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公开(公告)号：CN101427367A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200780014043.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H01L23/3733 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/52 , C04B41/88 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C22C1/1036 , C22C29/065 , C22C32/0063 , C22C2001/1073 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12479 , Y10T428/24496 , Y10T428/24999 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B41/515 , C04B14/4631 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B35/565 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝－碳化硅复合体。该电源模块用底板的特征在于，由铝－碳化硅复合体形成，该复合体通过将平板状碳化硅多孔体成形或加工成面内厚度差为100μm以下后以1～20Nm的面方向的紧固力矩用脱模板夹持而层叠、并使其含浸以铝为主要成分的金属而得到；在两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，该铝层的平均厚度为10～150μm，铝层的面内厚度的最大值与最小值之差为80μm以下，两主面的铝层的平均厚度之差为50μm以下，且上述碳化硅多孔体的形状是长方形，或是在长方形上附加了将孔部包围的部分的外周部而形成的形状。
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公开(公告)号：CN1977378A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021286.0
申请日：2005-09-07
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H05K1/05 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/15 , H01L23/3733 , H01L2924/0002 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K2201/0116 , H05K2201/09018 , Y10T428/12007 , Y10T428/249957 , Y10T428/249971 , Y10T428/249974 , Y10T428/249986 , Y10T428/249987 , Y10T428/24999 , Y10T428/26 , C04B35/565 , C04B38/00 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为对可靠性有高要求的搭载半导体零部件的陶瓷电路板的基板使用的铝－碳化硅质复合体。它是在平板状的碳化硅质多孔体中含浸以铝为主成分的金属而构成的、两个主面具有以铝为主成分的金属形成的铝层、一个主面被接合于电路板、另一主面被作为散热面使用的铝－碳化硅质复合体，该复合体的特征在于，将碳化硅质多孔体的散热面成形或机械加工为凸型的弯曲形状，含浸以铝为主成分的金属后，进一步地对散热面的铝层进行机械加工形成弯曲。
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公开(公告)号：CN105886825A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610280671.7
申请日：2009-07-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C22C1/10 , H01L23/373
CPC classification number: C22C26/00 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C2204/00 , H01L21/4882 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01S5/02484 , Y10T428/12361 , Y10T428/12625 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/26 , C22C1/10 , B22F3/11 , B22F3/20 , H01L2924/00 , C22C1/1036 , C22C2001/1073
Abstract: 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝?金刚石类复合体。所述铝?金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝?金刚石类复合体，其特征在于，所述铝?金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝?金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。
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公开(公告)号：CN102473829A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033749.6
申请日：2010-07-16
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L33/62 , H01L23/373 , H01L33/64
CPC classification number: H01L33/641 , H01L23/142 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L33/647 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供散热性得到显著改善的可靠性高的LED封装体、LED封装体的制造方法、以及在该LED封装体中使用的LED芯片接合体。LED封装体的特征在于，LED芯片接合体(10)与电路基板(11)接合，所述电路基板(11)是通过在金属基板(5)上隔着绝缘层(4)形成金属电路(3)而制成，上述LED芯片接合体的LED芯片(1)与上述电路基板的金属电路(3)通过电连接构件(9)连接，至少上述LED芯片接合体和上述电连接构件是由含有荧光物质的树脂密封材料(8)密封。
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公开(公告)号：CN102149655A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135909.5
申请日：2009-07-14
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: C04B41/88 , C04B35/52 , C22C21/00 , C22C26/00 , H01L23/373
CPC classification number: C04B41/88 , B22D19/00 , B22D19/14 , B22F7/04 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C04B35/52 , C04B35/62227 , C04B35/6263 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/6027 , C04B2235/658 , C22C21/00 , C22C26/00 , H01L21/4871 , H01L23/3732 , H01L23/3736 , H01L2924/0002 , C04B41/4523 , C04B41/5096 , C04B38/00 , B22F3/11 , B22F3/26 , B22F3/1003 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的铝-金刚石类复合体的制备方法的特征在于，包括如下步骤：准备具有特定的粒径的金刚石粉末的步骤；对所述金刚石粒粉末添加胶态二氧化硅而得到浆料的步骤；通过对所述浆料进行冲压成形或浇铸成形，制备所述金刚石粒子的成形体的步骤；在大气中或氮气气氛下对所述成形体进行烧成，得到多孔金刚石成形体的步骤；加热所述多孔金刚石成形体的步骤；将铝合金加热至熔点以上，使其浸渗至所述多孔金刚石成形体中，制备两面被含有以铝为主要成分的金属的表面层覆盖的平板状的铝-金刚石类成形体的步骤；加工所述铝-金刚石类成形体，从而制备铝-金刚石类复合体的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102484188B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201080034961.4
申请日：2010-07-29
