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公开(公告)号：CN117074371A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311035004.9
申请日：2023-08-17
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/59 , G01N27/327
Abstract: 本发明提供了一种Bi2O2Te的应用、生物传感器及其应用、micro RNA的检测方法，属于生物检测技术领域。现有的生物传感器存在操作复杂、灵敏度低和性能不稳定等问题。本发明提供了一种新型生物传感器，利用二维铁电材料Bi2O2Te作为电敏感层材料，该材料具有自发极化和在外加电场下可调节极化的特性，从而实现SPR信号的调节。当micro RNA分子与Bi2O2Te表面结合时，引起表面电荷的变化，从而实现对其进行高灵敏度检测。此生物传感器操作简单，灵敏度高，检测极限低等特点。
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公开(公告)号：CN116609310A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310599732.6
申请日：2023-05-25
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/64 , G01N33/543 , G01N33/533 , G01N33/574
Abstract: 本发明一种基于CEA检测的二维材料生物传感器及其制备方法和应用，属于二维材料生物传感技术领域。本发明基于CEA检测的二维材料生物传感器，利用化学气相沉积法将单层WS2晶体生长至Si/SiO2基底上，利用湿法转移的方法转移到ITO基底上，再利用双(三氟甲烷)磺酰亚胺处理单层WS2晶体，通过表界面化学修饰，固定Anti‑CEA探针蛋白，获得生物传感器。本发明制备的单层WS2晶体易于生长，荧光均匀，而且性能较好，此生物传感器检测癌胚抗原具有过程简单，高灵敏度，检测极限低，生物分子免标记等特点。
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公开(公告)号：CN115161772A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210495206.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
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公开(公告)号：CN112174211A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011168522.4
申请日：2020-10-28
Applicant: 燕山大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Cr同时进行硫化，共同参与成键，使Cr取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Cr掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低廉，制备得到的Cr掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
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公开(公告)号：CN112064114A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010969119.5
申请日：2020-09-15
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供了一种层状金属磷化物GePx(x＝1,3,5)单晶的制备方法，仅以红磷和锗粉为原料，无需任何其他添加剂或助熔剂，利用高温高压定向生长技术，通过调控压力与温度等关键条件来控制Ge与P之间的化合成键方式，从而制备出三种不同结构的层状金属磷化物GeP、GeP3、GeP5。该制备方法不仅简单、快速，而且合成的单晶样品纯度高、质量好、尺寸大，这为进一步深入研究GePx的晶体结构、物理化学性质打下了很好的基础。同时也为类黑磷新型磷基二维材料的开发开辟了新的途径，对二维材料的研究具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118147759A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410113367.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 燕山大学
Abstract: 一种Fe3GaTe2晶体、金属掺杂Fe3GaTe2晶体及其生长方法，属于晶体材料生长技术领域。本发明金属掺杂Fe3GaTe2晶体生长方法：1、称取还原Fe粉、金属粉、Ga块、Te粉；2、将Te粉、Ga块、金属粉和还原Fe粉依次送至高纯石英管底部，在氩气保护条件下进行真空密封；3、将真空密封的石英管倾斜一定角度并水平置于马弗炉中，石英管尖端靠近炉门位置，装有原料的石英管底端位于马弗炉热电偶下方；4、设置马弗炉烧结程序，最后自然冷却至室温，获得金属掺杂Fe3GaTe2晶体。本发明通过控制温度梯度调节可逆反应的平衡，为晶体形核生长提供驱动力，同时抑制二元相及其他杂相的提前析出，得到合适的单晶样品。
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公开(公告)号：CN117761016A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311545586.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N21/552 , C12Q1/6825 , C12Q1/6837 , G01N21/01 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请涉及二维材料生物传感技术领域，更具体地说，它涉及一种基于miRNA检测的二维材料生物传感器制备方法及其应用。所述二维材料生物传感器通过在富含缺陷的GeP二维纳米片表面修饰金纳米粒子，使用机械剥离的方法将GeP纳米片转移到金膜表面，然后通过等离子体刻蚀机精确控制GeP纳米片的厚度。要解决的技术问题包括如何有效地组装不同厚度的GeP纳米片到表面等离激元传感器芯片表面，并且使大量金纳米颗粒原位生长在GeP表面的缺陷位置，以实现对目标miRNA序列的高灵敏度检测和极低的检测极限。此外，还需要确保对目标miRNA序列的高精准选择性识别，并具备出色的抗干扰性能。
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公开(公告)号：CN114755276B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210410920.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
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公开(公告)号：CN113493202B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010261332.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 燕山大学
Inventor： 田永君 , 徐波 , 周向锋 , 胡文涛 , 高宇飞 , 李子鹤 , 应盼 , 刘笑笑 , 于栋利 , 何巨龙 , 柳忠元 , 聂安民 , 王霖 , 高国英 , 陈俊云 , 赵智胜
IPC: C01B32/26
Abstract: 本发明涉及金刚石复相材料及其制备方法。本发明以洋葱碳为原料，通过高温高压的合成方法制备出一种包含3C、2H、4H、6H、8H、10H、9R、15R、21R多种类型金刚石相的新型金刚石复相块材。在块材的晶粒内可以发现2H、3C、4H、6H、8H、9R、10H、15R、21R中的两种或两种以上类型的金刚石相，其中3C型金刚石具有超细纳米孪晶组织结构，孪晶宽度1‑15nm。本发明所公开的金刚石复相块材内部晶粒尺寸为2‑80nm，其维氏硬度为150‑260GPa，断裂韧性为12‑30MPa·m1/2。这种金刚石复相块材在精密与超精密加工领域、拉丝模、磨料磨具及特种光学元件等领域具有广阔的应用。
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公开(公告)号：CN114755276A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210410920.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本申请属于生物检测技术领域，特别是涉及一种生物传感器及其制备方法和应用。现有的生物传感器操作复杂，灵敏度低且性能不稳定。本申请提供了一种生物传感器，包括在第一方向上依次层叠的载体薄膜、修饰薄膜和待观测DNA层，所述第一方向为载体薄膜指向待观测DNA层；所述载体薄膜包括在所述第一方向上依次层叠的金膜基底层和硫化钨层。有单层硫化钨晶体这种电荷敏感材料的的加入，使得在原有单纯的金膜表面等离激元共振角成像的基础上，通过加入不同电位振幅频率的调制，达到更清晰敏感地观察λDNA的效果。操作简单，灵敏度高，性能稳定。
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