-
公开(公告)号：CN101681782B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200880015524.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/00 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L27/00
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(206)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
-
公开(公告)号：CN102047390A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
-
公开(公告)号：CN101952942A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105055.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。
-
公开(公告)号：CN101681782A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015524.0
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/00 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L27/00
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022
Abstract: 本发明揭示具有气体混合的离子源(202a)的效能改良与生命期延长的技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可实现为离子注入机中的离子源的效能改良与生命期延长的方法。所述方法可包含将预定量的掺杂气体导入离子源腔室(202)内。所述掺杂气体可包含掺杂物质。所述方法亦可包含将预定量的稀释气体导入离子源腔室内。所述稀释气体可稀释掺杂气体以改良离子源的效能并延长离子源的生命期。所述稀释气体可进一步包含与掺杂物质相同的协同物质。
-
公开(公告)号：CN101189699A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019506.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01L21/26586 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L29/66803 , H01L29/785
Abstract: 本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将一个或多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的入射角的一平均扩散。此方法可更包括至少部分地基于入射角的平均扩散调整一个或多个离子束以产生离子束入射角的一所要扩散。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101189696A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019884.9
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/304 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/1507 , H01J2237/3045 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L21/26586
Abstract: 本发明揭示一种用于离子束角度扩散控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为离子束角度扩散控制的方法。此方法可包括将一或多个离子束以两个或两个以上不同入射角导向一基板表面处，藉此使基板表面暴露于离子束入射角的一受控扩散中。
-
公开(公告)号：CN101952942B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200980105055.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种侦测粒子束特性的装置及其方法。在一实施例中，装置可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。装置可以具有透明度状态，也就是进入装置的一部分的粒子可以通过装置的状态。装置也可以具有最小透明度状态，也就是进入装置的实质上所有粒子可以避免通过装置且被侦测的状态。可以通过转动装置或包含于装置中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此装置来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。
-
公开(公告)号：CN102047390B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200980115537.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 保罗·J·墨菲 , 保罗·沙利文 , 阿塔尔·古普塔
IPC: H01L21/265 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01J37/3171 , H01J37/32412 , H01J2237/0827 , H01J2237/202 , H01J2237/31711 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 可在不需要中介(intervening)热循环的情况下进行连续的离子植入，而简化太阳能电池的制造并减少成本。除了缩短制程时间，连锁离子植入的使用也可改善太阳能电池的性能。而另一实施例中，在没有破真空的情况下，连续的植入两种不同种类的掺质。又一实施例中，衬底被植入接着被翻转(flipped)，而使其在退火之前可在其两面进行植入。于又一实施例中，在不破真空的情况下，使用一或多个不同掩膜进行连续的植入，因而缩短制程时间。
-
公开(公告)号：CN102985995A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180032055.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01J37/20
CPC classification number: H01J37/20 , G21K5/10 , H01J37/304 , H01J37/3045 , H01J37/3171 , H01J2237/20285 , H01J2237/31703 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在例如太阳能电池的工件的离子植入期间可被补偿的异常。在一例中，在第一动作期间以第一速度植入工件。此第一动作在工件中造成不均匀剂量区。然后在第二动作期间以第二速度植入工件。此第二速度与第一速度不同。此第二速度可对应整个工件或仅对应工件中的不均匀剂量区。
-
公开(公告)号：CN102844840A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180015641.9
申请日：2011-02-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 阿塔尔·古普塔 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/225 , H01L21/265 , H01L21/266
CPC classification number: H01L21/2254 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02P70/521
Abstract: 一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳能电池。将含有第一导电性的掺质的糊剂涂敷在基板的表面上。此糊剂是用作遮罩以执行后续的离子植入步骤，使得具有相反导电性的掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后，可移除遮罩，且可对掺质进行活化。揭示了使用以铝为主和以磷为主的糊剂的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
25
records
(took 0.032 seconds)
