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公开(公告)号：CN104701360B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510115322.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01L29/36 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法，制作方法包括：步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO2、N型掺杂锗薄膜和SiO2层，所述埋层SiO2的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜的厚度为≤30nm；N型掺杂锗薄膜中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素，掺杂元素的浓度≥1017cm‑3。本发明通过在顶层硅或锗硅合金薄膜中掺入杂质原子，然后再进行锗浓缩，一方面提高了锗中的N型掺杂浓度，另一方面，长时间的氧化退火过程及时地修复了离子注入或者外延生长过程中带来的晶体缺陷，制备得到的N型掺杂锗具有更高的晶体质量。
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公开(公告)号：CN104701360A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510115322.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01L29/36 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料及其制作方法，制作方法包括：步骤一)放置材料、步骤二)材料外延、步骤三)锗浓缩。制得的绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料的结构自下而上依次为硅衬底、阻止N型杂质原子向硅衬底扩散的埋层SiO2、N型掺杂锗薄膜和SiO2层，所述埋层SiO2的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜的厚度为≤30nm；N型掺杂锗薄膜中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素，掺杂元素的浓度≥1017cm-3。本发明通过在顶层硅或锗硅合金薄膜中掺入杂质原子，然后再进行锗浓缩，一方面提高了锗中的N型掺杂浓度，另一方面，长时间的氧化退火过程及时地修复了离子注入或者外延生长过程中带来的晶体缺陷，制备得到的N型掺杂锗具有更高的晶体质量。
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公开(公告)号：CN104681430A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510081779.9
申请日：2015-02-15
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法，包括如下步骤：步骤一)准备材料；步骤二)退火；步骤三)冷却处理；步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理，就能获得一定量的张应变，对锗薄膜的厚度没有限制，具有工艺简单，容易实现，制备成本低，适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中，与硅基CMOS工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN104681430B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510081779.9
申请日：2015-02-15
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法，包括如下步骤：步骤一)准备材料；步骤二)退火；步骤三)冷却处理；步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理，就能获得一定量的张应变，对锗薄膜的厚度没有限制，具有工艺简单，容易实现，制备成本低，适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中，与硅基CMOS工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN204481030U
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201520149937.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 福建工程学院
IPC: H01L29/36 , H01L21/22 , H01L21/324
Abstract: 本实用新型公开了一种绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构，所述绝缘层上高浓度N型掺杂薄锗材料结构自下而上依次为硅衬底层、阻止N型杂质原子向硅衬底层扩散的SiO2埋层、N型掺杂锗薄膜层和由Si氧化生成的SiO2层，所述SiO2埋层的厚度≥200nm，N型掺杂锗薄膜层的厚度为≤30nm；N型掺杂锗薄膜层中掺杂元素为磷元素、砷元素或锑元素，掺杂元素的浓度≥1017cm-3。本实用新型的N型掺杂锗具有更高的晶体质量和掺杂浓度，锗薄膜中载流子的激活率也较高。
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