公开(公告)号：CN118441231A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410690661.5

申请日：2024-05-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 宋平 ,  姚森 ,  邓珊珊 ,  刘潇贺 ,  郭得峰 ,  李晓红 ,  张湘义

IPC: C22F1/16 ,  C22F1/02 ,  C30B29/52 ,  C30B9/06 ,  C22C22/00 ,  H01F1/00 ,  H01F41/02

Abstract: 一种块体Mn3Sn单晶磁性调控方法和应用，属于反铁磁磁性调控技术领域。本发明包括：1、采用助熔剂法在马弗炉中生长块体Mn3Sn单晶，砂纸打磨成长方体Mn3Sn单晶；2、将长方体Mn3Sn单晶嵌入具有长方形孔洞的不锈钢圆片内，在其上下两面分别叠放同尺寸的完整的不锈钢圆片，并整体放入钢套内；钢套的侧面中间部位焊接有用于测温的热电偶丝；3、将钢套放入放电等离子烧结设备中，连接好电偶丝，施加预压力，在氩气气氛下，设置加热温度，抽至高真空后匀速加压至最大压力后保压，得到塑性变形后的Mn3Sn单晶。本发明利用大的有效塑性热变形可以引入大的晶格畸变来调控非共线反铁磁结构，实现对Mn3Sn磁性的调控。

公开(公告)号：CN119900091A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411904783.6

申请日：2024-12-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 宋平 ,  雷雨豪 ,  刘潇贺 ,  郭得峰 ,  李晓红 ,  张湘义

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明公开了一种调控Mn3Ge材料热膨胀系数的方法，包括以下步骤：将Mn3Ge多晶材料进行单轴束缚热变形处理，单轴束缚热变形处理的压强为0.5～1.2GPa，温度为385～405K。本发明利用单轴束缚变形的方式来调控Mn3Ge多晶的负热膨胀行为，通过调节变形压力引入不同程度的结构相变实现了Mn3Ge多晶从负热膨胀到正热膨胀的连续调控。