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公开(公告)号：CN105793954B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480064880.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 本发明提供一种控制离子束的装置与方法以及离子植入机。用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。本发明的优点是所述离子植入机可在两种不同模式下操作：点束模式与带状束模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765692B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480063500.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/3171
Abstract: 本发明提供一种离子束扫描器、离子布植机及控制点离子束的方法。离子束扫描器包含第一扫描平台，具有第一开口以传送离子束，第一扫描平台对应于第一振荡偏转信号以在第一开口内产生第一振荡偏转场；第二扫描平台，设置于第一扫描平台下游、并具有第二开口以传送离子束，第二扫描平台对应第二振荡偏转信号以在第二开口内产生方向与第一振荡偏转场相反的第二振荡偏转场；以及扫描控制器，当经扫描离子束离开定义共同聚焦点的第二扫描平台时，使第一振荡偏转信号和第二振荡偏转信号同步以产生多个离子轨迹。本申请技术方案能更容易地在带状束和点束模式中去操作束线离子布植机，且在切换操作模式时不需要大规模的重新配置。
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公开(公告)号：CN105765692A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480063500.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/3171
Abstract: 离子束扫描器包含第一扫描平台，具有第一开口以传送离子束，第一扫描平台对应于第一振荡偏转信号以在第一开口内产生第一振荡偏转场；第二扫描平台，设置于第一扫描平台下游、并具有第二开口以传送离子束，第二扫描平台对应第二振荡偏转信号以在第二开口内产生方向与第一振荡偏转场相反的第二振荡偏转场；以及扫描控制器，当经扫描离子束离开定义共同聚焦点的第二平台时，使第一振荡偏转信号和第二振荡偏转信号同步以产生多个离子轨迹。
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公开(公告)号：CN101385112B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200780005339.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭露一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中，用于修改离子束的电磁铁包括：包括六个侧面的铁磁箱体结构；在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口；以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线，内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面，其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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公开(公告)号：CN101385112A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005339.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭示一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中，用于修改离子束的电磁铁包括：包括六个侧面的铁磁箱体结构；在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口；以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线，内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面，其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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公开(公告)号：CN101322217A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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