-
公开(公告)号：CN102965605A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210442756.2
申请日：2012-11-08
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种高强塑性纳米结构锆金属及其制备方法，其主要是对纯锆板进行液氮低温轧制变形后，埋于氮化硼粉末中压成柱状片，放入马弗炉中干燥；然后将氧化锆粉末和稀释的水玻璃混合压成柱状氮化锆片，放入马弗炉中干燥；将白云石片、上述锆板氮化硼片以及氧化锆片叠放在叶腊石立方体的柱状孔内，置于六面顶压机中并进行高压处理，压力为0.5～1.0GPa，保压时间为5分钟，温度为室温。通过上述方法制备的一种高强塑性纳米结构锆金属，其结构特征是：含有体积分数为71～80%的纳米晶、亚晶，其余为少量的残余轧制变形微结构的混合结构。本发明制备的锆金属具有高强度和优异的塑性，其抗拉强度≥836MPa，均匀延伸率≥6%。
-
公开(公告)号：CN118441231A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410690661.5
申请日：2024-05-30
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种块体Mn3Sn单晶磁性调控方法和应用，属于反铁磁磁性调控技术领域。本发明包括：1、采用助熔剂法在马弗炉中生长块体Mn3Sn单晶，砂纸打磨成长方体Mn3Sn单晶；2、将长方体Mn3Sn单晶嵌入具有长方形孔洞的不锈钢圆片内，在其上下两面分别叠放同尺寸的完整的不锈钢圆片，并整体放入钢套内；钢套的侧面中间部位焊接有用于测温的热电偶丝；3、将钢套放入放电等离子烧结设备中，连接好电偶丝，施加预压力，在氩气气氛下，设置加热温度，抽至高真空后匀速加压至最大压力后保压，得到塑性变形后的Mn3Sn单晶。本发明利用大的有效塑性热变形可以引入大的晶格畸变来调控非共线反铁磁结构，实现对Mn3Sn磁性的调控。
-
公开(公告)号：CN118156014A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410198549.X
申请日：2024-02-22
Applicant: 燕山大学 , 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本申请涉及稀土永磁材料技术领域，特别涉及一种采用超高压预时效处理提高钐钴磁体的矫顽力的方法，包括以下步骤：将金属原料按配比置于真空感应炉中熔炼得到铸锭，并将铸锭破碎得到合金粉末；将合金粉末在磁场中模压成形，并采用冷等静压得到生坯；将生坯烧结、固溶处理后，得到固溶态的钐钴磁体；利用六面顶压机对所述固溶态的钐钴磁体进行预时效处理；将预时效处理后的样品依次进行第一步时效处理、第二步时效处理，得到钐钴磁体。本申请实施例提供一种采用超高压预时效处理提高钐钴磁体的矫顽力的方法，通过调控钐钴合金中的应力和微观缺陷，进而影响后期时效过程中钐钴1:5胞壁相的形成，使得钐钴磁体的矫顽力得到大幅提高。
-
公开(公告)号：CN116621881A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310591309.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本申请涉及光电材料技术领域，更具体地说，它涉及一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用。包括以下过程：所述Bi基钙钛矿薄膜晶相包括BiI3层，将熔点200℃以下的铵盐气化，把所述BiI3层放置在所述铵盐形成的气相环境中，可获得均匀致密的非铅铋基钙钛矿薄膜，所述气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。为解决传统Bi基钙钛矿层状结构，薄膜不致密的问题，该薄膜对无毒绿色钙钛矿材料的研究和光电子器件的发展具有重要的作用。
-
公开(公告)号：CN102965605B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210442756.2
申请日：2012-11-08
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种高强塑性纳米结构锆金属及其制备方法，其主要是对纯锆板进行液氮低温轧制变形后，埋于氮化硼粉末中压成柱状片，放入马弗炉中干燥；然后将氧化锆粉末和稀释的水玻璃混合压成柱状氮化锆片，放入马弗炉中干燥；将白云石片、上述锆板氮化硼片以及氧化锆片叠放在叶腊石立方体的柱状孔内，置于六面顶压机中并进行高压处理，压力为0.5~1.0GPa，保压时间为5分钟，温度为室温。通过上述方法制备的一种高强塑性纳米结构锆金属，其结构特征是：含有体积分数为71~80%的纳米晶、亚晶，其余为少量的残余轧制变形微结构的混合结构。本发明制备的锆金属具有高强度和优异的塑性，其抗拉强度≥836MPa，均匀延伸率≥6%。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN119900091A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411904783.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种调控Mn3Ge材料热膨胀系数的方法，包括以下步骤：将Mn3Ge多晶材料进行单轴束缚热变形处理，单轴束缚热变形处理的压强为0.5～1.2GPa，温度为385～405K。本发明利用单轴束缚变形的方式来调控Mn3Ge多晶的负热膨胀行为，通过调节变形压力引入不同程度的结构相变实现了Mn3Ge多晶从负热膨胀到正热膨胀的连续调控。
-
公开(公告)号：CN118156014B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410198549.X
申请日：2024-02-22
Applicant: 燕山大学 , 中国电子科技集团公司第九研究所
Abstract: 本申请涉及稀土永磁材料技术领域，特别涉及一种采用超高压预时效处理提高钐钴磁体的矫顽力的方法，包括以下步骤：将金属原料按配比置于真空感应炉中熔炼得到铸锭，并将铸锭破碎得到合金粉末；将合金粉末在磁场中模压成形，并采用冷等静压得到生坯；将生坯烧结、固溶处理后，得到固溶态的钐钴磁体；利用六面顶压机对所述固溶态的钐钴磁体进行预时效处理；将预时效处理后的样品依次进行第一步时效处理、第二步时效处理，得到钐钴磁体。本申请实施例提供一种采用超高压预时效处理提高钐钴磁体的矫顽力的方法，通过调控钐钴合金中的应力和微观缺陷，进而影响后期时效过程中钐钴1:5胞壁相的形成，使得钐钴磁体的矫顽力得到大幅提高。
-
公开(公告)号：CN108649067B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810437234.0
申请日：2018-05-09
Applicant: 燕山大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在SOI结构两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延双轴应变Si1‑xGex基区和Si帽层；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延Si1‑yGey层；在器件表面淀积氮化物和氧化层，在氧化层上淀积多晶硅作为发射极；刻蚀氮化物，进而选择性外延多晶SiGe作为非本征基区；分别刻蚀发射极、非本征基区和集电区以形成发射极、基极和集电极接触。本发明能够提高器件的高频特性，由于采用了SOI结构，提高了集电结的击穿电压，进而提高器件的功率特性，可实现混合高压高速器件的集成。
-
公开(公告)号：CN105951020A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610514972.1
申请日：2016-07-04
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种电塑性轧制实现高强度高塑性锆及锆‑2合金的方法，其主要是：所用直流脉冲电压范围为10‑27V，频率300‑600Hz，脉宽30‑200μs；轧辊转动的线速度为30‑75mm/s，单道次压下量为0.5‑2％，应变速率为0.6‑2.5s‑1，总变形量为90％以上；然后在真空度为10‑4～10‑5Pa退火处理，其中金属锆的退火温度为430‑470℃，锆‑2合金的退火温度为480‑520℃，退火时间为40‑80min。本发明获得了具有高强度高塑性的金属锆和锆‑2合金，其中金属锆的抗拉强度为607Mpa，失效延伸率为25.5％；Zr‑2合金的抗拉强度为599Mpa，失效延伸率为27％，其中金属锆的强度提高了52％，锆‑2合金的强度提高了46％，塑性相当，表现出优异的综合性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.024 seconds)
