半导体晶圆
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110914964A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201880047460.6

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆,且具备:形成于芯片形成区域内的内存单元;及形成于芯片形成区域内的检查用器件,且检查用器件具有:光电二极管,其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入,并输出对应于该泵浦光的电信号;及信号处理电路,其基于自光电二极管输出的电信号产生逻辑信号,并将该逻辑信号向内存单元输出。

    半导体晶圆
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110892517A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201880047476.7

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆,且具备:形成于芯片形成区域内的内存单元,及形成于芯片形成区域外的检查用器件;检查用器件具有:光电二极管,其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入,并输出对应于该泵浦光的电信号;及信号处理电路,其基于自光电二极管输出的电信号产生逻辑信号,并将该逻辑信号向内存单元输出。

    光学元件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111538114A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010080515.2

    申请日:2020-02-05

    Abstract: 本发明提供一种光学元件。该光学元件包括主体部(2),该主体部由可透射第一光(L1)和波长比第一光(L1)长的第二光(L2)的介质构成,主体部(2)具有供第一光(L1)和第二光(L2)入射的入射区域(5),在主体部(2)的内部设置有相对于入射区域(5)倾斜的间隙(7),在该间隙配置有与主体部(2)相比对第一光(L1)和第二光(L2)的折射率低的介质,自主体部(2)与间隙(7)的界面(R)起的间隙宽度(W)比界面(R)的第一光(L1)的倏逝波(E1)的穿透深度(T1)大,且比界面R的第二光(L2)的倏逝波(E2)的穿透深度(T2)小。本发明能够高效率地将彼此不同波长的光分波/合波。

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