(13)上粘贴半导体晶片W的表面，使半导体晶片W的背面(10)露出，对与支承板(13)一体的半导体晶片W的背面(10)进行研磨，在将背面(10)向上保持的状态下，将研磨结束的与支承板(13)一体的半导体晶片W分割成半导体芯片C，激发粘结片，使粘结力下降，将半导体芯片C从支承板(13)中拆下。由于半导体晶片和半导体芯片始终被支承在支承板上，所以可以防止发生破损、变形等。

公开(公告)号：CN1507651A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嵨兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN1322554C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN03800232.9

申请日：2003-01-15

Applicant: 积水化学工业株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 福冈正辉 ,  大山康彦 ,  畠井宗宏 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  北村政彦 ,  矢嶋兴一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09J5/08 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的是提供一种IC片的生产方法，其中，可以防止晶片受损，能够改善处理晶片的容易程度，因此，即使晶片的厚度极度降低至约50μm，也能够适当地将晶片加工成IC片。本发明提供一种IC片的生产方法，其至少包括：用支撑胶带将晶片固定在支撑板上的步骤，支撑胶带具有包括含由于刺激而生成气体的气体发生剂的粘结剂(A)的表面层和包括粘结剂(B)的表面层；用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的时候将所述晶片抛光的步骤；将切块胶带粘结在所述抛光晶片上的步骤；为所述粘结剂(A)层提供所述刺激的步骤；将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤；将所述晶片切块的步骤，在用所述支撑胶带将所述晶片固定在所述支撑板上的步骤中包括将所述包括粘结剂(A)的表面层粘结在所述晶片上和将所述包括粘结剂(B)的表面层粘结在所述支撑板上，在负压下从其切块胶带侧均匀抽吸整个所述晶片的同时提供所述刺激，然后在为所述粘结剂(A)层提供刺激的步骤中和在将所述支撑胶带从所述晶片上除去的步骤中，将所述支撑胶带从所述晶片上除去。

公开(公告)号：CN119156423A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202380041819.X

申请日：2023-09-21

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 西海由季 ,  高桥骏夫 ,  七里德重 ,  林聪史 ,  冈山久敏 ,  大同和泉 ,  森千惠子

IPC: C08L79/08 ,  C08F2/44 ,  C08F20/00 ,  C08F290/06 ,  C08F291/12 ,  C08G73/10 ,  C08K5/3415 ,  C08L33/00 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J179/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制加热处理中的空隙和浮起的产生、并在加热处理后能够容易地剥离的树脂组合物。另外，本发明的目的在于提供包含该树脂组合物的临时固定材料、以及使用了该临时固定材料的电子部件的制造方法。本发明涉及一种树脂组合物，其含有在主链的重复单元中具有酰亚胺骨架的树脂和（甲基）丙烯酸系共聚物。

公开(公告)号：CN1585809A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN02822537.6

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/06 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/38 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2861

Abstract: 本发明的目的是提供通过给予刺激而在不损伤粘附体的条件下可以容易地完成剥离的粘合性物质，使用它的胶带以及粘合性物质的剥离方法。本发明涉及一种粘合性物质，是含有受刺激后可产生气体的气体发生剂的粘合性物质，由上述气体发生剂产生的气体被释放到上述粘合性物质之外，不会使上述粘合性物质发泡，而且，由上述气体发生剂产生的气体可从粘附体上剥下上述粘合性物质的接合面的至少一部分，从而使粘合力下降。

公开(公告)号：CN1075771C

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN96107782.4

申请日：1996-05-30

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 松扉初 ,  坂东明彦 ,  植田直树 ,  林聪史

IPC: B32B27/36 ,  C03C27/12

CPC classification number: B32B17/10018 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10605 ,  B32B17/10688 ,  B32B17/10743 ,  B32B17/10761 ,  B32B17/10788 ,  B32B2369/00

Abstract: 本发明涉及夹层玻璃用中间膜，它是由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物100重量份、透明性改良剂0.01～4重量份、具有有机官能团和加水分解性基团的硅烷偶合剂0.01～4重量份和松香类树脂或烃类树脂1～40重量份构成的树脂组合物所形成的。本发明还涉及一种车辆侧窗用夹层玻璃，它是一种可以将车辆侧窗设计成能够升降的，由中间膜介在多块玻璃板之间进行层压加工而成的夹层玻璃，而上述的中间膜是由一种含有乙烯-乙酸乙烯酯共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物或这些共聚物的改性物作为主成分的树脂组合物所形成的。

公开(公告)号：CN114341296A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062479.5

申请日：2020-11-05

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 林聪史 ,  菱田诚

IPC: C09J7/38 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/06 ,  C08F220/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于提供不损害切割时的粘接性且在拾取半导体封装时能够容易地剥离的半导体加工用层叠体和半导体加工用粘合带。另外，本发明的目的在于提供使用了该半导体加工用粘合带的半导体装置的制造方法。本发明的半导体加工用层叠体具有临时固定带和层叠于上述临时固定带上的半导体加工用粘合带，上述临时固定带至少具有粘合剂层，上述半导体加工用粘合带具有基材和层叠于上述基材的一个面的粘合剂层，上述半导体加工用粘合带以上述半导体加工用粘合带的上述基材与上述临时固定带的上述粘合剂层接触的方式层叠于上述临时固定带上，上述半导体加工用粘合带和上述临时固定带满足下述式(1)。2.0×10‑3≤(Fa/Fb)≤6.0×10‑2(1)式(1)中，Fa表示将半导体加工用粘合带贴附于铜板并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力，Fb表示将临时固定带贴附于半导体加工用粘合带的基材面并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力。

公开(公告)号：CN100336880C

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN02815153.4

申请日：2002-06-03

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 畠井宗宏 ,  福冈正辉 ,  林聪史 ,  檀上滋 ,  大山康彦 ,  下村和弘 ,  长谷川刚

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/128 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供涉及即使是厚度50μm左右的极薄的晶片也可以防止晶片的破损等、改善操作性并且可以很好地向IC芯片的加工的，进而剥离容易的两面胶以及使用它的IC芯片的制造方法。本发明是至少一面含有通过刺激产生气体的气体发生剂的两面胶。

公开(公告)号：CN117946520A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410019252.2

申请日：2021-09-22

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 高桥骏夫 ,  七里德重 ,  林聪史 ,  大同和泉 ,  星野文香

IPC: C08L79/08 ,  C08K5/3415 ,  C09J179/08 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于，提供即使在将被粘物与支撑体固定的状态下进行300℃以上的高温加工处理的情况下也能够抑制与支撑体之间的空隙及隆起的产生、在经过高温加工处理后能够容易地剥离的固化性树脂组合物。另外，本发明的目的在于，提供具有由该固化性树脂组合物形成的粘接剂层的临时固定材料、及使用了该临时固定材料的电子部件的制造方法。本发明涉及一种固化性树脂组合物，其含有具有马来酰亚胺基的反应性化合物(1)、和在主链的重复单元中具有酰亚胺骨架的树脂(2)。