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公开(公告)号：CN105550449B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510939392.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯高频特性模型及其参数提取方法，包括：石墨烯本征模型，包括四个本征模型单元，所述四个本征模型单元之间串联；第一金属接触模型，包括第一接触电阻和第一结电容，所述第一接触电阻和所述第一结电容并联；第二金属接触模型，包括第二接触电阻和第二结电容，所述第二接触电阻和所述第二结电容并联；接地耦合模型，包括三个接地耦合单元，每个所述接地耦合单元包括第一等效电容、第二等效电容、第三等效电容和第一等效电阻；两端耦合模型，包括第四等效电容、第五等效电容和第二等效电阻；参数提取方法，包括带等效电感和等效电容的优化目标函数。本发明具有如下优点：能准确地反映石墨烯的高频特性、耦合特性。
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公开(公告)号：CN105391404B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510924414.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯场效应管的双平衡混频器，四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口。本发明具有如下优点：四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口，通过这种交叉耦合的方式，有效抑制电路的高频分量，提高了线性度，抑制了穿通，减小了噪声。
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公开(公告)号：CN105571727A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510938308.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01J5/14
CPC classification number: G01J5/14
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯热电堆器件的信号读出方法和读出系统，方法包括对第一、第二调制电极分别施加互为反相的第一、第二控制信号，其中，第一、第二控制信号组合用于调制石墨烯层的Seebeck系数以消除1/f噪声；通过获取第一电压引出端的第一电压值和获取第二电压引出端的第二电压值得到热源的温度信息。本发明具有如下优点：用相互反相的控制信号直接调制石墨烯层的Seebeck系数，使石墨烯热电堆的输出由传统的直流或低频信号改为高频交流信号，从而取消了传统热电堆放大器电路前端的斩波部分，不仅简化了信号处理电路，还消除了斩波开关引入的1/f噪声，极大地降低了石墨烯热电堆传感器系统的噪声。
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公开(公告)号：CN105336808A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510857640.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/035236 , H01L31/035254
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子阱光探测器，包括：第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。本发明具有如下优点：利用量子阱的最优偏置电压，使得量子阱中的最高能级与导带边界对准形成最大的输出光电流，从而达到最大的探测灵敏度；利用压电电势，调节量子阱的偏置电压，从而提高单个量子阱的量子效率。
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公开(公告)号：CN102169295A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110147840.7
申请日：2011-06-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布和掩膜版图形的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：确定光源的初始形状和初始光照强度，并用矩阵表示；确定掩膜版的初始图形，并用像素点矩阵表示；以光刻过程中的成像准确度和焦深为基本优化目标，再加入两个补偿项，建立目标函数；计算掩膜图形经过光刻系统作用之后的光照强度分布行归一化；重复计算步骤，直到满足收敛条件；得到的光源矩阵，计算光刻系统的成像核及其系数；计算光强分布矩阵；计算硅片上刻出的图形并用矩阵；计算目标函数对所述矩阵的梯度；更新矩阵；重复计算步骤，直到满足收敛条件。本发明对光刻工艺的光源和掩膜版进行优化的方法具有时间短，优化效果好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102096336A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010620204.7
申请日：2010-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种确定光刻工艺的光源光照强度分布的方法，属于集成电路制造技术领域，包含以下步骤：确定光源的初始形状和初始光照强度，并用矩阵Γ表示，然后将矩阵Γ转换成便于优化的矩阵θ；确定光刻过程中的成像准确度和焦深，建立目标函数；获取掩膜图形，并用像素点矩阵m表示；计算掩膜图形经过光刻系统作用之后的光照强度分布，并将其用一个规模与矩阵m一致的矩阵I表示后对该矩阵I进行归一化；模拟光刻胶效应来计算硅片上刻出的图形并用矩阵z表示；计算目标函数对所述矩阵θ的梯度(θ)；利用公式更新矩阵θ，其中s代表步长，n代表迭代的次数；重复前述四个计算步骤，直到满足收敛条件。这种对光刻工艺的光源进行优化的方法具有时间短，优化效果好的优点。
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公开(公告)号：CN109145389B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201810828217.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种集成电路模型复用方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据新模型获取待求模型的模型参数，并求解模型参数，其中，如果模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；如果模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。该方法充分利用已搭建好的电路模型，有效减少新电路建模所需要的样本数量，且不受具体模型形式的限制，可以适用于各类电路模型，适用于各类有相似性的电路设计问题，从而有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。
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公开(公告)号：CN105577126B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201510938376.1
申请日：2015-12-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯传输线作级间匹配的分布式放大器电路拓扑结构，包括：第一石墨烯条带、第二石墨烯条带和多个石墨烯放大器，多个石墨烯放大器的源极均接地，漏极分别与第一石墨烯条带上的第一连接端连接，栅极分别与第二石墨烯条带上的第二连接端连接。本发明具有如下优点：采用石墨烯进行级间匹配，只需对石墨烯进行刻蚀就能完成电路的核心部分，省去了很多金属的淀积、刻蚀以及金属与石墨烯接触处理等工艺步骤；减少工艺中损害和沾污石墨烯的可能，更好地保证石墨烯的性能；采用传输线结构，节省面积；不需考虑金属线圈电感的耦合和寄生，降低设计难度。
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公开(公告)号：CN109145389A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810828217.X
申请日：2018-07-25
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路模型复用方法及装置，其中，方法包括以下步骤：将预设模型作为模型主体，且在模型自变量和函数目标值上进行变换，以得到变换后的新模型；根据新模型获取待求模型的模型参数，并求解模型参数，其中，如果模型主体为可导，则采用迭代优化算法进行求解；如果模型主体为不可导，则启发式算法进行求解。该方法充分利用已搭建好的电路模型，有效减少新电路建模所需要的样本数量，且不受具体模型形式的限制，可以适用于各类电路模型，适用于各类有相似性的电路设计问题，从而有效提高新电路建模与设计的效率，适用性强，简单易实现。
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公开(公告)号：CN105789323A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610210348.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/16 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78687 , H01L21/0405 , H01L29/1606 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了场效应晶体管以及制备方法。该场效应晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。利用单层石墨烯以及层状材料形成异质结以调节沟道材料禁带宽度，从而可以提高该场效应晶体管的开关比；嵌在衬底中的栅极结构有利于保护单层石墨烯结构不在制备栅极的过程中被破坏，从而可以提高该场效应晶体管的性能。
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