一种LED屏显示亮度调整装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN109712561A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910135477.3

    申请日:2019-02-23

    Abstract: 本发明涉及一种LED屏显示亮度调整装置及其控制方法,包括依次连接的第一照度检测模块、分区点屏控制模块、分屏照度采集模块、位置参数获取模块、等效照度求取模块、不均衡度求解模块、亮度调整系数求解模块和亮度控制模块。本发明将LED屏分为多份,分别检测各个子分区的第一照度值,通过求解等效照度值,求解各个子分区的亮度调整系数,以便使得各个分屏能够亮度均衡。

    一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法

    公开(公告)号:CN104701360B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510115322.5

    申请日:2015-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法,制作方法包括:步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO2、N型掺杂锗薄膜和SiO2层,所述埋层SiO2的厚度≥200nm,N型掺杂锗薄膜的厚度为≤30nm;N型掺杂锗薄膜中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素,掺杂元素的浓度≥1017cm‑3。本发明通过在顶层硅或锗硅合金薄膜中掺入杂质原子,然后再进行锗浓缩,一方面提高了锗中的N型掺杂浓度,另一方面,长时间的氧化退火过程及时地修复了离子注入或者外延生长过程中带来的晶体缺陷,制备得到的N型掺杂锗具有更高的晶体质量。

    室内相控电子声聚焦式飞行昆虫驱离与灭杀方法及装置

    公开(公告)号:CN105432593A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510836576.6

    申请日:2015-11-24

    CPC classification number: A01M29/16 A01M1/226 A01M2200/012

    Abstract: 本发明公开了一种室内相控电子声聚焦式飞行昆虫驱离与灭杀方法及装置,包括若干声换能器,声换能器组合成为阵列声换能器;阵列声换能器连接有信号采集与处理装置、FPGA芯片、旋转与移动控制装置和驱动电源;阵列声换能器通过信号发生电路与FPGA芯片相连;FPGA芯片连接信号采集与处理装置;步骤为接收飞行昆虫翅膀振动的信号后进行定位并发射声音信号对飞行昆虫进行驱除或灭杀。本发明利用阵列声换能器接收飞行昆虫的翅膀振动声信号,进行高速定位、识别与信号频率获取,再通过FPGA控制声换能器的发射激励,将特定频率的声场能量会聚于指定区域并产生高强度声场,再利用高强度声场作用于飞行昆虫后产生机械效应原理将聚焦区域内的飞行昆虫进行驱离或灭杀。

    一种高速大视场多光谱光声成像方法及其装置

    公开(公告)号:CN104706323A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201510118998.X

    申请日:2015-03-18

    CPC classification number: A61B5/0075 A61B5/0095 G01N21/1702 G01N21/25

    Abstract: 本发明公开了一种高速大视场多光谱光声扫描成像方法及其装置,所述扫描成像方法利用一维扫描振镜与F-theta透镜组将准直后的脉冲激光会聚成的线形光斑激发组织体产生光致超声信号,利用置于侧向的声反射镜反射光声信号后,由非聚焦超声换能器接收外传超声信号。系统仅需一维扫描器扫描且无需算法即可高速获取二维光声吸收分布图的方法。所述扫描成像装置,包括光声激发光源发生组件、超声耦合组件、光声信号采集、器件扫描同步控制组件。该扫描成像方法仅通过一维光学扫描方式还降低扫描控制的难度与加快了成像时间,实现了大视场、高分辨的二维层析成像。该扫描成像装置简易,造价低廉,便携且易于推广与临床监测。

    一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法

    公开(公告)号:CN104701360A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510115322.5

    申请日:2015-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法,制作方法包括:步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO2、N型掺杂锗薄膜和SiO2层,所述埋层SiO2的厚度≥200nm,N型掺杂锗薄膜的厚度为≤30nm;N型掺杂锗薄膜中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素,掺杂元素的浓度≥1017cm-3。本发明通过在顶层硅或锗硅合金薄膜中掺入杂质原子,然后再进行锗浓缩,一方面提高了锗中的N型掺杂浓度,另一方面,长时间的氧化退火过程及时地修复了离子注入或者外延生长过程中带来的晶体缺陷,制备得到的N型掺杂锗具有更高的晶体质量。

