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公开(公告)号：CN105226187B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN103346227B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310275859.9
申请日：2013-07-03
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，涉及具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，结构是：以氮化镓基发光二极管芯片业界常规生长好的LED外延结构的外延片为基片，该基片从下到上的构成分别为，蓝宝石衬底、GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区和Mg掺杂的p型GaN层，再交替沉积1层～6层SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构层，再复合金属Al膜构成反射电流阻挡层，最后配以氮化镓基发光二极管芯片业界常规的ITO透明导电层，解决了现有技术中p金属电极处的电流拥挤效应，克服了金属电极吸收光子导致LED芯片发光效率下降的问题。
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公开(公告)号：CN105428535A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510782696.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , H01L51/0003
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的采用耐高温不透明导电基底的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，步骤是：在耐高温不透明导电基底上制备P型晶硅薄膜层；在P型薄膜晶硅上制备电子空穴复合抑制结构层；在电子空穴复合抑制结构层上旋涂钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层；在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备顶电极。本发明方法克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路和玻璃基底对后续制备工艺的高温环节的限制的缺陷。
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公开(公告)号：CN105226187A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510785094.2
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/00 , H01L51/52 , H01L51/56 , H01L2251/301 , H01L2251/53
Abstract: 本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
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公开(公告)号：CN104362253A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410568822.X
申请日：2014-10-23
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 本发明全固态钙钛矿微晶硅复合太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、氧化物半导体薄膜层、钙钛矿光吸收层、微晶硅空穴传输层和背电极构成；在涂覆了氧化物半导体薄膜的透明导电基底上制备钙钛矿光吸收层，微晶硅空穴传输层沉积在钙钛矿光吸收层上形成全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜；将钙钛矿光吸收层材料和P型微晶硅材料相互匹配复合，所制得的全固态钙钛矿微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有钙钛矿太阳电池因使用有机空穴传输材料而存在的稳定性差和价格昂贵的缺点，以及微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高及光电转换效率低的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102313835A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110204341.7
申请日：2011-07-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的电参数测量方法，涉及半导体材料电参数的测量方法，是通过一种非接触霍尔测量方法来测量砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料中的载流子浓度与迁移率，步骤是：采用微波霍尔测量装置测量被测量的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的入射功率、反射功率和霍尔效应微波功率；计算被测样品在不同磁场下的电导张量；砷化镓赝配高电子迁移率晶体管材料的载流子浓度与迁移率的计算。本发明方法是一种非破坏性、便捷高效和准确测量砷化镓基双平面掺杂赝配高电子迁移率晶体管材料中载流子浓度与迁移率的方法，克服了现有测量方法中操作繁琐，效率低下，存在一定误差，以及不能真实完全地反应材料的电学性能的缺点。
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公开(公告)号：CN101872685A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010173784.X
申请日：2010-05-17
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、染料敏化纳米晶多孔膜、微晶硅空穴传输层和背电极构成；所述染料敏化纳米晶多孔膜被涂覆在透明导电基底上，微晶硅空穴传输层沉积在染料敏化纳米晶多孔膜上形成固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜，由铝或铜构成的膜被镀在固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜上形成背电极。本发明将染料敏化纳米晶材料和微晶硅复合薄膜材料相互匹配复合，所制得的固态染料敏化纳米晶微晶硅复合薄膜太阳电池同时克服了现有染料敏化太阳电池存在液态稳定性差和微晶硅薄膜太阳电池存在低制备速率导致制备成本高的缺点。
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公开(公告)号：CN106683914B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201710105170.X
申请日：2017-02-25
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明一种低压电器用铜基电触头材料及其制备方法，涉及铜作为基底材料的触点，该材料是由以下质量百分比的成分组成：Ce 0.05～0.5%，TiO2掺杂SnO2纳米颗粒0.1～1.0%，其余为Cu；其中以TiO2掺杂SnO2纳米颗粒为主增强相，同时添加稀土元素Ce以提高力学、抗氧化及电接触性能，采用无水乙醇防护下的湿磨混粉和粉末冶金工艺制备，克服了用现有技术所制得的Cu基复合材料作为触头材料使用时电导率低、接触电阻高、抗氧化及抗电弧烧损能差，以及其中增强相的弥散分布程度不够的缺点。
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公开(公告)号：CN105449103B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510783542.5
申请日：2015-11-15
Applicant: 河北工业大学
CPC classification number: H01L51/4213 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子空穴复合抑制结构层的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、电子空穴复合抑制结构层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅层具备相匹配的能级，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加有SiO2构成的电子空穴复合抑制结构层。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷。
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公开(公告)号：CN103346227A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310275859.9
申请日：2013-07-03
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，涉及具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，结构是：以氮化镓基发光二极管芯片业界常规生长好的LED外延结构的外延片为基片，该基片从下到上的构成分别为，蓝宝石衬底、GaN缓冲层、Si掺杂的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区和Mg掺杂的p型GaN层，再交替沉积1层～6层SiO2/TiO2的分布式布拉格反射结构层，再复合金属Al膜构成反射电流阻挡层，最后配以氮化镓基发光二极管芯片业界常规的ITO透明导电层，解决了现有技术中p金属电极处的电流拥挤效应，克服了金属电极吸收光子导致LED芯片发光效率下降的问题。
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