公开(公告)号：CN119900091A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411904783.6

申请日：2024-12-23

Applicant: 燕山大学

Inventor： 宋平 ,  雷雨豪 ,  刘潇贺 ,  郭得峰 ,  李晓红 ,  张湘义

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B29/52

Abstract: 本发明公开了一种调控Mn3Ge材料热膨胀系数的方法，包括以下步骤：将Mn3Ge多晶材料进行单轴束缚热变形处理，单轴束缚热变形处理的压强为0.5～1.2GPa，温度为385～405K。本发明利用单轴束缚变形的方式来调控Mn3Ge多晶的负热膨胀行为，通过调节变形压力引入不同程度的结构相变实现了Mn3Ge多晶从负热膨胀到正热膨胀的连续调控。

公开(公告)号：CN118335502A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410198546.6

申请日：2024-02-22

Applicant: 燕山大学

Inventor： 郭得峰 ,  秦文悦 ,  刘媛媛 ,  宋平 ,  张湘义 ,  李晓红

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057

Abstract: 本申请涉及磁性材料技术领域，特别涉及一种高应力电脉冲加热预时效提高钐钴磁体矫顽力的方法，包括以下步骤：将金属原料按配比置于真空感应炉中熔炼得到铸锭，并将所述铸锭破碎得到合金粉末；将合金粉末在磁场中模压成形，并采用冷等静压得到生坯；将所述生坯烧结、固溶处理后，得到固溶态的钐钴磁体；采用等离子放电烧结技术对固溶态的钐钴磁体进行高应力预时效处理；将高应力预时效处理后的样品依次进行第一步时效处理、第二步时效处理，得到钐钴磁体。本申请通过对钐钴固溶态样品进行高应力脉冲电流加热预时效处理，利用该工艺可以调控时效工艺前样品中的应力和缺陷，进而调控终态样品的微结构与磁性，尤其表现为矫顽力的大幅度提高。

公开(公告)号：CN118441231A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410690661.5

申请日：2024-05-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 宋平 ,  姚森 ,  邓珊珊 ,  刘潇贺 ,  郭得峰 ,  李晓红 ,  张湘义

IPC: C22F1/16 ,  C22F1/02 ,  C30B29/52 ,  C30B9/06 ,  C22C22/00 ,  H01F1/00 ,  H01F41/02

Abstract: 一种块体Mn3Sn单晶磁性调控方法和应用，属于反铁磁磁性调控技术领域。本发明包括：1、采用助熔剂法在马弗炉中生长块体Mn3Sn单晶，砂纸打磨成长方体Mn3Sn单晶；2、将长方体Mn3Sn单晶嵌入具有长方形孔洞的不锈钢圆片内，在其上下两面分别叠放同尺寸的完整的不锈钢圆片，并整体放入钢套内；钢套的侧面中间部位焊接有用于测温的热电偶丝；3、将钢套放入放电等离子烧结设备中，连接好电偶丝，施加预压力，在氩气气氛下，设置加热温度，抽至高真空后匀速加压至最大压力后保压，得到塑性变形后的Mn3Sn单晶。本发明利用大的有效塑性热变形可以引入大的晶格畸变来调控非共线反铁磁结构，实现对Mn3Sn磁性的调控。

公开(公告)号：CN113292335A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110749336.8

申请日：2021-07-02

Applicant: 燕山大学

Inventor： 宋平 ,  张博熙 ,  郭得峰 ,  李晓红 ,  张湘义

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种纯相钛酸亚铁的制备方法，属于半导体金属氧化物制备技术领域。本发明采用真空封装技术，将制备钛酸亚铁的混合反应物封装于具有较高真空度(＜2×10‑2Pa)的石英玻璃试管中进行固相烧结，可以避免烧结过程中样品表面氧化而出现杂质，得到表层和内部均不含杂质的纯相钛酸亚铁。本发明的方法解决了现有方法在惰性气体保护下固相反应容易在样品表层生成杂质的问题。此外，本发明的方法可采用不同口径的石英玻璃试管封装钛酸亚铁样品，实现大量钛酸亚铁的快速制备，解决了现有方法在真空管式炉中进行反应烧结，由于受到管式炉容积的限制而无法实现大量样品制备的问题。