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公开(公告)号：CN103038959B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180037546.9
申请日：2011-06-21
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/005 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。
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公开(公告)号：CN104106184A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201280069122.5
申请日：2012-11-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L33/105 , H01L2933/0083 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S2301/02 , H01S2301/176
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)，活性层(3)和电极(8)之间、以及活性层(3)和电极(9)之间彼此导电类型不同，电极(8)具有开口部(8a)，电极(8)、活性层(3)、光子晶体层(4)、电极(9)沿X轴层叠，X轴通过从该X轴的轴线方向看到的开口部(8a)的中央部(8a2)，电极(9)具有从X轴的轴线方向看位于Y轴方向的相反方向的端部(9e1)、和位于Y轴方向的端部(9e2)，开口部(8a)具有从X轴看位于Y轴方向的相反方向的端部(8e1)和位于Y轴方向的端部(8e2)，电极(9)的端部(9e1)和开口部(8a)的端部(8e1)，从X轴的轴线方向看大致一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113295110A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110187715.2
申请日：2021-02-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 三维测量装置(101)具备：一个或多个光源部(102)，其对被测量物(SA)照射具有规定图案的测量光(105)；一个或多个摄像部(103)，其对被照射了测量光(105)的被测量物(SA)进行摄像；测量部(104)，其基于摄像部(103)的摄像结果测量被测量物(SA)的三维形状，光源部(102)由M点振荡的S－iPMSEL(1)构成。
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公开(公告)号：CN105960744B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201480074880.5
申请日：2014-11-10
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0683 , H01S5/022 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 本发明涉及半导体激光模块，具备能够射出主光束和副光束的面发光激光元件、能够检测副光束的光强度的监测用光检测元件，面发光激光元件是PCSEL，主光束和副光束被射出至面发光激光元件的上方，仅以预先确定的角度互相倾斜，相对于面发光激光元件的驱动电流值的主光束的峰值光强度以及副光束的峰值光强度的各个的变动互相相关。因此，如果使用表示副光束的峰值光强度的监测用光检测元件的输出的话，则能够推定主光束的峰值光强度。
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公开(公告)号：CN105191028B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201480013107.8
申请日：2014-03-07
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01S5/0092 , G02F1/3544 , G02F1/3551 , G02F1/3558 , G02F1/37 , G02F2001/3548 , H01S5/02248 , H01S5/02446 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187
Abstract: 在激光装置中，光子晶体层的不同折射率区域(6B)被配置于正方格子的格子点位置，各个不同折射率区域(6B)的平面形状为大致等腰直角三角形的情况下，构成其直角的2边沿着正方格子的纵以及横格子线，平行或者垂直于该三角形的斜边的方向与非线性光学晶体(NL)的周期极化反转结构中的极化的方向一致。
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公开(公告)号：CN103988379B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201280060429.9
申请日：2012-12-05
Applicant: 国立大学法人京都大学 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01S5/50
CPC classification number: H01S5/105 , H01S5/0425 , H01S5/06243 , H01S5/1085 , H01S5/1218 , H01S5/323 , H01S5/34313 , H01S5/4056
Abstract: 对应于第1以及第2周期结构中的各个排列周期(a1、a2)的倒数的差分，在从半导体激光元件的厚度方向看的情况下，相对于第1驱动电极(E2)的长边方向成为规定的角度(δθ)的2个以上的激光束在半导体激光元件内部被生成，这些激光束的一方以在光出射端面上进行全反射的方式被设定，另一方的折射角(θ3)以小于90度的方式被设定。
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公开(公告)号：CN103038959A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037546.9
申请日：2011-06-21
Applicant: 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , H01L33/005 , H01L2933/0083 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/3202 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。
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