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公开(公告)号：CN118920858B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411423311.9
申请日：2024-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种内置高边电荷泵电路，属于单片式桥路驱动电路设计领域。主要由时钟控制电路、泵电路以及限幅电路组成。时钟控制电路由不交叠时钟产生电路以及控制管构成，将振幅一定的方波信号CLK产生两路不交叠时钟信号；泵电路主要由电容以及开关管组成，开关管的工作频率，决定电容充放电时间，利用电容的电荷守恒定律将高边悬浮地HS泵升控制电源电压VDD输出高边供电电位HB。限幅电路主要由稳压管以及二极管级联组成，使电荷泵电压稳定输出。高低边双路驱动芯片内置高边电荷泵电路解决了由外部自举电容供电的高边驱动电路在输出高电平驱动信号时持续导通态工作的电荷补充问题，提供稳定的高边电源。
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公开(公告)号：CN115547827A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211199406.8
申请日：2022-09-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种可变选择比SOI刻蚀方法，通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀：(1)提供绝缘体上硅基片；(2)淀积可变选择比的复合硬掩模代替不可变选择比的传统硬掩模；(3)涂胶；(4)制版，用光刻版定义要刻蚀的区域；(5)刻蚀定义区域的光刻胶；(6)刻蚀复合硬掩模；(7)去胶；(8)使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅；(9)使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，本发明区别于传统刻蚀技术，可避免在刻蚀埋氧层时对于深槽侧壁的损伤，以及在刻蚀0.5μm以上的埋氧时，无需使用过厚的硬掩模，降低了工艺的成本，缓解了掩模应力同时提高了工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN115020472A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210600616.7
申请日：2022-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种SOI横向器件结构及制造方法，包括衬底、埋氧层、漂移区、有源区，所述衬底、绝缘层和绝缘层上漂移区包括竖向导电结构，竖向导电结构在竖直方向上穿过绝缘层和绝缘层上硅的截面呈长条状；所述竖向导电结构还包括槽壁内低介电常数介质、多晶；所述有源区还包括源区、漏区。本发明在耦合电极与埋氧处的介质耐压随介电常数降低电场提升更大，在不影响比导的情况下，击穿电压更大。同时提供了一种深入埋层刻蚀的工艺方法，可将以往无法实现的器件通过本工艺手段从模型建立引入工程应用。
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公开(公告)号：CN113823694A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110956767.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种集成亚微米超结的横向功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型埋层和第二导电类型埋层使用高能注入形成体内微米级超结，表面亚微米超结在埋层注入后使用较低能量的高能注入透过场氧化层形成，亚微米超结位于第二导电类型埋层上方；第一导电类型埋层和第二导电类型埋层在关态时优化器件表面电场保证器件耐压的同时，提高第一导电类型漂移区掺杂浓度。体内埋层超结主要起改善体内电场的作用，提高器件的耐压。亚微米超结的引入主要起提供表面低阻通路的作用，超结的条宽越窄，掺杂浓度越高，比导通电阻越低，在亚微米的条件下超结的浓度可以达到1e17量级，大幅提高超结第一导电类型条的掺杂浓度，降低器件比导通电阻。
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公开(公告)号：CN111830086A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010378747.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供基于聚苯胺薄膜表面修饰的气敏传感器的制备方法，该方法首先通过化学氧化法制备聚苯胺PANI粉末并将其溶解在低毒的溶剂中，其次在经过等离子体处理的盖玻片上进行旋涂成膜，然后提出了一种水分离PANI薄膜、漂浮去掺杂、再掺杂的方法，制备了无基底PANI薄膜。再掺杂的过程对PANI薄膜表面进行了脂肪酸的表面化学修饰，最后将PANI薄膜附着再带有叉指电极的柔性基底上制作气敏传感器。本发明制备方法有效廉价、新颖环保并且制备的PANI薄膜体积可控，PANI薄膜表面修饰的不同碳链长度的脂肪酸在PANI薄膜表面形成了疏水层，明显改善了PANI薄膜的气敏性能，可以有效降低高浓度水蒸汽的响应，并为无湿度影响的气敏传感器的设计和应用提高了新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269403B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN105654433A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201510995750.1
申请日：2015-12-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06T5/00
CPC classification number: G06T5/003 , G06T5/008 , G06T2207/20028
Abstract: 本发明公开了一种基于改进多尺度Retinex的彩色图像增强方法，首先，读取一幅未处理的彩色图像，对传统的多尺度Retinex算法改进，并采用双边滤波来计算当前像素的平均亮度分量，得到基于双边滤波方法的亮度分量估计；其次，依据每个像素点的亮度与其领域平均亮度的大小关系进行局部对比度增强；最后，将增强后的亮度图像与原始图像的亮度分量进行比较，线性调整恢复增强后图像的RGB信息，并最终得到彩色图像增强。本发明提供的彩色图像增强方法具有图像细节恢复，消除“光晕”现象，符合人眼视觉效果及运行时间较短等优点。
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公开(公告)号：CN104269403A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN118920858A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411423311.9
申请日：2024-10-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种内置高边电荷泵电路，属于单片式桥路驱动电路设计领域。主要由时钟控制电路、泵电路以及限幅电路组成。时钟控制电路由不交叠时钟产生电路以及控制管构成，将振幅一定的方波信号CLK产生两路不交叠时钟信号；泵电路主要由电容以及开关管组成，开关管的工作频率，决定电容充放电时间，利用电容的电荷守恒定律将高边悬浮地HS泵升控制电源电压VDD输出高边供电电位HB。限幅电路主要由稳压管以及二极管级联组成，使电荷泵电压稳定输出。高低边双路驱动芯片内置高边电荷泵电路解决了由外部自举电容供电的高边驱动电路在输出高电平驱动信号时持续导通态工作的电荷补充问题，提供稳定的高边电源。
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公开(公告)号：CN113658999B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110964582.5
申请日：2021-08-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有无结终端技术功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。在终端则把第二导电类型漂移区的边界移动到漏端，利用漏端的浮空等势场板的作用把漂移区两端的电位钳位，没有产生电位差，从而避免了Psub和漂移区结的击穿。纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，并且把第二导电类型漏端重掺杂区的边界移动到和第二导电类型漂移区的边界一致，避免其产生N+N结，导致其提前击穿。
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