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公开(公告)号：CN110849510B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910898430.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及利用磁性纳米片制作压力应力传感器技术领域，具体公开了一种兼具仿生结构、高弹性、高灵敏度、快速响应回复的压力应力传感器的制备方法，包括如下工艺：首先将水溶性的Co通过溶液反应制备出氢氧化钴，然后将得到的产物在还原剂水合肼的作用下得到Co纳米片，将Co纳米片放入设计好的模具中，然后加入PDMS混合液凝固后加装电极得到目标传感器；本发明使用的原料来源广泛，价格低廉，其具有独特的仿生结构，器件响应快，兼具高柔弹性、高灵敏度，并且制作工艺简单，并且上述制备方法制备的压力应力传感器可用于人造电子皮肤的压力应力的传感。
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公开(公告)号：CN111830086A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010378747.6
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供基于聚苯胺薄膜表面修饰的气敏传感器的制备方法，该方法首先通过化学氧化法制备聚苯胺PANI粉末并将其溶解在低毒的溶剂中，其次在经过等离子体处理的盖玻片上进行旋涂成膜，然后提出了一种水分离PANI薄膜、漂浮去掺杂、再掺杂的方法，制备了无基底PANI薄膜。再掺杂的过程对PANI薄膜表面进行了脂肪酸的表面化学修饰，最后将PANI薄膜附着再带有叉指电极的柔性基底上制作气敏传感器。本发明制备方法有效廉价、新颖环保并且制备的PANI薄膜体积可控，PANI薄膜表面修饰的不同碳链长度的脂肪酸在PANI薄膜表面形成了疏水层，明显改善了PANI薄膜的气敏性能，可以有效降低高浓度水蒸汽的响应，并为无湿度影响的气敏传感器的设计和应用提高了新的思路。
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公开(公告)号：CN114624307B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011447488.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种基于流体力学的气体传感器腔室，包括上壳体、分流装置、下壳体，所述上壳体、分流装置、下壳体依次套装构成阶梯型的内部中空的气体传感器腔室，所述上壳体的中部设置进气口，所述下壳体的侧壁和底部分别设置若干出气孔，所述下壳体的底部放置传感器，所述分流装置位于上壳体和下壳体之间内部的腔体内，位于下壳体上端，上壳体内部，所述分流装置侧壁上设置若干槽。本发明腔室充分考虑了结构对称性，通过精巧的设计，实现了传感器阵列表面的速度均匀从而保证传感器表面浓度均匀分布，同时最大化减少气体死区，解决了传感器的响应问题，本发明用在气体传感器测试系统，用于提升气敏传感器的测试性能。
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公开(公告)号：CN114624307A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011447488.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种基于流体力学的气体传感器腔室，包括上壳体、分流装置、下壳体，所述上壳体、分流装置、下壳体依次套装构成阶梯型的内部中空的气体传感器腔室，所述上壳体的中部设置进气口，所述下壳体的侧壁和底部分别设置若干出气孔，所述下壳体的底部放置传感器，所述分流装置位于上壳体和下壳体之间内部的腔体内，位于下壳体上端，上壳体内部，所述分流装置侧壁上设置若干槽。本发明腔室充分考虑了结构对称性，通过精巧的设计，实现了传感器阵列表面的速度均匀从而保证传感器表面浓度均匀分布，同时最大化减少气体死区，解决了传感器的响应问题，本发明用在气体传感器测试系统，用于提升气敏传感器的测试性能。
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公开(公告)号：CN111579718B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010379375.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明属于动态气体检测装置技术领域，具体涉及一种自动化气敏特性动态测试装置，气瓶内装有背景气体，反应室装置内放置被测试气体传感器，气瓶出口与反应室装置进口之间连通背景气体管路，反应室装置的出口与尾气装置连接，背景气体管路上安装第一气体流量控制器和第五电磁阀、第六电磁阀，背景气体管路上连通测试气体管路，测试气体管路进口位于第一气体流量控制器与气瓶之间，测试气体管路上依次设置第二气体流量控制器、第九电磁阀、单向阀、鼓泡系统、第十电磁阀、第四电磁阀，鼓泡系统用于鼓入测试气体，测试气体管路出口位于第五电磁阀、第六电磁阀之间，第十电磁阀和第四电磁阀之间的管路上连通恢复管路，恢复管路上设置第三电磁阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113651327B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110810255.