    一种基于光声光谱的中药汤剂成分检测方法及装置

    公开(公告)号:CN106769878B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN201611139132.8

    申请日:2016-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于光声光谱的中药汤剂成分检测方法,包括以下步骤:将中药汤剂样品放入样品容器内,所述样品容器的一面设有台型柱面透镜;将偏振激光从台型柱面透镜的一侧射向样品容器,偏振激光经过样品界面反射后由检测设备接收;将可调整的脉冲激光垂直射向样品界面,样品受激产生外传光声信号;外传光声信号形成的光声压使偏振激光在样品界面处反射后的偏振态发生改变,检测设备接收偏振激光后产生电信号,并将电信号传输到数据处理设备中;逐次调整短脉冲激光的波长,数据处理设备将每次收到的电信号处理为光谱图表,并进行成分标定,实现对样品成分的检测与鉴别。

    打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法

    公开(公告)号:CN106426189B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201610550103.4

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 本发明提供一种打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法,对每一批次待打磨的工件,首先通过操作员手动示教方式选取一个标准件,再通过检测装置测定该标准件的位置数据;由控制计算机发送指令,使机器人自动夹取待纠偏工件,通过检测装置测定该待纠偏工件的位置数据;控制计算机对标准件的位置数据和待纠偏工件的位置数据进行纠偏计算,得出待纠偏工件相对于标准件的位移和角度的偏转值,并输送给机器人控制器;机器人控制器根据所述位移和角度的偏转值对待纠偏工件进行坐标调整,控制机械臂以坐标调整后的位置进行打磨抛光作业,完成工件的在线纠偏加工。本发明可实现工件在线自动纠偏功能,大幅提高产品加工质量,减少残次品率。

    基于Zigbee技术的书籍查找系统及其方法

    公开(公告)号:CN109598316A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811511313.8

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明公开基于Zigbee技术的书籍查找系统及其方法,系统包括图书馆信息系统、Zigbee射频模块、Zigbee接收模块、书架、排号指示灯和层列指示灯,图书馆信息系统连接Zigbee射频模块,每个书架侧面嵌入Zigbee接收模块,Zigbee接收模块用来接收Zigbee射频模块发送过来的信号,Zigbee接收模块控制排号指示灯以及层列指示灯亮起,每个书架均对应安装一个排号指示灯和一个层列指示灯,排号指示灯用来指示当前书架的排号,层列指示灯用来指示使用者定位到所需书籍的具体位置。本发明结构简单,成本低廉,便于高效的定位查找需借阅的书籍。

    一种人字拖自动装配系统及方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108323872A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810306949.2

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种人字拖自动装配系统及方法,工作台上设有推料机构、出料机构、压料机构、视觉识别系统、拉带机构、鞋带输送机构;出料机构、压料机构并列设于工作台上表面,推料机构包括推料杆、滑块、丝杆、推料电机,视觉识别系统包括工业相机;拉带机构包括三台拉带气缸,拉带气缸分别安装有鞋带夹具,鞋带输送系统包括抓手机器人,抓手机器人与视觉识别系统连接,根据视觉识别系统反馈信息调整鞋带位置和姿态。本发明的人字拖自动装配系统借助视频识别系统和机器人抓手,实现了人字拖生产中鞋带与鞋底装配的自动化,鞋带夹具设计简单,穿带效果好。

    一种提高锗薄膜张应变的制备方法

    公开(公告)号:CN104681430B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510081779.9

    申请日:2015-02-15

    Abstract: 本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法,包括如下步骤:步骤一)准备材料;步骤二)退火;步骤三)冷却处理;步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理,就能获得一定量的张应变,对锗薄膜的厚度没有限制,具有工艺简单,容易实现,制备成本低,适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中,与硅基CMOS工艺相兼容。

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