公开(公告)号：CN110047748A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910323485.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈雷雷 ,  闫大为 ,  赵琳娜 ,  顾晓峰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低损伤AlGaNGaNHEMT栅槽刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法刻蚀过程中控制等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，且控制等离子体浓度在108-1010cm-3，提高了刻蚀的均匀度，降低刻蚀面的粗糙度，还保证了等离子体对样品表面的轰击减少到最小，达到降低表面损伤的目的，同时，刻蚀速率可降至2-3nm/min，实现刻蚀过程中刻蚀精度的精确控制。

公开(公告)号：CN106908708A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710130645.0

申请日：2017-03-07

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  闫大为 ,  顾晓峰 ,  陈雷雷

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601 ,  G01R31/2642

Abstract: 本发明公开了一种基于电致发光热点统计的氮化镓基发光二极管可靠性分析方法。该方法首先通过步进应力测试或反向扫描电流‑电压曲线，分析氮化镓基发光二极管的反向漏电流随时间的退化过程，选取反向漏电流随时间呈明显的上升趋势的电压作为采集元器件电致发光热点时的固定偏压；而后通过微光显微系统，每隔一段时间采集一张电致发光热点的图像；最后通过统计发光二极管元器件退化过程中累积电致发光热点个数，绘制热点产生时间的韦伯分布曲线，来分析发光二极管元器件的可靠性和寿命。本发明采用的是一种简单可操作的方法，实现了对氮化镓基发光二极管元器件的可靠性分析，较现有方法相比具有快速、低成本等优势。

公开(公告)号：CN105891693A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610271015.0

申请日：2016-04-27

Applicant: 江南大学

Inventor： 任舰 ,  顾晓峰 ,  闫大为

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G01R19/00

CPC classification number: G01R31/2601 ,  G01R19/00 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2632 ,  G01R31/2642 ,  G01R31/2831

Abstract: 本发明公开了一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法。该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流?电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值；最后计算求得应力引起势垒层缺陷密度的变化，实现对GaN基HEMT退化的检测。本发明采用一种简单的方法实现了对应力引起的势垒层缺陷密度的检测，有助于分析GaN基HEMT器件的退化机制和退化过程。

公开(公告)号：CN110047748B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910323485.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈雷雷 ,  闫大为 ,  赵琳娜 ,  顾晓峰

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种低损伤AlGaNGaNHEMT栅槽刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法刻蚀过程中控制等离子体中离子运动方向与衬底方向水平，且控制等离子体浓度在108‑1010cm‑3，提高了刻蚀的均匀度，降低刻蚀面的粗糙度，还保证了等离子体对样品表面的轰击减少到最小，达到降低表面损伤的目的，同时，刻蚀速率可降至2‑3nm/min，实现刻蚀过程中刻蚀精度的精确控制。

公开(公告)号：CN110031741A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910445634.0

申请日：2019-05-27

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  林露斯 ,  罗沁轩 ,  闫大为 ,  顾晓峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种基于LabVIEW的半导体器件的阶梯脉冲测试方法，属于半导体器件测试领域。该方法应用于半导体器件阶梯脉冲测试系统该，包括：在上位机上安装LabVIEW、NI VISA及基于LabVIEW的用于控制Keithley 2461数字源表的上位机软件；将待测半导体器件放置在探针台底座，探针与待测半导体器件连接；在上位机上一次性设置所有脉冲源相关参数和相关功能；触发运行按键，所述半导体器件阶梯脉冲测试系统运行，软件前面板的数据输出区域显示扫描结果数据；简化了仪器操作，令数据分析更加便捷有效，克服了传统脉冲测试的易用性低、速度慢、效率低的缺点。

公开(公告)号：CN108428629A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810307019.9

申请日：2018-04-08

Applicant: 江南大学

Inventor： 闫大为 ,  于国浩 ,  赵琳娜 ,  顾晓峰

IPC: H01L21/283 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及利用F+离子注入实现氮化镓基发光二极管P型掺杂的方法。P型掺杂的GaN基LED外延片包括由下至上依次设置的图形化蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN成核层、u型GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱MQW有源层、低温P型GaN层、高温P型GaN层。其中低温P型GaN层和高温P型GaN层的掺杂均采用F+离子注入方法实现，采用的受主掺杂剂为F+离子，F+离子的入射能量为10keV，入射角度为7°，注入剂量为2×1013cm-2，本发明与现行的Si工艺兼容，注入F+离子的浓度和深度分布精确可控，且制备过程简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN107221565A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710368026.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 闫大为 ,  羊群思

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/66212

Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法，包括步骤：A、在同质GaN衬底上外延生长浓度为4.1x1016cm‑3的n型GaN掺杂层；B、在外延层上制备欧姆接触电极层；C、在外延片上覆盖二氧化硅钝化层，刻蚀出离子注入区域；D、通过离子注入机注入氟离子；E、在离子注入区域上方制备肖特基电极层。本发明还公开了制备得到的肖特基二极管。该制备方法过程中采用了离子注入氟一方面提高n‑GaN与肖特基金属之间的内建势垒高度，从而有效减低了器件的反向电流，实现高增益性能；另一方面通过照射波长为360‑365nm的紫外光，器件表现出类似紫外探测器的光生电流反应，光暗电流比可达107。

公开(公告)号：CN106847934A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710182867.7

申请日：2017-03-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  闫大为 ,  顾晓峰 ,  陈雷雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/266 ,  H01L29/66204

Abstract: 本发明公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结及其制造方法。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本发明利用氟离子注入实现氮化镓基PN结的制备方法，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN206639803U

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201720295253.5

申请日：2017-03-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 赵琳娜 ,  闫大为 ,  顾晓峰 ,  陈雷雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓半导体层上设置有第一电极，p型掺杂氮化镓半导体层上设置有第二电极。本实用新型利用氟离子注入实现氮化镓基PN结，与现行的硅工艺兼容，注入氟离子的浓度和深度分布精确可控，形成的p型氮化镓半导体层具有很高的掺杂均匀性。其制备过程简单，成本低廉。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205666237U

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201620479048.X

申请日：2016-05-24

Applicant: 江南大学

Inventor： 任舰 ,  顾晓峰 ,  闫大为

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/778

Abstract: 本实用新型公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In0.17Al0.83N势垒与GaN材料形成晶格匹配，通过逐层增加In组分，增加极化效应产生的二维电子气浓度，提高器件的饱和电流和输出功率。本实用新型在减少异质界面形成线性位错和抑制逆压电效应的同时，有效提高了InAlN/GaN HEMT器件的电学性能。