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公开(公告)号:CN103606591B
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201310571098.1
申请日:2013-11-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法,包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用,使得所制备的薄膜的性能有所提高,具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制,制备成本低廉,操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件,通过测试表明:在500℃的硫化温度下,硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好,其中,光学带隙1.47eV,电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5 Ω·cm、1.411 cm2/(V·s)和2.165×1016 cm-3,适宜作为太阳电池的吸收层材料。
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公开(公告)号:CN103531660B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201310486713.9
申请日:2013-10-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用,采用化学浴沉积法制备薄膜,属于非真空化学气相沉积,该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率,测试表明:当在ZnS中掺杂2at.%的In时,薄膜的杂质相少、光学透过率高(可见光区的光学透过率约为85%)、电阻率低(2.6×105Ωcm)。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。
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公开(公告)号:CN103367639B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201310316077.5
申请日:2013-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器,包括:一氧化硅片衬底;一下电极,设置于所述氧化硅片衬底上方;一阻变纳米线,设置于所述下电极上方;一上电极,设置于所述阻变纳米线上方;其中,所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性,由于采用铜作为掺杂物质,增加了氧化锌内部的氧空位,从而降低了写操作电流和电压,功耗也随着减小。
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公开(公告)号:CN114944472B
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202210529015.1
申请日:2022-05-16
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/139 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 本发明公开了一种全固态薄膜锂电池的低温制备方法,该发明以旋涂纳米材料低温制备薄膜电极,并以低温溅射LiPON为固态电解质,实现全固态锂电池的低温制备。该步骤包括:利用旋涂先将纳米结晶电极粉末制备厚度可控、表面光滑和均一性好的薄膜电极,并通过溅射或进一步旋涂低温制备全固态薄膜锂电池。本发明具有可避免高温退火结晶、操作简便、容易实现、低温制备、可利用现有电极材料体系开发全固态薄膜锂离子电池等优点。
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公开(公告)号:CN111554872A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010439935.5
申请日:2020-05-22
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池自支撑硒化锑负极及其制备方法,该负极包括柔性集流体和直接生长于所述集流体表面的负极材料,所述柔性集流体为柔性金属箔,所述负极材料为具有微米片或微米柱结构的硒化锑。该制备方法为:在真空腔室内,将金属箔作为衬底,将硒化锑粉末均匀撒布于金属箔下侧的基底上作为蒸发源,控制两者之间距离为10~30 mm;控制真空腔室内衬底与蒸发源的温差使硒化锑在金属箔上快速沉积,温差为290~475℃,沉积时间为150~250 s,沉积完成后快速冷却得到自支撑硒化锑负极。该负极及其制备方法工艺简单,性能好,成本低,易于实现。
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公开(公告)号:CN104103756A
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201410357066.6
申请日:2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法,所述阻变存储器包括:一基片;一第一端电极,设置于基片上;一经等离子处理过的阻变存储介质,设置于第一端电极的右侧或上方;一第二端电极,设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为:采用限制流经阻变存储介质电流的方式,对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态,从而重复、稳定地实现多值存储。
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公开(公告)号:CN203325914U
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN201320337099.5
申请日:2013-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , B32B3/24
Abstract: 本实用新型涉及一种多孔氧化铝太阳能电池玻璃,其特征在于,包括:一透明基板;一第一多孔结构薄膜,设置于所述透明基板上方;一第二多孔结构薄膜,设置于所述第一多孔结构薄膜上方。本实用新型不仅能增强玻璃的光透射能力,而且有一定的光散射能力,并且,制备技术较为简单,成本较低。
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