公开(公告)号：CN103493172B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280012665.3

申请日：2012-02-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 ,  卢多维克·葛特 ,  提摩太·J·米勒

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/302 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3172 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/31711

Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。

公开(公告)号：CN105684130A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480058775.2

申请日：2014-10-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 ,  彼得·F·库鲁尼西

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/022

Abstract: 揭示用于改进离子源的性能且延长其使用寿命的系统和方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中，所述离子源腔室可被偏压到第一正电压，而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中，离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。

公开(公告)号：CN103975092A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280060457.0

申请日：2012-11-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  丹尼尔·迪斯塔苏 ,  提摩太·J·米勒

IPC: C23C14/48 ,  H01J37/32 ,  G21K1/14

CPC classification number: H01J37/32146 ,  G21K1/14 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/0044

Abstract: 一种处理系统(10)可包含：等离子体源(12)，其用于提供等离子体；以及工件固持器(28)，其经布置以接收来自所述等离子体的离子。所述处理系统可还包含脉冲偏压电路(42)，所述脉冲偏压电路电耦合到所述等离子体源且可操作以将供应到所述等离子体源的偏压电压在高电压状态与低电压状态之间切换，在所述高电压状态中，所述等离子体源相对于接地处于正偏压，且在所述低电压状态中，所述等离子体源相对于所述接地处于负偏压。

公开(公告)号：CN103314427A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280004865.4

申请日：2012-01-10

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  克里斯多夫·J·里维特 ,  具本雄 ,  安东尼·雷诺

IPC: H01J49/40 ,  H01J49/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J49/40 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32935 ,  H01J49/04 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 一种用于监控具有离子能量且入射到衬底上的离子物种的角分布的飞行时间（TOF）离子感测器系统，其包括漂移管，其中离子感测器系统经配置以改变漂移管相对于衬底的平面的角度。漂移管具有第一端，所述第一端经配置以从离子物种接收离子脉冲，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子以封包形式到达漂移管的第二端。离子检测器可设置在离子感测器的第二端处，其中离子检测器经配置以检测来源于离子脉冲且对应于各自不同离子质量的离子封包。

公开(公告)号：CN102257606A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151424.5

申请日：2009-12-21

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 约瑟·P·迪宰桔雷斯契 ,  提摩太·J·米勒 ,  杰·T·舒尔 ,  克里斯多夫·J·里维特

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/265

CPC classification number: G01T1/00

Abstract: 本发明提供了一种非法拉第离子剂量测量装置，此非法拉第离子剂量测量装置位于等离子处理室中以及包括位于室中的工件上面的感测器。感测器经配置为侦测从曝露于等离子植入制程的工件的表面发射出的次级电子的数量。此感测器输出与已侦测的次级电子的数量成比例的电流信号。电流电路将施加到室中的工件的偏压电流减去从感测器所生成的已侦测的次级电流。这些电流之间的差异提供了在离子植入制程期间，对在原位置所计算出的离子剂量电流进行测量。