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C01B32/921 , C01B32/949 , C01B32/914 , C01B32/907 , C01B21/082 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种有机溶剂辅助合成和收集MXene材料的方法，具体包括：1）将MXene前驱体(包括Ti3AlC2、Ti2AlC、Nb2AlC、Mo2Ga2C、Cr2TiAlC2、Ti3AlCN和(Nb0.8Zr0.2)4AlC3中的任意一种)陶瓷粉末缓慢加入制备好的HCl溶液或LiF溶液中刻蚀，得到多层MXene材料；2）在多层MXene材料中加入二甲基亚砜插层剂进行搅拌插层；3）在二甲基亚砜和MXene材料的混合液中加入与水不互溶的插层剂的有机良溶剂洗涤，然后真空干燥；4）离心分离产物；5）得到的沉淀物重复2）‑4）的操作，共循环4‑8次。6）通过冷冻干燥便可得到多种尺寸的MXene材料，并随着循环次数的增加，产物的尺寸逐渐变大。本发明不仅能够可控合成不同尺寸的MXene材料纳米片，还可以大幅度提升MXene材料的产率。
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公开(公告)号：CN113651327A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110810255.4
申请日：2021-07-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: C01B32/921 , C01B32/949 , C01B32/914 , C01B32/907 , C01B21/082 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种有机溶剂辅助合成和收集MXene材料的方法，具体包括：1）将MXene前驱体(包括Ti3AlC2、Ti2AlC、Nb2AlC、Mo2Ga2C、Cr2TiAlC2、Ti3AlCN和(Nb0.8Zr0.2)4AlC3中的任意一种)陶瓷粉末缓慢加入制备好的HCl溶液或LiF溶液中刻蚀，得到多层MXene材料；2）在多层MXene材料中加入二甲基亚砜插层剂进行搅拌插层；3）在二甲基亚砜和MXene材料的混合液中加入与水不互溶的插层剂的有机良溶剂洗涤，然后真空干燥；4）离心分离产物；5）得到的沉淀物重复2）‑4）的操作，共循环4‑8次。6）通过冷冻干燥便可得到多种尺寸的MXene材料，并随着循环次数的增加，产物的尺寸逐渐变大。本发明不仅能够可控合成不同尺寸的MXene材料纳米片，还可以大幅度提升MXene材料的产率。
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公开(公告)号：CN111579718A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010379375.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明属于动态气体检测装置技术领域，具体涉及一种自动化气敏特性动态测试装置，气瓶内装有背景气体，反应室装置内放置被测试气体传感器，气瓶出口与反应室装置进口之间连通背景气体管路，反应室装置的出口与尾气装置连接，背景气体管路上安装第一气体流量控制器和第五电磁阀、第六电磁阀，背景气体管路上连通测试气体管路，测试气体管路进口位于第一气体流量控制器与气瓶之间，测试气体管路上依次设置第二气体流量控制器、第九电磁阀、单向阀、鼓泡系统、第十电磁阀、第四电磁阀，鼓泡系统用于鼓入测试气体，测试气体管路出口位于第五电磁阀、第六电磁阀之间，第十电磁阀和第四电磁阀之间的管路上连通恢复管路，恢复管路上设置第三电磁阀。
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公开(公告)号：CN114203325A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111194615.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明属于半导体器件技术与核科学技术领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上生长n型β‑Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属Ti/Au膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半导体能带结构控制，通过使用表面活性剂进行宽禁带半导体生长形态调控，实现宽禁带半导体的生长形态调控及能带结构控制。
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公开(公告)号：CN110849510A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910898430.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及利用磁性纳米片制作压力应力传感器技术领域，具体公开了一种兼具仿生结构、高弹性、高灵敏度、快速响应回复的压力应力传感器的制备方法，包括如下工艺：首先将水溶性的Co通过溶液反应制备出氢氧化钴，然后将得到的产物在还原剂水合肼的作用下得到Co纳米片，将Co纳米片放入设计好的模具中，然后加入PDMS混合液凝固后加装电极得到目标传感器；本发明使用的原料来源广泛，价格低廉，其具有独特的仿生结构，器件响应快，兼具高柔弹性、高灵敏度，并且制作工艺简单，并且上述制备方法制备的压力应力传感器可用于人造电子皮肤的压力应力的传感。
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