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公开(公告)号：CN116621881A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310591309.1
申请日：2023-05-24
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本申请涉及光电材料技术领域，更具体地说，它涉及一种Bi基钙钛矿薄膜晶相制备方法及应用。包括以下过程：所述Bi基钙钛矿薄膜晶相包括BiI3层，将熔点200℃以下的铵盐气化，把所述BiI3层放置在所述铵盐形成的气相环境中，可获得均匀致密的非铅铋基钙钛矿薄膜，所述气相环境用于改变Bi基钙钛矿薄膜晶格方向和形貌。为解决传统Bi基钙钛矿层状结构，薄膜不致密的问题，该薄膜对无毒绿色钙钛矿材料的研究和光电子器件的发展具有重要的作用。
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