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公开(公告)号：CN110174175A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910250570.9
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间；制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN110160656A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910250576.6
申请日：2017-09-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器，包括双层非制冷红外探测器，双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体，探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构，第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层，第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层，在超材料支撑保护层上设有超材料结构，所述超材料结构采用NiCr或/和Al，其厚度在12～30nm之间，制备工艺简单，能与CMOS工艺兼容，且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。
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公开(公告)号：CN109932064A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10-3～3×10-5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108917942A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201811124163.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107128872B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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公开(公告)号：CN106847950B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201710252825.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器，在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜包括在位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜，使用氧化钛作为热敏层薄膜，且对部分氧化钛薄膜进行离子注入，使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜，代替现有技术中的金属电极，工艺简单，产能较高。还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜，并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入，离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤，还包括去除光阻，沉积第二保护层，进行结构释放的步骤。
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公开(公告)号：CN107253696A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710434582.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0032 , B81B2201/0207 , B81C1/00341 , B81C1/00349 , B81C2201/0181
Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。
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公开(公告)号：CN107150995A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710328762.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81C1/00103 , B81C1/00476 , G01J5/20 , G01J2005/0077 , G01J2005/204
Abstract: 本发明涉及一种偏振敏感型非制冷红外探测器，包括第一层悬空结构，所述第一层悬空结构为现有非制冷红外探测器，所述第一层悬空结构上设有第二层悬空结构，所述第二层悬空结构包括光栅支撑层和设置在支所述光栅撑层上的金属光栅结构，能够简化光学系统，提升图像的真实性与有效性；还涉及上述偏振敏感型非制冷红外探测器的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在未进行结构释放的现有非制冷红外探测器上制备第二层牺牲层和光栅支撑层；步骤2.制备金属光栅结构；步骤3.结构释放，形成偏振敏感型非制冷红外探测器。
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公开(公告)号：CN107055464A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710037813.1
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00476 , B81C1/00095 , B81C1/00103 , B81C1/00611 , G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法，包括在包含读出电路为基底的晶圆上制作金属反射层，在金属反射层上依次沉积绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、电极保护层、热敏层和钝化层，所述牺牲层使用非晶碳薄膜，对所述牺牲层进行图形化处理，形成锚点孔，并利用化学机械抛光工艺对非晶碳牺牲层表面进行平坦化处理，结构更平整，在锚点孔底部除去撑层和绝缘介质层，露出下面的金属块，形成通孔，利用坞插塞工艺在通孔和锚点孔内沉积金属钨，电学连接更稳定，利用等离子灰化或等离子体刻蚀，去除牺牲层，结构释放更彻底。
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