公开(公告)号：CN103606591B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201310571098.1

申请日：2013-11-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  龙博 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  郑巧

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5 Ω·cm、1.411 cm2/(V·s)和2.165×1016 cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。

公开(公告)号：CN103531660B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

公开(公告)号：CN103367639B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310316077.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  王玉柱 ,  程树英 ,  林培杰 ,  章杰 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  张红 ,  贾宏杰

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。

公开(公告)号：CN111554754A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439637.6

申请日：2020-05-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 王星辉 ,  李王阳 ,  程树英 ,  邓辉 ,  贾宏杰

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01M4/58 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种硫化锑薄膜的快速制备方法，在真空腔室中，将衬底置于表层导热性能良好的基片架上，衬底的金属表面朝向下侧，将均布有硫化锑粉末的基底，即蒸发源置于基片架下侧，衬底与蒸发源之间距离为10~20 mm；通过温度控制进行硫化锑粉末蒸发和沉积，直接在所述衬底的金属表面上生长得到硫化锑薄膜，硫化锑薄膜生长速度大于1.2μm/min。该方法有利于快速、高效地制备得到高质量的硫化锑薄膜。

公开(公告)号：CN103367639A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310316077.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  王玉柱 ,  程树英 ,  林培杰 ,  章杰 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  张红 ,  贾宏杰

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。

公开(公告)号：CN203325914U

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201320337099.5

申请日：2013-06-13

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  林斯乐 ,  赖云锋 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  贾宏杰 ,  张红 ,  马靖

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  B32B3/24

Abstract: 本实用新型涉及一种多孔氧化铝太阳能电池玻璃，其特征在于，包括：一透明基板；一第一多孔结构薄膜，设置于所述透明基板上方；一第二多孔结构薄膜，设置于所述第一多孔结构薄膜上方。本实用新型不仅能增强玻璃的光透射能力，而且有一定的光散射能力，并且，制备技术较为简单，成本较低。