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: C04B35/565 , B22F2998/10 , C04B35/52 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2235/3826 , C04B2235/427 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C22C1/1036 , C22C1/1094 , C22C26/00 , C22C29/065 , C22C29/16 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/23 , C04B38/00 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/185 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4572 , C04B41/5031 , C04B41/4529 , C04B41/4574 , C04B41/5111 , C04B41/5144 , C04B41/522 , C04B41/4564 , C04B41/5116 , B22F3/04 , C23C16/00 , C25D7/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与LED在线性热膨胀系数上的差异小且导热性优异的LED搭载用晶片、该LED搭载用晶片的制造方法、以及使用该LED搭载用晶片制造的LED搭载结构体。优选LED搭载用晶片(6)是由金属浸渗陶瓷复合体(61)以及在其周围形成的保护层(62)构成，金属浸渗陶瓷复合体(61)在表面具有金属薄层(63)。一种晶片的制造方法，其特征在于，在金属制或陶瓷制的管状体的内部填充选自陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者，之后，使选自这些陶瓷多孔体、陶瓷粉末成形体及陶瓷粉末中的至少一者所具有的空隙部浸渗金属，然后进行加工。
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公开(公告)号：CN101438401B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200780015978.3
申请日：2007-05-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/15 , B22D19/00 , B24C1/00 , B26F3/00 , C04B35/565 , C04B41/88 , C04B41/91 , C22C29/06 , H01L23/12 , H01L23/36 , C22C1/10
CPC classification number: C04B41/88 , B22D19/14 , B24C1/045 , B26F3/004 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B2111/00844 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/6583 , C22C29/065 , H01L21/4878 , H01L23/147 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L23/4922 , H01L2924/0002 , Y10T428/24999 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/4572 , C04B41/5096 , C04B41/515 , C04B41/53 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为功率模块用底板等的铝—碳化硅质复合体。它是将以铝为主要成分的金属含浸至平板状的碳化硅质多孔体中而形成的铝—碳化硅质复合体，其特征在于，两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，对侧面部及孔部进行水喷射加工，使侧面不具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层。
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公开(公告)号：CN102318093A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201080007859.5
申请日：2010-02-10
Applicant: 电气化学工业株式会社
CPC classification number: B22D18/02 , B22F3/26 , B22F2998/10 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C26/00 , C22C29/06 , C22C29/12 , C22C29/16 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12007 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B41/5155 , C04B41/4541 , C04B41/5144 , C04B41/51 , C04B41/522 , C04B35/04 , C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B35/505 , C04B41/00 , C23C30/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供与构成LED的III-V族半导体晶体的线热膨胀系数差较小且导热性优良，适合作为高功率LED使用的LED发光元件用基板。如下制备LED发光元件用复合材料基板：通过液态模锻法、以30MPa以上的浸渗压力使铝合金或纯铝浸渗多孔体，裁切和/或磨削加工成板厚为0.05-0.5mm、表面粗糙度(Ra)为0.01-0.5μm后，在表面形成含有选自Ni、Co、Pd、Cu、Ag、Au、Pt、Sn中的1种以上的金属的金属层，使得金属层厚度达到0.5-15μm，所述多孔体由选自碳化硅、氮化铝、氮化硅、金刚石、石墨、氧化钇及氧化镁中的1种以上形成，气孔率为10-50体积％，3点弯曲强度为50MPa以上。
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公开(公告)号：CN102149493A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135968.2
申请日：2009-07-08
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: B22D19/00 , B22D18/02 , C22C1/10 , H01L23/373
CPC classification number: C22C26/00 , B22F3/26 , B22F7/04 , B22F2998/00 , B22F2998/10 , C22C2204/00 , H01L21/4882 , H01L23/3732 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H01S5/02484 , Y10T428/12361 , Y10T428/12625 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/24322 , Y10T428/24355 , Y10T428/26 , C22C1/10 , B22F3/11 , B22F3/20 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供兼具高导热系数以及接近半导体元件的热膨胀率且改善了表面的镀敷性及表面粗糙度而适用于半导体元件的散热器等的铝-金刚石类复合体。所述铝-金刚石类复合体是含有金刚石粒子和以铝为主要成分的金属的平板状的铝-金刚石类复合体，其特征在于，所述铝-金刚石类复合体包括复合化部及设置在上述复合化部的两面的表面层，上述表面层由含有以铝为主要成分的金属的材料形成，上述金刚石粒子的含量占上述铝-金刚石类复合体整体的40体积％～70体积％。
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公开(公告)号：CN101361184B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680051032.8
申请日：2006-11-13
Applicant: 电气化学工业株式会社
IPC: H01L23/373 , C04B35/565 , C04B41/88 , C22C29/06 , H01L23/12
CPC classification number: H01L23/13 , C04B35/565 , C04B35/71 , C04B41/009 , C04B41/5155 , C04B41/88 , C04B2111/00844 , C04B2235/3217 , C04B2235/3418 , C04B2235/402 , C04B2235/5436 , C04B2235/5472 , C04B2235/77 , C04B2235/9607 , C22C1/0475 , C22C1/051 , C22C29/065 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , Y10T428/12361 , Y10T428/12389 , Y10T428/12479 , Y10T428/12736 , Y10T428/12993 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/249957 , Y10T428/249969 , Y10T428/249974 , C04B41/4521 , C04B41/4523 , C04B38/00 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝-碳化硅复合体。该电源模块用底板是以铝为主要成分的金属浸渗入平板状碳化硅多孔体所形成的铝-碳化硅复合体，其特征在于，仅在一主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，在作为另一主面的背面上铝-碳化硅复合体露出，其形状为长方形或在长方形上附加了将外周部的孔部包围的部分而形成的形状。通过在一主面上配置铝层来赋予可镀性，通过磨削加工背面使铝-碳化硅复合体露出来提高平面度，进而通过控制上述铝层的厚度来控制背面磨削加工后的翘曲形状。
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