公开(公告)号：CN114823872B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210447123.4

申请日：2022-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  张科 ,  唐宁 ,  田丰润 ,  乔明 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L23/34 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。

公开(公告)号：CN115377197A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211072230.X

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  田丰润 ,  何佳敏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一导电类型top层分布在表面，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列，多晶硅电极插入埋氧层中。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流；器件关态时，表面top区可几乎由纵向浮空场板全耗尽，表面场将被top区钳位，因此第二导电类型漂移区的掺杂浓度在更大范围变化时器件表面场均不发生变化，一定程度上杜绝了器件的表面击穿。另外，插入埋氧层的多晶硅电极将电场线引入到埋氧层内，实现了介质场增强，提高了器件的纵向耐压。

公开(公告)号：CN115547827A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211199406.8

申请日：2022-09-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  刘腾 ,  田丰润 ,  张科 ,  唐宁 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种可变选择比SOI刻蚀方法，通过如下步骤对绝缘体上硅材料进行刻蚀：(1)提供绝缘体上硅基片；(2)淀积可变选择比的复合硬掩模代替不可变选择比的传统硬掩模；(3)涂胶；(4)制版，用光刻版定义要刻蚀的区域；(5)刻蚀定义区域的光刻胶；(6)刻蚀复合硬掩模；(7)去胶；(8)使用第二刻蚀方法以第一选择比刻蚀顶层硅；(9)使用第三刻蚀方法以第二选择比刻蚀埋氧层，本发明区别于传统刻蚀技术，可避免在刻蚀埋氧层时对于深槽侧壁的损伤，以及在刻蚀0.5μm以上的埋氧时，无需使用过厚的硬掩模，降低了工艺的成本，缓解了掩模应力同时提高了工艺的稳定性。

公开(公告)号：CN115377199A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211072251.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  田丰润 ,  赵泉钰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有多晶硅耦合机制的匀场器件及其制造方法。第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，同一列的纵向浮空场板多晶电极连接至金属等势环，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中。浮空的多晶硅场板和栅多晶硅电极一起形成，覆盖在场氧表面。本发明中纵向浮空场板辅助耗尽第二导电类型漂移区，提高了器件耐压。但由于不同金属等势环距离较远，耦合能力较弱，通过在相邻的等势环之间覆盖多晶硅场板，增加了等势环之间的耦合。另外由于浮空多晶硅场板的辅助耗尽作用，可以增加第二导电类型漂移区的浓度，提高比导。

公开(公告)号：CN115020472A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210600616.7

申请日：2022-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  刘腾 ,  田丰润 ,  张科 ,  唐宁 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种SOI横向器件结构及制造方法，包括衬底、埋氧层、漂移区、有源区，所述衬底、绝缘层和绝缘层上漂移区包括竖向导电结构，竖向导电结构在竖直方向上穿过绝缘层和绝缘层上硅的截面呈长条状；所述竖向导电结构还包括槽壁内低介电常数介质、多晶；所述有源区还包括源区、漏区。本发明在耦合电极与埋氧处的介质耐压随介电常数降低电场提升更大，在不影响比导的情况下，击穿电压更大。同时提供了一种深入埋层刻蚀的工艺方法，可将以往无法实现的器件通过本工艺手段从模型建立引入工程应用。

公开(公告)号：CN115377198A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211072232.9

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  田丰润 ,  吴凌颖

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种VDMOS器件终端结构。终端区中，第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，同一列的纵向浮空场板表面由金属条相连等势，所述纵向浮空场板分布在终端区整个第二导电类型漂移区中。本发明中纵向浮空场板，一方面辅助耗尽终端漂移区，拓展了耗尽区宽度；另一方面，靠近曲率结处的纵向浮空场板，使得曲率结漂移区一侧的杂质重构，减小了主结的曲率效应，削弱了电场峰值，避免提前击穿，提高了器件耐压。

公开(公告)号：CN114823872A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210447123.4

申请日：2022-04-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  张科 ,  唐宁 ,  田丰润 ,  乔明 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L23/34 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种全隔离衬底耐压功率半导体器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型阱区，第一导电类型重掺杂区，第二导电类型漂移区，第二导电类型阱区，第二导电类型源端重掺杂发射区，第二导电类型漏端重掺杂集电区，第二导电类型掺杂岛，纵向介质氧化层和纵向多晶硅电极构成纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，纵向多晶硅电极穿通埋氧层深入第二导电类型掺杂岛内，还包括介质氧化层形成场氧化层和栅氧化层，介质氧化层形成埋氧层，第二导电类型多晶硅栅电极，纵向场板金属，源端金属，漏端金属。本发明在关态时，通过纵向电极深入第二导电类型掺杂岛，将横向高压引入衬底反向PN结，使衬底参与耐压，提高器件耐压。