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公开(公告)号：CN114997386A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210749104.7
申请日：2022-06-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/04 , G06F30/327 , G06F30/331
Abstract: 本发明公开一种基于多FPGA异构架构的CNN神经网络加速设计方法，包括以下步骤：根据模块的功能判断，在RTL级使用Verilog HDL设计能实现完整的计算功能的模块，其余的模块使用Vivado的HLS工具进行开发；对卷积神经网络进行量化；CPU依据任务分配法分配计算任务给FPGA板；FPGA板和外部存储器进行初始化配置；CPU获取加载信息并将加载信息通过数据收发单元加载至各个FPGA开发板；两个卷积计算单元通过流水交替方式进行计算；直到当前卷积神经网络计算完成，输出结果。本发明采取HLS与HDL相结合的方式，对神经网络的不同模块分别使用HLS和HDL开发，缩短了开发时长，降低研究成本。
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公开(公告)号：CN111579718A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010379375.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明属于动态气体检测装置技术领域，具体涉及一种自动化气敏特性动态测试装置，气瓶内装有背景气体，反应室装置内放置被测试气体传感器，气瓶出口与反应室装置进口之间连通背景气体管路，反应室装置的出口与尾气装置连接，背景气体管路上安装第一气体流量控制器和第五电磁阀、第六电磁阀，背景气体管路上连通测试气体管路，测试气体管路进口位于第一气体流量控制器与气瓶之间，测试气体管路上依次设置第二气体流量控制器、第九电磁阀、单向阀、鼓泡系统、第十电磁阀、第四电磁阀，鼓泡系统用于鼓入测试气体，测试气体管路出口位于第五电磁阀、第六电磁阀之间，第十电磁阀和第四电磁阀之间的管路上连通恢复管路，恢复管路上设置第三电磁阀。
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公开(公告)号：CN113823694B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110956767.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成亚微米超结的横向功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型埋层和第二导电类型埋层使用高能注入形成体内微米级超结，表面亚微米超结在埋层注入后使用较低能量的高能注入透过场氧化层形成，亚微米超结位于第二导电类型埋层上方；第一导电类型埋层和第二导电类型埋层在关态时优化器件表面电场保证器件耐压的同时，提高第一导电类型漂移区掺杂浓度。体内埋层超结主要起改善体内电场的作用，提高器件的耐压。亚微米超结的引入主要起提供表面低阻通路的作用，超结的条宽越窄，掺杂浓度越高，比导通电阻越低，在亚微米的条件下超结的浓度可以达到1e17量级，大幅提高超结第一导电类型条的掺杂浓度，降低器件比导通电阻。
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公开(公告)号：CN114823872B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210447123.4
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L23/34 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。
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公开(公告)号：CN116488660A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310428620.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种人体生理信号的混合数据压缩方法，该方法是先对一帧待压缩数据Data0使用波形压缩算法进行压缩，消除数据间的冗余信息，得到第一压缩数据Data1，然后通过BWT算法对Data1进行变换并重新排序，得到变换数据Data2，最后用改进的游程编码算法对Data2进行无损数据压缩，生成最终编码数据流，并对生成的编码数据流与其它相关数据进行整理打包，生成数据包，用于存储或传输。通过本发明的混合数据压缩方法，提高了数据压缩率，压缩后的数据占用更少的存储空间，提高数据传输效率及带宽利用率，该方法计算复杂度低、数据处理时间更短，节约数据存储、维护及传输成本，更适用于实时传输系统中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823856A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447055.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。
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公开(公告)号：CN111579718B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010379375.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明属于动态气体检测装置技术领域，具体涉及一种自动化气敏特性动态测试装置，气瓶内装有背景气体，反应室装置内放置被测试气体传感器，气瓶出口与反应室装置进口之间连通背景气体管路，反应室装置的出口与尾气装置连接，背景气体管路上安装第一气体流量控制器和第五电磁阀、第六电磁阀，背景气体管路上连通测试气体管路，测试气体管路进口位于第一气体流量控制器与气瓶之间，测试气体管路上依次设置第二气体流量控制器、第九电磁阀、单向阀、鼓泡系统、第十电磁阀、第四电磁阀，鼓泡系统用于鼓入测试气体，测试气体管路出口位于第五电磁阀、第六电磁阀之间，第十电磁阀和第四电磁阀之间的管路上连通恢复管路，恢复管路上设置第三电磁阀。
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公开(公告)号：CN104108100A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410366735.6
申请日：2014-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明的可替代人工书写的装置，由书写笔、机械臂和控制终端构成；机械臂包括夹持书写笔的手部、与手部连接的臂部以及安置臂部的基体；基体还设置通信模块和控制模块，基体接收控制终端的指令，由控制模块控制臂部以及手部完成书写。本装置，可以将控制终端发出的命令、书写行为或内容，传输到机械臂，再由机械臂执行或同步，书写在黑板上，产品体积小、性能稳定、可靠性高、书写速度快。应用本装置可减少粉尘对人的危害，降低教师的工作强度。由于控制终端与机械臂离开足够的距离，该装置还可以应用在诸如高大壁画、天花板作画及雕刻等不方便进行操作的场合，也可以对其功能进行有效拓展后用于代替人工刷漆、高楼清洗和脏污清理等。
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公开(公告)号：CN115208364A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210802671.4
申请日：2022-07-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种动态锁存比较器，动态锁存器包括锁存器电路和标志信号产生电路，锁存器电路具体为双输入双输出的锁存器电路，动态锁存器还包括用于对锁存器电路的两个输出进行对应缓冲的第一电平判决电路和第二电平判决电路，还包括用于对标志信号产生电路的输出进行缓冲的第三电平判决电路。本发明解决了在量化过程中比较器输入失调电压过大的问题，提高了比较器的增益，降低了输入失调电压，且能够驱动较大的电流，降低了动态失调的影响。
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公开(公告)号：CN114347355A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111546134.X
申请日：2021-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种餐具模具及餐具生产设备，餐具模具包括滑板、母模、公模、第一驱动件和两个安装立板，两个安装立板均沿前后方向竖向设置并沿左右方向间隔分布，两个安装立板分别为第一安装立板和第二安装立板，两个安装立板之间沿左右方向设有多根滑杆，滑杆的两端与两个安装立板连接固定，滑板沿前后方向竖向设置在两个安装立板之间，并与多根滑杆滑动连接，母模安装在其中一个第一安装立板靠近滑板一侧的中部，母模的底壁上设有贯穿第一安装立板的进料口，公模安装在滑板靠近母模的一侧，第一驱动件安装在第二安装立板上，且第一驱动件的驱动端与滑板传动连接，第一驱动件用以驱动滑板左右移动至公模伸入到母模内或从母模内移出，其结构简单。
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