带有散热结构的功率模块DBC板

    公开(公告)号:CN102655710A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210146937.0

    申请日:2012-05-12

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明的目的是提供一种带有散热结构的功率模块DBC板,由上之下依次为DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层,其特征在于:在原有DBC陶瓷层的基础上,根据DBC上铜层的分布,在DBC上铜层周围的陶瓷区域附加DBC板散热结构,附加的DBC板散热结构由铜制成,其内部为中空结构,并且充有冷却液,该冷却液通过管路与外部的泵相连接,DBC陶瓷层与附加的DBC板散热结构做在一起作为一个整体。

    芳基取代的含三氮唑的稠杂环类化合物及制备和应用

    公开(公告)号:CN108794488A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810654546.7

    申请日:2018-06-22

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: C07D487/04 A61P31/04

    Abstract: 本发明提供一种芳基取代的含三氮唑的稠杂环类化合物,将2‑氨基‑1,3,5‑三嗪类化合与氰类化合物混合加入溶剂中,在铜催化剂和金属锌化合物存在下,在60~135℃温度下搅拌反应15‑30小时,反应结束后,反应液后处理制得目标化合物。本发明的制备方法设计合理,工艺反应条件温和,原料易得,操作方便,成本低,有着广泛的工业应用前景。本发明所提供的芳基取代的含三氮唑的稠杂环类化合物显示一定的抗菌活性,可在制备抗菌药物中的应用,本发明为新药筛选及开发奠定了基础,具有较好的实用价值。通式(III)结构如下:

    具有新型焊线的电力电子模块装置

    公开(公告)号:CN103887267A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210570401.1

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L2224/48137 H01L2224/49175 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及一种具有新型焊线的电力电子功率模块装置。本发明采用具有低膨胀系数的金属材料代替传统铝材料,作为电力电子功率模块装置中用于芯片之间或芯片与电极之间相连接的引线。具有新型焊线的电力电子功率模块装置有效地解决了传统铝焊线与其接合材料的交界面上热应力过大的问题,改善了高温工作条件下金属焊线的安全性,有效提高了整个功率模块的使用寿命。

    一种IGBT功率模块
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103035590A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210569263.5

    申请日:2012-12-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一种具有高散热性能的IGBT功率模块,包括芯片、导热绝缘基板、基板,导热绝缘基板由上敷铜层、陶瓷层、下敷铜层组成,下敷铜层的厚度为1.5-2.0mm。本发明通过改变传统IGBT模块结构中材料的尺寸参数,提高了IGBT模块的散热性能,克服了背景技术中传统的IGBT模块存在的缺陷。本发明的IGBT功率模块和传统的IGBT功率模块相比,散热面积增大2-3倍,散热效率提高2-3倍。

    电力电子功率模块覆铜结构

    公开(公告)号:CN102582162A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210054549.X

    申请日:2012-03-04

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明的目的是提供一种电力电子功率模块覆铜结构,由上之下依次为DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层,其特征在于:DBC下铜层由多片铜薄片等间距排列而成。在普通DBC的基础上,通过将DBC下表面铜层刻蚀成一个个独立的铜薄片,这样在发生热膨胀时,大部分形变会发生在裂缝中的填充材料里,降低了整体的热应力,有效的增加了DBC与组件的寿命。

    一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法

    公开(公告)号:CN118444736A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410626733.X

    申请日:2024-05-20

    Abstract: 本公开涉及模拟集成电路技术领域,具体涉及一种低噪声带隙基准电路、芯片、电子设备和生成低噪声基准电压的方法,所述低噪声带隙基准电路包括带隙基准电路、斩波电路和低通滤波单元。带隙基准电路包括运算放大器,其中带隙基准电路用于输出基准电压,运算放大器用于对所述带隙基准电路中的第一节点和第二节点进行电压钳位。斩波电路连接到所述运算放大器,用于将所述运算放大器产生的噪声调制到高频。低通滤波单元连接到所述带隙基准电路,用于滤除所述基准电压中的高频噪声。此低噪声带隙基准电路极大地减小了运算放大器的输出噪声,提高了芯片的噪声性能。

    一种基于驱动电压预调制技术的同步整流控制电路

    公开(公告)号:CN117240102A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311204452.7

    申请日:2023-09-18

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于驱动电压预调制技术的同步整流控制电路,包括预调制电路和快速关断电路,在同步整流管关断前,当同步整流管的漏源电压达到预设的阈值电压VTH1时,预调制电路对同步整流管的栅源电压进行自适应调节,从而控制其漏源电压维持在阈值电压VTH1附近;当同步整流管的漏源电压达到预设的阈值电压VTH2时,快速关断电路则快速下拉漏源电压以关断同步整流管。因此,本发明通过驱动电压预调制技术延长了同步整流管的导通时间,以避免寄生电感导致的提前关断问题,实现降低同步整流损耗,提高开关电源效率的作用。

    Z自由度压电惯性双向平顺精密调焦平台及驱动方法

    公开(公告)号:CN117170080A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310997088.8

    申请日:2023-08-09

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种Z自由度压电惯性双向平顺精密调焦平台及驱动方法;利用压电堆叠和柔性铰链机构的接触装配特性使单个方向实现位移激增运动,之后通过光学电子显微镜及运动导轨自重结合电压偏置使定子组件产生寄生运动,进而实现定子组件与运动导轨之间的锁定力调节来平衡正向位移激增和反向位移回退,实现双向平顺驱动。针对传统压电惯性驱动平台的位移回退问题,将压电堆叠与柔性铰链机构采用接触装配,锯齿波采用100%占空比锯齿波,运动导轨与光学电子显微镜采用Z自由度安装,有效利用驱动目标自重,压电堆叠电压偏置实现定子组件与运动导轨之间锁定力调节,进而使精密调焦平台获得双向平顺驱动并改善其双向一致性。

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